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지문 센싱 회로와 소자를 공유하는 화소 회로로서, 상기 화소 회로는 트랜지스터에 의해 화상을 표시하는 자발광 소자; 및상기 자발광 소자에서 출사되어 사용자의 지문을 통해 반사된 광을 수광하여 전기신호로 변환하는 수광소자; 를 포함하고,상기 화소 회로는 상기 수광소자를 통해 생성된 출력 신호를 상기 화소 회로의 출력라인을 통해 읽어내는 것을 특징으로 하는 화소 회로
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제1항에 있어서,상기 화소 회로가 지문 센싱 회로와 공유하는 소자는구동 트랜지스터, 보상 트랜지스터, 또는 스위치 트랜지스터 중에서 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 화소 회로
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제2항에 있어서,상기 구동 트랜지스터는, 상기 자발광 소자를 구동하고, 상기 수광소자의 출력 전압을 상기 화소 회로의 출력 라인에 전달하는 버퍼(buffer)로서 기능하는 것을 특징으로 하는 화소 회로
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제2항에 있어서,상기 보상 트랜지스터는 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압(VTH), 이동도, 또는 VDD전압 중 적어도 어느 하나를 보상하는 것을 특징으로 하는 화소 회로
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제2항에 있어서, 상기 화소 회로는, 제 1 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터로 기능하는 제 2 트랜지스터, 상기 보상 트랜지스터로 기능하는 제 3 트랜지스터, 제 4 트랜지스터, 제 5 트랜지스터 및 제 6 트랜지스터를 포함하고,상기 제 1 트랜지스터의 제 1 단자는 데이터라인에 연결되고, 상기 제 1 트랜지스터의 제 2 단자는 제 1 노드에 연결되고, 상기 제 1 트랜지스터의 게이트 단자는 n 번째 스캔라인에 연결되고,상기 제 2 트랜지스터의 제 1 단자는 상기 제 1 노드에 연결되고, 상기 제 2 트랜지스터의 제 2 단자는 제 2 노드에 연결되고, 상기 제 2 트랜지스터의 게이트 단자는 제 3 노드에 연결되고,상기 제 3 트랜지스터의 제 1 단자는 상기 제 3 노드에 연결되고, 상기 제 3 트랜지스터의 제 2 단자는 상기 제 2 노드에 연결되고, 상기 제 3 트랜지스터의 게이트 단자는 상기 n 번째 스캔라인에 연결되고,상기 제 4 트랜지스터의 제 1 단자는 상기 제 3 노드에 연결되고, 상기 제 4 트랜지스터의 제 2 단자는 수광소자의 캐소드(Cathode) 단자에 연결되고, 상기 제 4 트랜지스터의 게이트 단자는 제 1 센싱(sensing) 라인에 연결되고, 상기 제 5 트랜지스터의 제 1 단자는 상기 제 2 노드에 연결되고, 상기 제 5 트랜지스터의 제 2 단자는 접지되고, 상기 제 5 트랜지스터의 게이트 단자는 상기 제 1 센싱 라인에 연결되고,상기 제 6 트랜지스터의 제 1 단자는 상기 제 1 노드에 연결되고, 상기 제 6 트랜지스터의 제 2 단자는 출력 라인에 연결되고, 상기 제 6 트랜지스터의 게이트 단자는 제 2 센싱 라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 화소 회로
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제 5 항에 있어서,상기 화소 회로는,제 7 트랜지스터, 제 8 트랜지스터, 제 9 트랜지스터, 제 10 트랜지스터, 캐패시터를 더 포함하고,상기 제 7 트랜지스터의 제 1 단자는 초기화라인에 연결되고, 상기 제 7 트랜지스터의 제 2 단자는 상기 제 3 노드에 연결되고, 상기 제 7 트랜지스터의 게이트 단자는 n-1 번째 스캔라인에 연결되고,상기 제 8 트랜지스터의 제 1 단자는 초기화라인에 연결되고, 상기 제 8 트랜지스터의 제 2 단자는 상기 자발광 소자의 아노드(anode) 단자에 연결되고, 상기 제 8 트랜지스터의 게이트 단자는 상기 n-1 번째 스캔라인에 연결되고,상기 제 9 트랜지스터의 제 1 단자는 전원(VDD)에 연결되고, 상기 제 9 트랜지스터의 제 2 단자는 상기 제 1 노드에 연결되고, 상기 제 9 트랜지스터의 게이트 단자는 에미션(emission)라인에 연결되고,상기 제 10 트랜지스터의 제 1 단자는 상기 제 2 노드에 연결되고, 상기 제 10 트랜지스터의 제 2 단자는 상기 자발광 소자의 아노드 단자에 연결되고, 상기 제 10 트랜지스터의 게이트 단자는 상기 에미션 라인에 연결되고,상기 캐패시터의 제 1 단자는 상기 전원에 연결되고, 상기 캐패시터의 제 2 단자는 상기 제 3 노드에 연결되고, 상기 자발광 소자의 캐소드 단자 및 상기 수광 소자의 아노드 단자는 접지되는 것을 특징으로 하는 화소 회로
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제 6 항에 있어서,상기 n-1 번째 스캔라인의 n-1 번째 스캔신호 및 상기 초기화라인으로부터의 초기화 신호에 기초하여, 상기 제 7 트랜지스터 및 상기 제 8 트랜지스터는 이전 프레임의 데이터를 리셋하고,상기 n 번째 스캔라인의 n 번째 스캔신호에 기초하여, 상기 제 1 트랜지스터는 상기 제 1 노드에 데이터 신호를 인가하고, 상기 제 3 트랜지스터는 상기 제 2 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)을 보상하고,상기 제 1 센싱 라인의 제 1 센싱 신호 및 상기 수광 소자에 의한 전류에 기초하여, 상기 제 4 트랜지스터는 상기 제 3 노드에 전압을 인가하고,상기 제 2 트랜지스터의 소스 팔로워(Source Follower) 동작에 의하여 상기 제 3 노드에 인가된 전압을 상기 제 1 노드에 전달하고,상기 제 2 센싱 라인의 제 2 센싱 신호에 기초하여, 상기 제 6 트랜지스터는 상기 제 1 노드의 전압을 출력 라인으로 출력하는 것을 특징으로 하는 화소 회로
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8
제 7 항에 있어서,상기 수광 소자는 상기 자발광 소자에서 출력된 빛을 수신하여 전류를 생성하고,상기 제 1 센싱 라인의 제 1 센싱 신호 및 상기 생성된 전류에 기초하여 상기 제 3 노드에 전압을 인가하고,상기 제 2 트랜지스터의 소스 팔로워 동작에 의하여 상기 제 3 노드에 인가된 전압을 상기 제 1 노드에 전달하고,상기 제 2 센싱 라인의 제 2 센싱 신호에 기초하여, 상기 제 6 트랜지스터는 상기 제 1 노드의 전압을 출력 라인으로 출력하는 것을 특징으로 하는 화소 회로
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9
제2항에 있어서,상기 화소 회로는, 제 1 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터로 기능하는 제 2 트랜지스터, 상기 보상 트랜지스터로 기능하는 제 3 트랜지스터, 제 4 트랜지스터, 제 5 트랜지스터, 제 6 트랜지스터, 제 1 캐패시터 및 제 2 캐패시터를 포함하고,상기 제 1 트랜지스터의 제 1 단자는 데이터라인에 연결되고, 상기 제 1 트랜지스터의 제 2 단자는 제 1 노드에 연결되고, 상기 제 1 트랜지스터의 게이트 단자는 n 번째 스캔라인에 연결되고,상기 제 2 트랜지스터의 제 1 단자는 제 2 노드에 연결되고, 상기 제 2 트랜지스터의 제 2 단자는 제 3 노드에 연결되고, 상기 제 2 트랜지스터의 게이트 단자는 제 4 노드에 연결되고,상기 제 3 트랜지스터의 제 1 단자는 상기 제 4 노드에 연결되고, 상기 제 3 트랜지스터의 제 2 단자는 상기 제 3 노드에 연결되고, 상기 제 3 트랜지스터의 게이트 단자는 n-1 번째 스캔라인에 연결되고,상기 제 4 트랜지스터의 제 1 단자는 상기 제 1 노드에 연결되고, 상기 제 4 트랜지스터의 제 2 단자는 수광 소자의 캐소드(Cathode) 단자에 연결되고, 상기 제 4 트랜지스터의 게이트 단자는 제 1 센싱(sensing) 라인에 연결되고, 상기 제 5 트랜지스터의 제 1 단자는 상기 제 3 노드에 연결되고, 상기 제 5 트랜지스터의 제 2 단자는 접지되고, 상기 제 5 트랜지스터의 게이트 단자는 상기 제 1 센싱 라인에 연결되고,상기 제 6 트랜지스터의 제 1 단자는 상기 제 2 노드에 연결되고, 상기 제 6 트랜지스터의 제 2 단자는 출력 라인에 연결되고, 상기 제 6 트랜지스터의 게이트 단자는 제 2 센싱 라인에 연결되고,상기 제 1 캐패시터의 제 1 단자는 상기 제 1 노드에 연결되고, 상기 제 1 캐패시터의 제 2 단자는 상기 제 4 노드에 연결되고,상기 제 2 캐패시터의 제 1 단자는 상기 제 1 노드에 연결되고, 상기 제 2 캐패시터의 제 2 단자는 접지되는 것을 특징으로 하는 화소 회로
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제 9 항에 있어서,상기 화소 회로는, 제 7 트랜지스터, 제 8 트랜지스터, 제 9 트랜지스터를 더 포함하고,상기 제 7 트랜지스터의 제 1 단자는 전원(VDD)에 연결되고, 상기 제 7 트랜지스터의 제 2 단자는 상기 제 1 노드에 연결되고, 상기 제 7 트랜지스터의 게이트 단자는 상기 n-1 번째 스캔라인에 연결되고,상기 제 8 트랜지스터의 제 1 단자는 상기 전원에 연결되고, 상기 제 8 트랜지스터의 제 2 단자는 상기 제 2 노드에 연결되고, 상기 제 8 트랜지스터의 게이트 단자는 제 1 에미션(emission)라인에 연결되고,상기 제 9 트랜지스터의 제 1 단자는 상기 제 3 노드에 연결되고, 상기 제 9 트랜지스터의 제 2 단자는 상기 자발광 소자의 아노드 단자에 연결되고, 상기 제 9 트랜지스터의 게이트 단자는 제 2 에미션 라인에 연결되고,상기 자발광 소자의 캐소드 단자 및 상기 수광 소자의 아노드 단자는 접지되는 것을 특징으로 하는 화소 회로
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제2항에 있어서,상기 화소 회로는, 제 1 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터로 기능하는 제 2 트랜지스터, 제 3 트랜지스터, 제 4 트랜지스터, 및 제 5 트랜지스터를 포함하고,상기 제 1 트랜지스터의 제 1 단자는 데이터라인에 연결되고, 상기 제 1 트랜지스터의 제 2 단자는 제 1 노드에 연결되고, 상기 제 1 트랜지스터의 게이트 단자는 n번째 스캔라인에 연결되고,상기 제 2 트랜지스터의 제 1 단자는 제 2 노드에 연결되고, 상기 제 2 트랜지스터의 제 2 단자는 제 3 노드에 연결되고, 상기 제 2 트랜지스터의 게이트 단자는 상기 제 1 노드에 연결되고,상기 제 3 트랜지스터의 제 1 단자는 상기 제 1 노드에 연결되고, 상기 제 3 트랜지스터의 제 2 단자는 수광 소자의 캐소드(Cathode) 단자에 연결되고, 상기 제 3 트랜지스터의 게이트 단자는 제 1 센싱(sensing) 라인에 연결되고, 상기 제 4 트랜지스터의 제 1 단자는 상기 제 3 노드에 연결되고, 상기 제 4 트랜지스터의 제 2 단자는 접지되고, 상기 제 4 트랜지스터의 게이트 단자는 상기 제 1 센싱 라인에 연결되고,상기 제 5 트랜지스터의 제 1 단자는 상기 제 2 노드에 연결되고, 상기 제 5 트랜지스터의 제 2 단자는 출력 라인에 연결되고, 상기 제 5 트랜지스터의 게이트 단자는 제 2 센싱 라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 화소 회로
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제11항에 있어서,상기 화소 회로는,제 6 트랜지스터, 캐패시터를 더 포함하고,상기 제 6 트랜지스터의 제 1 단자는 전원(VDD)에 연결되고, 상기 제 6 트랜지스터의 제 2 단자는 상기 제 2 노드에 연결되고, 상기 제 6 트랜지스터의 게이트 단자는 에미션(emission)라인에 연결되고,상기 캐패시터의 제 1 단자는 상기 전원에 연결되고, 상기 캐패시터의 제 2 단자는 상기 제 1 노드에 연결되고,상기 자발광 소자의 아노드 단자는 상기 제 3 노드에 연결되고, 상기 자발광 소자의 캐소드 단자는 접지되고,상기 수광 소자의 아노드 단자는 접지되는 것을 특징으로 하는 화소 회로
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자발광 소자의 수명 보상 기능이 있는 화소 회로로서,상기 화소 회로는 구동 트랜지스터에 의해 제어되는 구동 전류로 화상을 표시하는 자발광 소자; 및상기 자발광 소자에서 출사된 광을 수광하여 광전류로 변환하는 수광소자; 를 포함하고,상기 구동 트랜지스터는 상기 수광소자의 출력 전압을 상기 화소 회로의 출력 라인에 전달하는 버퍼(buffer)로서 기능하며,상기 화소 회로는 상기 출력 라인으로 출력된 전압을 아날로그 신호에서 디지털 신호로 변환하고, 상기 디지털 신호를 자발광 소자의 밝기 데이터와 대조하고, 상기 대조 결과에 기초하여 상기 자발광 소자의 수명을 획득하고, 상기 대조 결과에 기초하여 상기 구동 트랜지스터에 인가할 전압을 보상하는 것을 특징으로 하는 화소 회로
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