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1
제1 축을 중심축으로 하는 중공 기둥 형태의 챔버;상기 챔버의 하면 상의 캐소드 전극;상기 캐소드 전극과 상기 제1 축이 만나는 위치에 제공되는 에미터;상기 제1 축을 중심축으로 하는 관통홀 및 상기 제1 축에 대해 기울어진 타겟층을 포함하는 아노드 전극;상기 캐소드 전극 및 상기 아노드 전극 사이에서 상기 에미터를 노출시키는 개구를 갖는 게이트 전극;상기 게이트 전극 및 상기 아노드 전극 사이의 집속 전극;상기 아노드 전극의 상기 타겟층과 이격되는 윈도우; 및상기 챔버의 상면 상에 제공되며, 상기 윈도우의 측면을 고정하는 윈도우 전극을 포함하되,상기 윈도우 전극은 접지되는 엑스선 튜브
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제 1 항에 있어서,상기 집속 전극은 복수 개로 제공되고,상기 집속 전극들은 각각 상기 에미터를 노출시키는 개구들을 갖는 엑스선 튜브
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3
제 2 항에 있어서,상기 집속 전극들 및 상기 게이트 전극은 측면에 제공되는 돌출부들을 각각 포함하되,상기 돌출부들은 상기 개구들을 둘러싸고,상기 돌출부들의 두께는 각각 상기 집속 전극들 및 상기 게이트 전극의 두께보다 작은 엑스선 튜브
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제 1 항에 있어서,상기 캐소드 전극은 상기 제1 축과 수직한 평면 형태의 제1 부분 및 상기 제1 부분으로부터 상기 제1 축과 나란한 방향으로 돌출된 제2 부분을 포함하는 엑스선 튜브
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제 4 항에 있어서,상기 에미터는 상기 캐소드 전극의 상기 제2 부분의 상면 상에 제공되는 엑스선 튜브
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6
제 4 항에 있어서,상기 캐소드 전극의 상기 제1 부분과 연결되는 제어 회로부를 더 포함하되,상기 제어 회로부는 신호가 인가되는 적어도 하나 이상의 트랜지스터를 포함하는 엑스선 튜브
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7
제 1 항에 있어서,상기 아노드 전극은:상기 제1 축과 수직한 평면 형태의 제1 부분;상기 관통홀을 둘러싸는 중공형 기둥 형태의 제2 부분; 및상기 제2 부분의 상면의 일부분 상에 제공되는 제3 부분을 더 포함하되,상기 제1 부분의 중심부에 상기 관통홀의 하부 개구가 제공되고,상기 제2 부분의 중심부에 상기 관통홀의 상부 개구가 제공되고,상기 제2 부분의 상면은 상기 제1 부분의 상면에 대하여 기울기를 갖고,상기 제3 부분의 측면부에 상기 타겟층이 제공되는 엑스선 튜브
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8
제 7 항에 있어서,상기 타겟층의 타겟면은 상기 제3 부분의 측면부와 나란하고,상기 타겟면은 상기 제1 축에 대하여 기울기를 갖는 엑스선 튜브
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9
제 1 항에 있어서,상기 타겟층은 텅스텐(W) 및 몰리브덴(Mo) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 엑스선 튜브
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10
제 1 항에 있어서,상기 윈도우 전극은:상기 제1 축과 수직한 평면 형태의 제1 부분;상기 제1 부분과 상기 챔버의 상면 사이의 제2 부분; 및상기 제2 부분으로부터 상기 제1 축과 나란한 방향으로 연장되는 제3 부분을 포함하되,상기 제1 부분은 상기 윈도우를 둘러싸고,상기 제3 부분은 상기 챔버의 측면과 이격되는 엑스선 튜브
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11
제 10 항에 있어서,상기 윈도우의 두께는 상기 제1 부분의 두께보다 작고,상기 제3 부분이 상기 제1 축과 나란한 방향으로 연장되는 길이는 상기 제2 부분이 상기 제1 축과 나란한 방향으로 연장되는 길이보다 큰 엑스선 튜브
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12
제 1 항에 있어서,상기 윈도우는 베릴륨(Be), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 몰리브덴(Mo) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 엑스선 튜브
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13
제 1 항에 있어서,상기 챔버는 산화 알루미늄(Al2O3)을 포함하는 엑스선 튜브
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14
중공 기둥 형태의 챔버;상기 챔버의 하면 상의 캐소드 전극;상기 캐소드 전극 상에 제공되며, 상기 캐소드 전극의 상면에 수직한 방향으로 전자빔을 방출하는 에미터;상기 전자빔이 통과하는 제1 개구를 갖는 게이트 전극;상기 전자빔이 통과하는 제2 개구를 갖는 제1 집속 전극;상기 전자빔이 통과하는 제3 개구를 갖는 제2 집속 전극;상기 전자빔이 통과하는 관통홀 및 상기 전자빔이 충돌하여 엑스선이 방사되는 타겟층을 포함하는 아노드 전극;상기 엑스선이 상기 챔버의 외부로 방출되는 윈도우; 및상기 윈도우의 측면을 고정하는 윈도우 전극을 포함하되,상기 제2 개구의 제2 폭은 상기 제3 개구의 제3 폭보다 큰 엑스선 튜브
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15
제 14 항에 있어서,상기 캐소드 전극의 상면에 수직한 상기 전자빔의 경로 상에 상기 제1 내지 제3 개구들의 중심들, 상기 관통홀의 중심축 및 상기 타겟층의 중심이 정렬되는 엑스선 튜브
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16
제 14 항에 있어서,상기 아노드 전극은 상기 챔버의 측면에 고정되고,상기 아노드 전극의 일부분의 측면부에 상기 타겟층이 제공되되,상기 타겟층의 타겟면은 상기 캐소드 전극의 상면에 수직한 상기 전자빔의 경로에 대하여 기울기를 갖는 엑스선 튜브
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17
제 14 항에 있어서,상기 윈도우는 상기 타겟층과 이격되고,상기 윈도우의 수직 방향 두께는 상기 윈도우 전극의 수직 방향 두께보다 작고,상기 윈도우 전극은 접지되는 엑스선 튜브
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18
제 14 항에 있어서,상기 윈도우 전극은 상기 챔버의 상면을 덮고,상기 윈도우 전극은 상기 챔버의 내부에서 상기 캐소드 전극을 향하는 방향으로 연장되는 일부분을 포함하되,상기 일부분은 상기 챔버의 측면과 이격되고,상기 일부분의 하면은 상기 챔버의 상면보다 낮은 레벨에 위치하는 엑스선 튜브
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19
제 14 항에 있어서,상기 게이트 전극, 상기 제1 집속 전극 및 상기 제2 집속 전극은 각각 상기 제1 내지 제3 개구들을 둘러싸는 제1 내지 제3 돌출부들을 포함하고,상기 게이트 전극, 상기 제1 집속 전극 및 상기 제2 집속 전극은 서로 이격되는 엑스선 튜브
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20
제 14 항에 있어서,상기 게이트 전극, 상기 제1 집속 전극, 상기 제2 집속 전극 및 상기 아노드 전극은 각각 제1 내지 제4 전압원들과 연결되고,상기 제4 전압원은 상기 제1 내지 제3 전압원들보다 고전압인 엑스선 튜브
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