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커패시터의 전극 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020009947
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 커패시터의 전극은 관통홀이 형성되도록 집전체 바깥 부분에 가스켓을 실링한 후, 전극 용액을 상기 관통홀에 토출하여 인쇄하고, 상기 집전체와 맞닿는 가스켓의 하부에 추가되어 있는 마이크로 플루이딕 채널을 이용하여 용매를 제거함으로써, 제조된다.
Int. CL H01G 11/86 (2013.01.01)
CPC H01G 11/86(2013.01) H01G 11/86(2013.01)
출원번호/일자 1020190005959 (2019.01.16)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0089191 (2020.07.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 구본진 대전광역시 유성구
2 김인규 대전광역시 유성구
3 양용석 대전광역시 유성구
4 강석훈 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2019-0056182-06
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2019.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0518238-78
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번호 청구항
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커패시터의 전극 제조 방법으로서,관통홀이 형성되도록 집전체의 바깥 부분에 가스켓을 실링하는 단계, 전극 용액을 상기 관통홀에 토출하여 인쇄하는 단계, 그리고 상기 집전체와 맞닿는 가스켓의 하부에 추가되어 있는 마이크로 플루이딕 채널을 이용하여 용매를 제거하는 단계를 포함하는 커패시터의 전극 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전자통신연구원 융합연구사업 차세대 ICT 기기용 3D 나노구조의 에너지 저장장치 개발