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전극 센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2020010039
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전극 센서 및 그 제조 방법이 제공된다. 실시예들에 따르면, 전극 센서 제조방법은 제1 영역 및 제2 영역을 갖는 기판을 준비하는 것; 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 것, 상기 제1 전극은 상기 기판의 상기 제1 영역 상면과 직접 물리적으로 접촉하고; 상기 기판 및 상기 제1 전극 상에 플라즈마 처리 공정을 수행하는 것; 상기 기판 및 상기 제1 전극을 덮는 패시베이션층을 형성하는 것; 및 상기 패시베이션층 상에 노광 공정 및 현상 공정을 수행하여, 상기 패시베이션층 내에 오프닝을 형성하는 것을 포함하되, 상기 노광 공정은 상기 기판의 상기 제2 영역의 상면 및 상기 패시베이션층 사이에 화학 결합이 형성하는 것을 포함할 수 있다.
Int. CL A61B 5/04 (2006.01.01)
CPC A61B 5/04(2013.01) A61B 5/04(2013.01)
출원번호/일자 1020190007170 (2019.01.18)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0090321 (2020.07.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용희 대전시 서구
2 정상돈 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-0067444-10
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번호 청구항
1 1
제1 영역 및 제2 영역을 갖는 기판을 준비하는 것; 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 것, 상기 제1 전극은 상기 기판의 상기 제1 영역 상면과 직접 물리적으로 접촉하고; 상기 기판 및 상기 제1 전극 상에 플라즈마 처리 공정을 수행하는 것; 상기 기판 및 상기 제1 전극을 덮는 패시베이션층을 형성하는 것; 및상기 패시베이션층 상에 노광 공정 및 현상 공정을 수행하여, 상기 패시베이션층 내에 오프닝을 형성하는 것을 포함하되, 상기 노광 공정을 수행하는 것은 상기 기판의 상기 제2 영역의 상면 및 상기 패시베이션층 사이에 화학 결합을 형성하는 것을 포함하는 전극 센서 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 플라즈마 처리 공정을 수행하는 것은 상기 기판의 상기 제2 영역의 상기 상면 상에 라디칼들을 형성하는 것을 포함하고,상기 노광 공정 동안, 상기 패시베이션층은 상기 라디칼들과 반응하는 전극 센서 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 패시베이션층은 상기 기판을 덮는 제1 부분 및 상기 제1 전극 상의 제2 부분을 포함하고, 상기 노광 공정은: 상기 패시베이션층의 상기 제2 부분의 화학 구조를 변화시키는 것; 및상기 패시베이션층의 상기 제2 부분 및 상기 기판 사이에 화학 결합을 형성하는 것을 포함하는 전극 센서 제조 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 오프닝 내에 제2 전극을 형성하는 것을 포함하되, 상기 제2 전극은 다공성 구조를 갖는 전극 센서 제조 방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 제1 전극과 동일한 금속을 포함하는 전극 센서 제조 방법
6 6
제 4항에 있어서, 상기 제2 전극을 형성하는 것은: 상기 오프닝 내에 예비 전극층을 형성하는 것, 상기 예비 전극층은 제1 금속, 제2 금속, 및 제3 금속을 포함하고; 및 상기 예비 전극층 상에 처리 용액을 가하여, 상기 예비 전극층의 상기 제3 금속을 제거하는 것을 포함하는 전극 센서 제조 방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 제2 전극을 형성하는 것은:상기 예비 전극층의 상기 제3 금속의 제거에 의해 내부 전극을 형성하는 것; 및상기 내부 전극을 덮는 외부 전극을 형성하는 것을 포함하되, 상기 외부 전극은 상기 내부 전극과 다른 물질을 포함하는 전극 센서 제조 방법
8 8
제 1항에 있어서,상기 기판을 준비하는 것은 25℃ 내지 250℃의 온도에서 상기 기판을 열처리하는 것을 더 포함하는 전극 센서 제조 방법
9 9
제 1항에 있어서,상기 제1 전극을 형성하는 것 형성 이전에, 상기 기판의 상기 제1 영역을 플라즈마 처리하는 것을 더 포함하는 전극 센서 제조 방법
10 10
제 1항에 있어서,상기 기판은 불소계 폴리머를 포함하고, 상기 패시베이션층은 감광성 폴리머를 포함하는 전극 센서 제조 방법
11 11
제1 영역 및 제2 영역을 갖는 기판; 상기 기판의 상기 제1 영역 상에 배치된 제1 전극; 및 상기 기판의 상기 제2 영역을 덮는 패시베이션층을 포함하되, 상기 패시베이션층은 상기 기판의 상기 제2 영역의 상면과 화학적으로 결합하고, 상기 제1 전극은 상기 기판의 상기 제1 영역의 상면과 직접 물리적으로 접촉하는 전극 센서
12 12
제 11항에 있어서,상기 패시베이션층은 상기 제1 전극의 엣지 영역의 상면을 더 덮고, 상기 제1 전극은 단일층인 전극 센서
13 13
제 12항에 있어서,상기 제1 전극은 금을 포함하고,상기 기판 및 상기 제1 전극 사이에 접착층이 제공되지 않는 전극 센서
14 14
제 11항에 있어서,상기 패시베이션층은 상기 제1 전극을 노출시키는 오프닝을 가지는 전극 센서
15 15
제 14항에 있어서,상기 오프닝 내에 제공되고, 상기 제1 전극과 접속하는 제2 전극을 더 포함하되, 상기 제2 전극은 다공성 구조를 가지는 전극 센서
16 16
제 15항에 있어서, 상기 제2 전극은 제1 전극과 동일한 금속을 포함하는 전극 센서
17 17
제 15항에 있어서, 상기 제2 전극은 내부 전극 및 외부 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 제1 금속을 포함하고, 상기 내부 전극은 상기 제1 금속 및 상기 제1 금속과 다른 제2 금속을 포함하고, 상기 외부 전극은 상기 내부 전극을 덮으며, 제3 금속을 포함하되, 상기 제3 금속은 상기 제1 금속 및 상기 제2 금속과 다른 전극 센서
18 18
제 11항에 있어서,상기 기판은 불소계 폴리머를 포함하고, 상기 패시베이션층은 감광성 폴리머를 포함하는 전극 센서
지정국 정보가 없습니다
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