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기판 상에 전이금속 칼코겐 화합물을 적층하는 단계;상기 전이금속 칼코겐 화합물 상에 보호층을 적층하는 단계;상기 보호층 상에 블록공중합체를 적층하는 단계;상기 블록공중합체는 자기조립(self-assembly) 되어 원형 나노넷 구조의 패턴을 형성하는 단계;상기 패턴화된 블록공중합체를 마스크로 이용하여 상기 보호층을 식각하는 단계;상기 식각된 보호층을 마스크로 이용하여 상기 전이금속 칼코겐 화합물을 식각하는 단계; 및상기 식각된 전이금속 칼코겐 화합물은 전이금속 에천트에 의해 육각형 나노넷 구조의 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는, 나노넷 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속 에천트는 염산, 인산, 황산, 질산 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 강산을 포함하는 것인, 나노넷 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 블록공중합체는 열처리 또는 광처리에 의해 자기조립 되는 것인, 나노넷 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 블록공중합체가 원형 나노넷 구조의 패턴을 형성하는 단계 이후 상기 원형 나노넷 구조의 크기를 조절하는 단계를 추가 포함하는, 나노넷 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐 화합물은 MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, WTe2, SnS2, SnSe2, SnTe2, ReS2, ReSe2, ReTe2, TaS2, TaSe2, TaTe2, TiS2, TiSe2, TiTe2, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 나노넷 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐 화합물은 단층 또는 다층인 것인, 나노넷 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 원형 나노넷 구조는 1 nm 내지 500 nm 의 지름을 가지는 것인, 나노넷 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 육각형 나노넷 구조는 1 nm 내지 500 nm 의 지름을 가지는 것인, 나노넷 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 블록공중합체는 PS-b-PMMA, PS-r-PMMA, PS-b-PBMA, PS-b-P2VP, PS-b-P4VP, PS-b-PB, PEO-b-PIP, PB-b-PEO 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인, 나노넷 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 블록공중합체는 PS-r-PMMA 를 먼저 형성하고, 상기 PS-r-PMMA 상에 PS-b-PMMA 를 형성하는 것인, 나노넷 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 보호층은 SiO2, Al2O3, ZrO2, Si3N4, SiC, AlN, Fe2O3, ZnO, BN 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 세라믹을 포함하는 것인, 나노넷 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 보호층은 친수성 작용기가 있는 세라믹을 이용하여 상기 전이금속 칼코겐 화합물 상에 상기 블록공중합체를 적층할 수 있도록 유도하는 것인, 나노넷 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 식각은 반응성 이온 에칭(Reactive Ion Etching, RIE), 반응성 플라스마 에칭(Reactive Plasma Etching, RPE), 스퍼터 에칭(Sputter Etching), 증기상 에칭(Vapor Phase Etching), 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 방법에 의해 수행되는 것인, 나노넷 전이금속 칼코겐 화합물 박막의 제조 방법
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기판 상에 형성된 하부 게이트 전극층;상기 하부 게이트 전극층 상에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 상에 형성된 채널층; 및상기 채널층 양쪽에 각각 형성된 소스 전극층 및 드레인 전극층;을 포함하고,상기 채널층은 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된 나노넷 전이금속 칼코겐 화합물 박막을 포함하는 것인, 포토트랜지스터
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제 14 항에 있어서,상기 하부 게이트 전극층은 Si, Au, Ti, Al, Pb, Ag, Hf, Ta, Cu, Sn, Pd, IZO(Indium Zinc Oxide), ITO(Indium Tin Oxide) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 포토트랜지스터
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제 14 항에 있어서,상기 소스 전극층은 Au, Ti, Al, Pb, Ag, Hf, Ta, Cu, Sn, Pd, IZO(Indium Zinc Oxide), ITO(Indium Tin Oxide) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 포토트랜지스터
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제 14 항에 있어서,상기 드레인 전극층은 Au, Ti, Al, Pb, Ag, Hf, Ta, Cu, Sn, Pd, IZO(Indium Zinc Oxide), ITO(Indium Tin Oxide) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 포토트랜지스터
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제 14 항에 있어서,상기 게이트 절연층은 SiO2, Al2O3, ZrO2, Si3N4, SiC, AlN, Fe2O3, ZnO, BN 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인, 포토트랜지스터
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