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QDLED(Quantum Dot Light Emitting Diode)용 정공 수송층 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020010241
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 경우, Filter Cathode Vacuum Arc(FCVA) 공정에 의해 성막되는 tetrahedral amorphous-Carbon(ta-C)를 개시하고, 이는 수소를 포함하지 않는 비정질(amorphous) 탄소계 경질 박막이며, 높은 경도로 인해 하드 코팅에만 사용되는 ta-C 박막을 Quantum Dot Light Emitting Diode(QDLED)의 정공 수송층으로 적용한 것이다.
Int. CL H01L 33/06 (2010.01.01) H01L 33/14 (2010.01.01) H01L 33/42 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020190034945 (2019.03.27)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2141033-0000 (2020.07.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20200804) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.03.27)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김한기 경기도 수원시 장안구
2 석해준 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2019-0313331-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.01.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0046214-28
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0270691-58
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2020-0616485-28
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.06.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0616486-74
7 등록결정서
Decision to grant		 2020.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0503740-07
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 투명 전극을 형성하는 단계; 및상기 투명 전극 상에 정공 수송층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 정공 수송층은 ta-C(tetrahedral amorphous-Carbon)이며,상기 정공 수송층은 FCVA(Filter Cathode Vacuum Arc) 공정에 의해 성막되고,상기 FCVA 공정은 진공에서 아르곤 가스 분위기 하에서 진행되며,상기 정공 수송층의 두께는 5 내지 20nm인,QDLED(Quantum Dot Light Emitting Diode)용 정공 수송층의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기판 상에 투명 전극을 형성하는 단계는,마그네트론 스퍼터링 방법을 이용해 ITO 투명 전극을 형성하는 단계를 포함하는,QDLED용 정공 수송층의 제조 방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 정공 수송층의 두께는 10 내지 15nm인,QDLED용 정공 수송층의 제조 방법
7 7
제 1 항의 방법에 따라 제조된,QDLED용 정공 수송층
8 8
제 7 항에 있어서,상기 정공 수송층의 두께는 10 내지 15nm인,QDLED용 정공 수송층
9 9
제 7 항에 있어서,상기 정공 수송층의 투과도는 80% 이상인,QDLED용 정공 수송층
10 10
제 1 항의 방법에 따라 제조된 QDLED용 정공 수송층을 포함하는, QDLED
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 성균관대학교 산학협력단 중견연구 인체 혈관 모사형 유무기 하이브리드 투명 스트레처블 전극 개발