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기판:상기 기판 상에 이격 배치된, 상부 전극;상기 상부 전극의 테두리부를 고정 지지하며 상기 기판과 상기 상부 전극의 테두리부 사이에 갭을 한정하도록 상기 기판과 상기 상부 전극의 테두리부 사이에 결합된 절연성 서포팅부; 및상기 갭 내의 상기 기판 및 상기 상부 전극에 양단이 고정되도록 결합되며, 상기 상부 전극에 전원이 인가되면 상기 상부 전극이 적어도 상하로 이동되도록 길이 방향으로 압축 및 인장이 가능한 복수의 나노 포스트들;을 포함하는, 정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 나노 포스트들은 상기 기판과 결합력을 높이도록 상기 기판과 접하는 하부에 몸통부보다 단면적이 넓은 하부 보강부를 각각 포함하는,정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 나노 포스트들은 상기 상부 전극과 결합력을 높이도록 상기 상부 전극과 접하는 상부에 몸통부보다 단면적이 넓은 상부 보강부를 각각 포함하는,정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 나노 포스트들은,상기 기판 및 상기 상부 전극 사이에서 길이 방향으로 신장하는 나노 크기의 몸통부;상기 상부 전극과 결합력을 높이도록 상기 상부 전극과 접하는 상부에 상기 몸통부보다 단면적이 넓은 상부 보강부; 및상기 기판과 결합력을 높이도록 상기 기판과 접하는 하부에 상기 몸통부보다 단면적이 넓은 하부 보강부를 각각 포함하는,정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서
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제 4 항에 있어서,상기 상부 보강부는 상기 몸통부에서 상기 상부 전극 방향으로 갈수록 그 단면적이 점차 커지고,상기 하부 보강부는 상기 몸통부에서 상기 기판 방향으로 갈수록 그 단면적이 점차 커지는,정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 나노 포스트들은 그 인장율과 압축율의 비를 조절하도록 서로 다른 재질의 복수의 단결정 물질들의 다층 구조를 각각 포함하는,정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서
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제 6 항에 있어서,상기 복수의 단결정 물질들은 전기적인 신호를 받으면 진동이 가능한 압전 물질을 적어도 포함하는,정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 나노 포스트들은 복수의 직경 크기를 갖고, 상기 상부 전극을 기준으로 중심부에 배치된 적어도 하나의 제 1 나노 포스트의 직경 크기가 테두리부에 배치된 적어도 하나의 제 2 나노 포스트의 직경 크기보다 큰,정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 나노 포스트들의 밀도는 상기 상부 전극을 기준으로 중심부의 밀도가 테두리부의 밀도보다 큰,정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서
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제 1 항에 있어서,상기 기판 상에, 상기 상부 전극과 이격되고 상기 복수의 나노 포스트들의 하부를 이격되게 둘러싸는 돌출부를 더 포함하고,상기 기판은 도전성 물질로 형성되어 하부 전극으로 기능하고, 상기 돌출부 및 상기 복수의 나노 포스트들은 상기 기판을 식각하여 형성된, 정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서
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제 1 항에 있어서,상기 갭 내의 상기 기판 상에 상기 상부 전극과 이격되고 상기 복수의 나노 포스트들의 적어도 하부를 이격되게 둘러싸는 하부 플레이트부를 더 포함하고,상기 기판은 절연성 물질로 형성되고, 상기 하부 플레이트부는 도전성 물질로 형성되어 하부 전극으로 기능하는,정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서
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제 11 항에 있어서,상기 상부 전극은 상기 서포팅부 및 상기 복수의 나노 포스트들과 결합된 나노 플레이트부를 포함하고,상기 나노 플레이트부 상의 상판 보강부를 더 포함하는, 정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서
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제 12 항에 있어서,상기 상판 보강부는 상기 복수의 나노 포스트들과 엇갈리게 배치된 복수의 홈들 또는 복수의 홀들을 포함하고,상기 나노 플레이트부 및 상기 제 2 기판 사이에 전원이 인가되면, 상기 나노 플레이트부는 전체적으로 상기 복수의 나노 포스트부들에 의해서 제 1 주파수로 동작하고, 상기 복수의 홈들 또는 상기 복수의 홀들 하부의 상기 나노 플레이트부의 일부는 제 2 주파수로 동작하는, 정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서
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제 13 항에 있어서,상기 제 1 주파수와 상기 제 2 주파수는 서로 다른,정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 반도체 웨이퍼 및 상기 반도체 웨이퍼에 형성된 집적회로를 포함하고,상기 복수의 나노 포스트들은 상기 기판 상에 모노리식하게 반도체 공정을 이용하여 형성된,정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서
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절연성 제 1 기판:상기 제 1 기판 상에 배치되고 복수의 관통홀들을 포함하며 하부 전극으로 기능하는 도전성 제 2 기판;상기 제 2 기판 상에 이격 배치된 상부 전극;상기 제 1 기판과 상기 상부 전극 사이에 갭을 한정하도록 상기 제 1 기판 상에서 상기 제 2 기판 위로 신장되어 상기 상부 전극의 테두리부를 고정 지지하는, 절연성 서포팅부; 및상기 갭 내에서 상기 복수의 관통홀들을 관통하여 상기 제 1 기판 및 상기 상부 전극에 양단이 고정되도록 결합되며, 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극 사이에 전원이 인가되면 상기 상부 전극이 적어도 상하로 이동되도록 길이 방향으로 인장 및 압축이 가능한 복수의 나노 포스트들;를 포함하는,정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서
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제 16 항에 있어서,상기 상부 전극은 나노 플레이트부를 포함하고,상기 나노 플레이트부 상의 상판 보강부를 더 포함하는, 정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서
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제 17 항에 있어서,상기 상판 보강부는 상기 복수의 나노 포스트들과 엇갈리게 배치된 복수의 홈들 또는 복수의 홀들을 포함하고,상기 나노 플레이트부 및 상기 제 2 기판 사이에 전원이 인가되면, 상기 나노 플레이트부는 전체적으로 상기 복수의 나노 포스트부들에 의해서 제 1 주파수로 동작하고, 상기 복수의 홈들 또는 상기 복수의 홀들 하부의 상기 나노 플레이트부의 일부는 상기 제 1 주파수와 다른 제 2 주파수로 동작하는, 정전용량형 미세가공 초음파 트랜스듀서
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