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펄스 레이저에서 출력된 제1 광 펄스열을 제1 경로를 통해 입력받고, 상기 제1 광 펄스열을 광전 변환하여 전기 펄스열을 출력하는 전기 펄스 생성기, 그리고상기 전기 펄스열을 입력받고, 상기 펄스 레이저에서 출력된 제2 광 펄스열을 제2 경로를 통해 입력받고, 상기 전기 펄스열의 상승 에지(Riging edge)에서의 전광 샘플링을 통해 상기 전기 펄스열과 상기 제2 광 펄스열의 위상 오차에 해당하는 전기 신호를 출력하는 광 위상 검출기를 포함하는 센싱 시스템
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제1항에서,상기 펄스 레이저에서 출력된 광 펄스열이 상기 제1 광 펄스열과 상기 제2 광 펄스열로 분배되어 상기 제1 경로와 상기 제2 경로로 전송되고,상기 제2 광 펄스열은 상기 제2 경로를 지나면서 상기 위상 오차에 해당하는 비행 시간 변화가 발생하는, 센싱 시스템
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제1항에서,상기 전기 펄스 생성기는 적어도 하나의 광전 소자를 포함하는, 센싱 시스템
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제3항에서,상기 광전 소자는 PIN 광다이오드 또는 UTC(uni-travelling-carrier) 광다이오드를 포함하는, 센싱 시스템
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제1항에서,상기 광 위상 검출기는광 루프 기반 광-마이크로파 위상 검출기(fiber loop-based optical-microwave phase detector, FLOM-PD), 3x3 커플러 기반 위상 검출기, 또는 균형 광-마이크로파 위상 검출기(Balanced optical-microwave phase detector, BOM-PD)로 구현되는, 센싱 시스템
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펄스 레이저에서 출력된 제1 광 펄스열을 제1 경로를 통해 입력받고, 상기 제1 광 펄스열을 광전 변환하여 전기 펄스열을 생성하고, 상기 전기 펄스열로부터 추출된 특정 주파수의 마이크로파를 출력하는 정현파 생성기, 그리고상기 마이크로파를 입력받고, 상기 펄스 레이저에서 출력된 제2 광 펄스열을 제2 경로를 통해 입력받고, 전광 샘플링을 통해 상기 마이크로파와 상기 제2 광 펄스열의 위상 오차에 해당하는 전기 신호를 출력하는 광 위상 검출기를 포함하는 센싱 시스템
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제7항에서,상기 정현파 생성기는 상기 제1 광 펄스열을 광전 변환하는 적어도 하나의 광전 소자, 그리고상기 광전 소자에서 출력된 상기 전기 펄스열로부터 특정 주파수의 마이크로파를 추출하는 대역 통과 필터를 포함하는, 센싱 시스템
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제8항에서,상기 광전 소자는 PIN 광다이오드 또는 UTC(uni-travelling-carrier) 광다이오드를 포함하는, 센싱 시스템
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제8항에서,상기 특정 주파수는 상기 펄스 레이저의 반복률의 정수 배인, 센싱 시스템
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제7항에서,상기 광 위상 검출기는상기 마이크로파의 영점 교차점과 상기 제2 광 펄스열의 위상 오차에 해당하는 상기 전기 신호를 검출하는, 센싱 시스템
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제7항에서,상기 광 위상 검출기는광 루프 기반 광-마이크로파 위상 검출기(fiber loop-based optical-microwave phase detector, FLOM-PD), 3x3 커플러 기반 위상 검출기, 또는 균형 광-마이크로파 위상 검출기(Balanced optical-microwave phase detector, BOM-PD)로 구현되는, 센싱 시스템
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광 펄스열을 출력하는 펄스 레이저,상기 광 펄스열에서 분배된 제1 광 펄스열을 제1 경로를 통해 입력받고, 상기 제1 광 펄스열을 광전 변환하여 전기 펄스열을 생성하며, 상기 전기 펄스열 또는 상기 전기 펄스열로부터 추출된 특정 주파수의 마이크로파를 기준 신호로 출력하는 기준 신호 생성기, 그리고상기 기준 신호를 입력받고, 상기 광 펄스열에서 분배된 제2 광 펄스열을 제2 경로를 통해 입력받고, 전광 샘플링을 통해 상기 기준 신호와 상기 제2 광 펄스열의 위상 오차에 해당하는 전기 신호를 출력하는 광 위상 검출기를 포함하며,상기 전기 신호는, 상기 제2 경로에서 상기 제2 광 펄스열의 비행 시간 변화를 유발하는 센서의 측정 물리량으로 환산되는, 센싱 시스템
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