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V2AlC로부터 V2C 멕신 제조단계, 상기 V2C 멕신 및 트리페닐포스핀의 혼합물을 열처리하는 단계 및 상기 열처리된 생성물을 산처리하는 단계를 포함하는 인이 도핑된 이차원 구조의 바나듐 탄화물의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 열처리하는 단계는 300℃ 내지 800℃에서 실시되는 것인 인이 도핑된 이차원 구조의 바나듐 탄화물의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 열처리하는 단계는 열처리 온도범위까지 2℃/분 내지 20℃/분의 승온속도로 승온하는 것을 포함하는 인이 도핑된 이차원 구조의 바나듐 탄화물의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 혼합물은 V2C 멕신 100중량부에 대하여 트리페닐포스핀을 1 내지 100중량부 포함하는 인이 도핑된 이차원 구조의 바나듐 탄화물의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 V2C 멕신 제조단계는 불소 원자를 함유하는 강산으로 Al을 제거한 다음 환원제를 이용하여 환원시키는 것을 포함하는 인이 도핑된 이차원 구조의 바나듐 탄화물의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 환원제는 알칼리금속과 아민 또는 암모니아를 포함하는 인이 도핑된 이차원 구조의 바나듐 탄화물의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산처리 단계는 염산, 황산, 질산, 인산 및 염화설폰산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상을 이용하여 실시되는 것인 인이 도핑된 이차원 구조의 바나듐 탄화물의 제조방법
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2차원 층상 구조를 가지고 인(P)이 3 내지 15 at
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제8항에 있어서,상기 인이 도핑된 이차원 구조의 바나듐 탄화물은 XRD 분석에 따른 0002 peak(c-LP)가 18 Å 내지 22 Å인 촉매전극
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제8항에 있어서,상기 촉매전극은 수소생성 전극용인 촉매전극
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