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고온 유전물성 평가 측정 시스템은, 시편을 가열하는 가열부;시편 지지부재를 구비한 시편부;마이크로 전자파를 송수신하는 전자파 안테나 및 전자파 투과형 단열재로 구성되어 있는 전자파 검출 안테나부;상기 전자파 검출 안테나부로부터 검출된 주파수를 이용하여 고온 유전물성을 연산하는 제어유닛부; 및지지판에 부착 고정되어 상기 시편부를 통과한 전자파를 흡수하는 전자파 흡수부;를 포함하고,상기 제어유닛부는 상기 시편에서 마이크로 전자파로 인해 발생하는 Mie 공진 주파수(Mie resonance frequency)를 이용하여 유전율을 연산하는 고온 유전율 측정 시스템
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제1항에 있어서,상기 시편은 제1표면 및 제2 표면으로 구성되고,상기 전자파 검출 안테나부에서 상기 시편에 조사된 전자파는 상기 제1표면에서 반사되고, 상기 제2표면을 통과한 전자파는 상기 전자파 흡수부에서 흡수되는 고온 유전율 측정 시스템
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제2항에 있어서,상기 시편은 상기 제1표면 및 상기 제2표면은 서로 평행하게 배치되는 고온 유전율 측정 시스템
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제1항에 있어서,상기 유전율은 반사 스펙트럼에서 측정된 피크 주파수와 데이터베이스로부터 얻은 데이터를 비교하여 산출하는 것을 특징으로 하는 고온 유전율 측정 시스템
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제1항에 있어서,상기 가열부는 프로판 토치를 포함하는 고온 유전율 측정 시스템
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제5항에 있어서,상기 프로판 토치는 상기 시편의 온도 구배가 발생하지 않도록 상기 시편보다 충분히 큰 크기로 가열하는 것을 특징으로 하는 고온 유전율 측정 시스템
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제6항에 있어서,상기 시편은 온도 구배가 발생하지 않고 2000℃까지 가열되는 것을 특징으로 하는 고온 유전율 측정 시스템
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제1항에 있어서,상기 시편에서 반사되는 반사 주파수의 피크의 세기 정보를 단일의 상기 전자파 안테나로 측정하여 유전율을 산출하는 것을 특징으로 하는 고온 유전율 측정 시스템
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제1항에 있어서,상기 시편의 크기에 따른 유전율의 범위와 마이크로파 주파수 대역에 대한 전산모사를 통해 상기 시편의 유전 물성과 반사파의 최고점이 나타나는 피크 주파수 사이 상관관계를 얻어 유전율을 산출하는 것을 특징으로 하는 고온 유전율 측정 시스템
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Mie 공진을 이용한 재료의 고온 유전율 측정 방법은,토치를 지지판에 부착된 전자파 흡수재와 지지부재 사이에 배치하는 단계;시편을 상기 지지부재에 고정하는 단계;상기 시편을 토치로 가열하는 단계;상기 시편을 토치로 가열시 전자파 안테나에 직접 영향을 미치는 것을 방지하도록 전자파 투과형 단열재로 보호하는 단계;상기 전자파 안테나가 상기 시편에서 전자파 조사 및 수신하는 전자파 송수신 단계; 및상기 시편에서 발생되는 Mie 공진 주파수를 이용하여 시편의 유전율을 연산하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 유전율 측정 방법
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