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금속염 액적을 준비하는 단계; 상기 금속염 액적과 분석 시료 가스를 접촉시키고 가스를 포집하는 단계; 및라만 신호를 측정하여 기체상 화학작용제를 탐지 및 식별하는 단계;를 포함하는, 기체상 화학작용제의 탐지 및 식별 방법
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제1항에 있어서,상기 금속염 액적을 준비하는 단계 및 분석 시료 가스를 접촉시키고 가스를 포집하는 단계는, DRH (Deliquescence relative humidity), ERH (Equilibrium Relative Humidity) 또는 이 둘 이상으로 상대습도를 유지하고, 상기 금속염 액적은, 액체상의 방울로 유지되는 것인, 기체상 화학작용제의 탐지 및 식별 방법
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제1항에 있어서,상기 금속염 액적을 준비하는 단계는, DRH (Deliquescence relative humidity), ERH (Equilibrium Relative Humidity) 또는 이 둘 이상의 상대습도에서 금속염 결정을 액체상의 금속염 액적으로 전환시키는 단계;를 포함하는 것인, 기체상 화학작용제의 탐지 및 식별 방법
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제1항에 있어서,상기 금속염은, 알카리 금속, 알카리 토금속 및 전이금속으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 것인, 기체상 화학작용제의 탐지 및 식별 방법
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제1항에 있어서,상기 금속염은, 할로겐화물염, 수산화염(hydroxide), 벤조산염(benzoate), 아세트산염(acetate), 크로메이트염(chromate), 황산염(sulphate), 질산염(nitrate), 차아염소산염(hypochlorite), 아염소산염(chlorite), 염소산염(chlorate), 과염소산염(perchlorate), 수산화염(hydroxide), 인산염(phosphate), 및 탄산염(carbonate)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것인, 기체상 화학작용제의 탐지 및 식별 방법
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제1항에 있어서,상기 금속염 액적을 기재 상에 위치시키는 단계;를 더 포함하고,상기 기재는, 유리 기판, 폴리머 기판, 실리콘 기판, 실리콘카바이드(SiC) 기판, 사파이어 기판, 웨이퍼 및 반도체 기판 중 적어도 하나를 포함하는 것인, 기체상 화학작용제의 탐지 및 식별 방법
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제1항에 있어서,상기 라만 신호를 측정하여 기체상 화학작용제를 탐지 및 식별하는 단계는, 상기 금속염 액적에 포집된 가스의 라만 지문을 분석하여 기체상 화학작용제를 탐지 및 식별하는 것인, 기체상 화학작용제의 탐지 및 식별 방법
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제1항에 있어서,상기 기체상 화학작용제는, 사린(Sarin), VX(O-ethyl-S-[2(diisopropylamino)ethyl] methylphosphonothiolate), 타분, 소만(Soman), 포스겐, PFIB(perfluoroisobutylene), 겨자, 루이사이트, DMMP (Dimethyl methylphosphonate), TEP (Triethyl phosphate), 및 DCP (Diethyl chlorophosphite)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것인,기체상 화학작용제의 탐지 및 식별을 위한 센서
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기체상 화학작용제를 포집하는 금속염 액적을 포함하는 포집부; 를 포함하는, 기체상 화학작용제의 탐지 및 식별을 위한 센서
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제9항에 있어서,상기 포집된 기체상 화학작용제를 탐지 및 식별하기 위한 라만 분석부;를 더 포함하는 것인,기체상 화학작용제의 탐지 및 식별을 위한 센서
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제10항에 있어서,상기 포집부는, DRH (Deliquescence relative humidity), ERH (Equilibrium Relative Humidity) 또는 이 둘 이상의 상대습도를 유지하고, 상기 금속염 액적은, 액체상의 액적으로 유지되는 것인, 기체상 화학작용제의 탐지 및 식별을 위한 센서
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제10항에 있어서,상기 센서는, 휴대 또는 실시간 탐지 및 식별 기능을 갖는 것인,기체상 화학작용제의 탐지 및 식별을 위한 센서
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제10항에 있어서,상기 센서는, 1 ppm 이상의 농도의 기체상 화학작용제를 탐지 및 식별하는 것인, 기체상 화학작용제의 탐지 및 식별을 위한 센서
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