| 1 |
1
제1물질층에 제2물질층이 적층되어 형성된 이중층으로부터 최대 전하이동 착물의 형성효율을 전기적 특성으로 산출하여 호스트 물질과 도펀트의 최적 조합을 결정하는 방법으로,상기 이중층은 호스트 물질을 포함하는 제1물질층 및 도펀트를 포함하는 제2물질층으로 이루어진 것이거나, 또는 도펀트를 포함하는 제1물질층 및 호스트 물질을 포함하는 제2물질층으로 이루어진 것일 수 있으며,상기 전하이동 착물의 형성효율의 전기적 특성은 상기 제1물질층의 전기전도도와 상기 제1물질층에 제2물질층이 적층되어 형성된 이중층의 전기전도도로부터 산출되며,상기 제1물질층의 전기전도도 대비 상기 이중층의 전기전도도가 더 많이 증가된 제2물질을 최적의 호스트 또는 도펀트로 결정하는 것을 특징으로 하는, 호스트 물질과 도펀트의 최적 조합을 결정하는 방법
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 최대 전하이동 착물의 형성효율은 상기 제1물질층 및 제2물질층의 두께를 변화시켜 전기전도도를 산출하는 것을 특징으로 하는 호스트 물질과 도펀트의 최적 조합을 결정하는 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 제1물질층의 전기전도도는 복수의 채널을 포함하고, 상기 복수의 채널은 각각 적어도 2이상의 전극을 구비하는 단계(s10);상기 2이상의 전극 사이에 제1물질층을 형성하는 단계(s20);상기 복수의 채널에 전압을 인가하여 전류 및 전압을 측정하는 단계(s30);상기 복수의 채널로부터 측정된 전류 및 전압으로부터 제1물질층의 전기전도도를 획득하는 단계(s40);를 포함하는 것을 특징으로 하는 호스트 물질과 도펀트의 최적 조합을 결정하는 방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 이중층이 형성된 전기전도도는 상기 제1물질층에 제2물질층을 적층하여 이중층을 형성하는 단계(s50);상기 이중층이 형성된 복수의 채널에 전압을 인가하여 전류 및 전압을 측정하는 단계(s60);상기 이중층이 형성된 복수의 채널로부터 측정된 전류 및 전압으로부터 이중층이 형성된 전기전도도를 획득하는 단계(s70);를 포함하는 것을 특징으로 하는 호스트 물질과 도펀트의 최적 조합을 결정하는 방법
|
| 6 |
6
제4항에 있어서,상기 제1물질층 및 이중층을 형성시킨 전기전도도는 TLM(Trnasmission line method)에 의해 획득하는 것을 특징으로 하는 호스트 물질과 도펀트의 최적 조합을 결정하는 방법
|
| 7 |
7
제3항에 있어서,상기 제1물질층과 제2물질층의 두께는 1 ~ 50 nm의 범위에서 변화시키는 것을 특징으로 하는 호스트 물질과 도펀트의 최적 조합을 결정하는 방법
|
| 8 |
8
제5항에 있어서, 상기 2이상의 전극 사이의 길이는 1 ~ 1000 ㎛인 것을 특징으로 하는 호스트 물질과 도펀트의 최적 조합을 결정하는 방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 제1물질층은 무기화합물 또는 유기 반도체 화합물인 것을 특징으로 하는 호스트 물질과 도펀트의 최적 조합을 결정하는 방법
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 제2물질층은 무기화합물 또는 유기 반도체 화합물인 것을 특징으로 하는 호스트 물질과 도펀트의 최적 조합을 결정하는 방법
|
| 11 |
11
제9항 또는 제10항에 있어서상기 유기 반도체 화합물은 TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[l,l-biphenyl]-4,4'diamine, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민), NPB(N,N'-di(l-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine, N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine, 4,4',4"-트리스 (N- 카바졸일) 트리페닐아민), Bphen(Bathophenanthroline), BCP(bathocuproine), rubrene, 헥사데카플루오로프탈로시아닌 (Hexadecafluorophthalocyanine, F16CuPc), 11,11,12,12-테트라시아노나프토-2,6-퀴노디메탄 (11,11,12,12-tetracyanonaphtho-2,6-quinodimethane, TNAP), 3,6-디플루오로-2,5,7,7,8,8-헥사시아노-퀴노디메탄 (3,6-difluoro-2,5,7,7,8,8-hexacyano-quinodimethane, F2-HCNQ), 테트라시아노퀴노디메탄(Tetracyanoquinodimethane, TCNQ) 및 몰리브덴 트리(1,2-비스(트리플루오로메틸)에탄-1,2-디티오렌(molybdenum tris[1,2-bis(trifluoromethyl)ethane-1,2-dithiolene, Mo(tfd)3] 중 1종 이상이 선택되는 것을 특징으로 하는 호스트 물질과 도펀트의 최적 조합을 결정하는 방법
|
| 12 |
12
제9항 또는 제10항에 있어서,상기 무기 도펀트 화합물은 ReO3, MoO3, CuI, V2O5, WO3, Fe3O4, MnO2, SnO2, CoO2, TiO2 중 1종 이상이 선택되는 것을 특징으로 하는 호스트 물질과 도펀트의 최적 조합을 결정하는 방법
|
| 13 |
13
제1항에 있어서,상기 제1물질층과 제2물질층은 유기전자소자의 정공수송층 또는 전자수송층의 호스트 물질인 것을 특징으로 하는 호스트 물질과 도펀트의 최적 조합을 결정하는 방법
|
| 14 |
14
제1항에 있어서,상기 제1물질층과 제2물질층은 유기전자소자의 정공수송층 또는 전자수송층 호스트 물질의 도펀트인 것을 특징으로 하는 호스트 물질과 도펀트의 최적 조합을 결정하는 방법
|
