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가스 내 특정 성분의 양을 센싱하는 가스센서 패키지에 있어서,기 설정된 파장 대역의 광을 조사하는 광원;상기 광원이 광을 조사하는 방향으로 상기 광원 내 포함된 기판 상에 각각 도포되는 전극;상기 특정 성분을 센싱하여 상기 전극 간의 저항값을 가변시키는 센싱물질; 및상기 센싱물질이 배치되고, 상기 기 설정된 파장 대역의 광을 상기 센싱물질이 위치한 방향으로 반사시키는 반사홈을 포함하되,상기 기판은 지면에서 수직 방향으로 기설정된 간격마다 돌출부를 포함하고, 상기 센싱 물질은 상기 돌출부 사이의 공간에 도포되는 방식 및 필름 형태로 상기 돌출부 상에만 도포되는 방식 중 어느 하나의 방식으로 형성됨으로써, 상기 광원으로부터 조사된 광이 상기 기판을 통과하여 상기 돌출부를 지나 상기 돌출부의 최상부 주변에서 상기 센싱 물질로 방사되는 것이고,상기 반사홈은 하부면에 형성되어 상기 센싱 물질이 상부에 도포되는 센싱물질 배치부와, 상기 광원으로부터 조사된 광을 상기 센싱 물질이 위치한 방향으로 반사시키기 위해 기설정된 기울기를 갖는 경사면 형태로 형성된 광산란부를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지
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제1항에 있어서,상기 광원은,LED 플립칩으로 구현되는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지
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제1항에 있어서,상기 광원은,자외선 파장대역의 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지
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제1항에 있어서,상기 센싱물질은,산화아연(ZnO), 산화 티타늄(TiO2), 산화주석(SnO2) 및 산화인듐(In2O3) 중 일부 또는 전부를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지
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제1항에 있어서,상기 센싱물질은,상기 광원이 조사하는 광을 수광함으로써, 상기 특정 성분을 센싱하기 위해 활성화되는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지
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기 설정된 파장 대역의 광을 조사하는 광원을 이용해 가스 내 특정 성분의 양을 센싱하는 가스센서 패키지를 제조하는 방법에 있어서,상기 광원 상에 기 설정된 형태를 갖는 반사홈을 식각하는 식각과정; 상기 광원이 광을 조사하는 방향으로 상기 광원 내 포함된 기판 상에 각각 도포하는 제1 도포과정; 및 상기 반사홈에 상기 특정 성분을 센싱하는 센싱물질을 도포하는 제2 도포과정을 포함하되,상기 기판에 지면에서 수직 방향으로 기설정된 간격마다 돌출부를 포함하는 경우에, 상기 제2 도포 과정은 상기 돌출부 사이의 공간에 상기 센싱 물질을 도포하는 과정 및 필름 형태로 상기 돌출부 상에만 상기 센싱 물질을 도포하는 과정 중 어느 하나의 과정을 선택하여 수행하는 것이고,상기 식각 과정은 상기 반사홈의 하부면에 상기 센싱 물질이 상부에 도포되는 센싱물질 배치부를 형성하고, 상기 광원으로부터 조사된 광을 상기 센싱 물질이 위치한 방향으로 반사시키기 위해 기설정된 기울기를 갖는 경사면 형태로 광산란부를 형성하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지 제조방법
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제7항에 있어서,상기 광원은,LED 플립칩으로 구현되는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지 제조방법
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제7항에 있어서,상기 광원은,자외선 파장대역의 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지 제조방법
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제7항에 있어서,상기 센싱물질은,산화아연(ZnO), 산화 티타늄(TiO2), 산화주석(SnO2) 및 산화인듐(In2O3) 중 일부 또는 전부를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지 제조방법
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제10항에 있어서,상기 센싱물질은,상기 광원이 조사하는 광을 수광함으로써, 상기 특정 성분을 센싱하기 위해 활성화되는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지 제조방법
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