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반도체 발광소자

  • 기술번호 : KST2020010511
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 개시되는 반도체 발광소자는, 제1 전극과 전기적으로 연결된 제1 n형 반도체층; 상기 제1 n형 반도체층 위에 배치되는 p형 반도체층; 상기 p형 반도체층 위에 적층되며, 전자와 정공의 재결합에 의해 설정된 파장의 광의 생성하는 활성층; 상기 제1 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 개재되며, 상기 제1 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이의 전류흐름을 형성하여 상기 p형 반도체층으로부터 상기 활성층의 전면적으로 정공의 공급을 가능하게 하는 전류확산층; 및 상기 활성층 위에 적층되며, 상기 제1 전극과 극성이 다른 제2 전극과 전기적으로 연결되는 제2 n형 반도체층;을 포함한다.
Int. CL H01L 33/14 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/42 (2010.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020200078718 (2020.06.26)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0094702 (2020.08.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2019-0000182 (2019.01.02)
관련 출원번호 1020190000182
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 광주광역시 광산구
2 백종협 대전광역시 서구
3 이상헌 광주광역시 광산구
4 정탁 대한민국 전라북도 전주시 완산구
5 오화섭 광주광역시 광산구
6 박승현 대한민국 전라남도 목포시 자

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 명장 대한민국 충청북도 청주시 서원구 산남로**번길 **, ***호(산남동, 원홍빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2020.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2020-0663854-64
2 보정요구서
Request for Amendment		 2020.07.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0098818-15
3 직권정정안내서
Notification of Ex officio Correction		 2020.07.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0098819-61
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
5 [출원서 등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2020.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2020-0701272-83
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번호 청구항
1 1
제1 전극과 전기적으로 연결된 제1 n형 반도체층;상기 제1 n형 반도체층 위에 배치되는 p형 반도체층;상기 p형 반도체층 위에 적층되며, 전자와 정공의 재결합에 의해 설정된 파장의 광의 생성하는 활성층;상기 제1 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 개재되며, 상기 제1 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이의 전류흐름을 형성하여 상기 p형 반도체층으로부터 상기 활성층의 전면적으로 정공의 공급을 가능하게 하는 전류확산층; 및상기 활성층 위에 적층되며, 상기 제1 전극과 극성이 다른 제2 전극과 전기적으로 연결되는 제2 n형 반도체층;을 포함하는 반도체 발광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.