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세라믹 유전체 및 그 제조 방법, 세라믹 전자 부품 및 전자장치

  • 기술번호 : KST2020010568
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 바륨 전구체 또는 스트론튬 전구체, 티타늄 전구체 및 도너 원소 전구체를 열처리하여 도전성 또는 반도체성 산화물을 얻는 단계, 상기 도전성 또는 반도체성 산화물과 액상의 억셉터 원소 전구체를 포함한 혼합물을 준비하는 단계, 그리고 상기 혼합물을 소결하여 세라믹 유전체를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 세라믹 유전체는 상기 도전성 또는 반도체성 산화물을 포함하는 복수의 결정립(grain)과 인접한 결정립 사이에 채워지고 상기 억셉터 원소 전구체로부터 유래한 억셉터 원소를 포함한 절연성 산화물을 포함하는 결정립계(grain boundary)를 포함하는 세라믹 유전체의 제조 방법, 이로부터 얻어진 세라믹 유전체, 세라믹 전자 부품 및 전자 장치에 관한 것이다.
Int. CL H01B 3/12 (2006.01.01) H01G 4/12 (2006.01.01) H01G 4/30 (2006.01.01) C04B 35/468 (2006.01.01) C04B 35/64 (2006.01.01)
CPC H01B 3/12(2013.01) H01B 3/12(2013.01) H01B 3/12(2013.01) H01B 3/12(2013.01) H01B 3/12(2013.01) H01B 3/12(2013.01) H01B 3/12(2013.01) H01B 3/12(2013.01) H01B 3/12(2013.01) H01B 3/12(2013.01)
출원번호/일자 1020190011402 (2019.01.29)
출원인 삼성전자주식회사, 한국세라믹기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0093986 (2020.08.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽찬 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 전명표 경기도 안양시 만안구
3 박현철 대한민국 경기도 화성
4 양대진 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-0106077-16
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번호 청구항
1 1
바륨 전구체 또는 스트론튬 전구체, 티타늄 전구체 및 도너 원소 전구체를 열처리하여 도전성 또는 반도체성 산화물을 얻는 단계,상기 도전성 또는 반도체성 산화물과 액상의 억셉터 원소 전구체를 포함한 혼합물을 준비하는 단계, 그리고상기 혼합물을 소결하여 세라믹 유전체를 형성하는 단계를 포함하고,상기 세라믹 유전체는 상기 도전성 또는 반도체성 산화물을 포함하는 복수의 결정립(grain)과 인접한 결정립 사이에 채워지고 상기 억셉터 원소 전구체로부터 유래한 억셉터 원소를 포함한 절연성 산화물을 포함하는 결정립계(grain boundary)를 포함하는 세라믹 유전체의 제조 방법
2 2
제1항에서,상기 액상의 억셉터 원소 전구체는 망간(Mn), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 철(Fe), 스칸듐(Sc), 갈륨(Ga) 또는 이들의 조합에서 선택된 억셉터 원소를 포함하는 질산염, 염화물 또는 또는 이들의 조합을 포함하는 세라믹 유전체의 제조 방법
3 3
제2항에서,상기 액상의 억셉터 원소 전구체는 상기 억셉터 원소를 포함하는 질산염, 염화물 또는 이들의 조합이 물 또는 유기 용매에 용해 또는 분산되어 있는 형태인 세라믹 유전체의 제조 방법
4 4
제1항에서,상기 혼합물을 소결하는 단계 전에 상기 혼합물에 액상의 소결 첨가제를 공급하는 단계를 더 포함하는 세라믹 유전체의 제조 방법
5 5
제4항에서,상기 액상의 소결 첨가제는 테트라메틸올쏘실리케이트, 테트라에틸올쏘실리케이트, 테트라메틸실란, 테트라에틸실란, 실리콘(Si)을 포함하는 질산염, 실리콘(Si)을 포함하는 초산염 또는 이들의 조합을 포함하는 세라믹 유전체의 제조 방법
6 6
제5항에서,상기 액상의 소결 첨가제는 테트라메틸올쏘실리케이트, 테트라에틸올쏘실리케이트, 테트라메틸실란, 테트라에틸실란, 실리콘(Si)을 포함하는 질산염, 실리콘(Si)을 포함하는 초산염 또는 이들의 조합이 물 또는 유기 용매에 용해 또는 분산되어 있는 형태인 세라믹 유전체의 제조 방법
7 7
제4항에서,상기 소결 첨가제는 상기 억셉터 원소 전구체보다 적게 공급되는 세라믹 유전체의 제조 방법
8 8
제7항에서,상기 소결 첨가제와 상기 억셉터 원소 전구체는 0
9 9
제1항에서,상기 도너 원소 전구체는 란탄(La), 이트륨(Y), 비스무트(Bi), 디스프로슘(Dy), 가돌리늄(Gd), 네오디뮴(Nd), 사마륨(Sm), 홀뮴(Ho) 또는 이들의 조합을 포함하는 세라믹 유전체의 제조 방법
10 10
제1항에서,상기 도너 원소 전구체는 상기 바륨 전구체 또는 스트론튬 전구체, 상기 티타늄 전구체 및 상기 도너 원소 전구체의 총 함량에 대하여 3몰% 이하로 포함되는 세라믹 유전체의 제조 방법
11 11
제10항에서,상기 바륨 전구체 또는 스트론튬 전구체와 상기 티타늄 전구체는 0
12 12
제1항에서,상기 억셉터 원소 전구체는 상기 혼합물에 대하여 0
13 13
제1항에서,상기 혼합물을 소결하는 단계 전에 상기 혼합물을 압축 성형하는 단계를 더 포함하는 세라믹 유전체의 제조 방법
14 14
제1항에서,상기 혼합물을 소결하는 단계 후에 소결 온도보다 낮은 온도에서 추가 열처리하는 단계를 더 포함하는 세라믹 유전체의 제조 방법
15 15
제1항에 따른 방법에 따라 얻어진 세라믹 유전체
16 16
바륨 또는 스트론튬, 티타늄 및 도너 원소를 포함하는 도전성 또는 반도체성 산화물을 포함하는 결정립, 그리고인접한 상기 반도체성 결정립 사이에 위치하고 억셉터 원소가 실질적으로 균일하게 분포하는 절연성 산화물을 포함하는 결정립계를 포함하고,상기 도너 원소는 란탄(La), 이트륨(Y), 비스무트(Bi), 디스프로슘(Dy), 가돌리늄(Gd), 네오디뮴(Nd), 사마륨(Sm), 홀뮴(Ho) 또는 이들의 조합이고,상기 억셉터 원소는 망간(Mn), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 철(Fe), 스칸듐(Sc), 갈륨(Ga) 또는 이들의 조합인세라믹 유전체
17 17
제16항에서,상기 결정립계는 실질적으로 균일하게 분포하는 실리콘 원소를 더 포함하는 세라믹 유전체
18 18
서로 마주하는 한 쌍의 전극, 그리고상기 한 쌍의 전극 사이에 위치하는 세라믹 유전체 층을 포함하고,상기 세라믹 유전체 층은 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 세라믹 유전체를 포함하는 세라믹 전자 부품
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제18항에서,상기 세라믹 전자 부품은 상기 한 쌍의 전극과 상기 세라믹 유전체 층을 포함하는 단위 커패시터가 복수 개 적층되어 있는 적층 세라믹 커패시터인 세라믹 전자 부품
20 20
제18항에 따른 세라믹 전자 부품을 포함하는 전자 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.