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스퍼터링 방법을 통해 기판 상에 박막 증착 공정을 수행하기 위한 공간을 제공하는 챔버;상기 챔버 내에서 상기 기판을 지지하는 애노드 모듈 및 상기 기판에 대향되는 위치에 배치되는 적어도 하나 이상의 타겟과 각각 결합되는 적어도 하나 이상의 캐소드 모듈을 포함하고, 상기 적어도 하나 이상의 타겟은 제1 타겟 및 제2 타겟을 포함하며,상기 제1 타겟 또는 상기 제2 타겟과 상기 기판 사이의 수평 방향의 거리인 제1 거리가 1cm 내지 5cm이고,상기 제1 타겟 또는 상기 제2 타겟과 상기 기판 사이의 수직 방향의 거리인 제2 거리가 5cm 내지 20cm이며,상기 적어도 하나 이상의 타겟은 Sr2V2O7 스퍼터링 타겟인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치
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제1항에 있어서, 상기 박막은 바나듐산스트론튬(Strontium vanadate, SrVO3) 박막인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치
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제1항에 있어서, 상기 스퍼터링 방법은 RF 마그네트론 스퍼터링 방법인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치
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제1항에 있어서,상기 스퍼터링 방법은 상기 챔버 내에서 2Х10-6torr 내지 4Х10-6torr 범위 내의 진공도를 갖는 환경을 조성하고, 상기 챔버 내에 수소(H2)와 아르곤(Ar)이 혼합된 반응기체를 주입하여 상기 적어도 하나 이상의 타겟 주변에 플라즈마를 형성하는 스퍼터링 장치
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애노드 모듈이 챔버 내로 로딩되는 기판을 지지하는 단계 및 상기 챔버 내에서 적어도 하나 이상의 캐소드 모듈과 각각 결합되고 상기 기판과 대향되는 위치에 배치된 적어도 하나 이상의 타겟을 이용한 스퍼터링 방법을 통해 상기 기판 상에 박막을 증착하는 단계를 포함하고, 상기 적어도 하나 이상의 타겟은 제1 타겟 및 제2 타겟을 포함하며,상기 제1 타겟 또는 상기 제2 타겟과 상기 기판 사이의 수평 방향의 거리인 제1 거리가 1cm 내지 5cm이고,상기 제1 타겟 또는 상기 제2 타겟과 상기 기판 사이의 수직 방향의 거리인 제2 거리가 5cm 내지 20cm이며,상기 적어도 하나 이상의 타겟은 Sr2V2O7 스퍼터링 타겟인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치를 이용한 박막 형성 방법
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제6항에 있어서, 상기 박막은 바나듐산스트론튬(Strontium vanadate, SrVO3) 박막인 것을 특징으로 하는스퍼터링 장치를 이용한 박막 형성 방법
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제6항에 있어서, 상기 스퍼터링 방법은 RF 마그네트론 스퍼터링 방법인 것을 특징으로 하는스퍼터링 장치를 이용한 박막 형성 방법
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제6항에 있어서, 상기 박막을 증착하는 단계는 상기 챔버 내에서 2Х10-6torr 내지 4Х10-6torr 범위 내의 진공도를 갖는 환경을 조성하고, 수소(H2)와 아르곤(Ar)이 혼합된 반응기체를 주입하여 상기 타겟 주변에 플라즈마를 형성하는 스퍼터링 장치를 이용한 박막 형성 방법
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제10항에 있어서, 상기 플라즈마는 4 mtorr 내지 8 mtorr 범위 내의 챔버 압력에서 상기 애노드 모듈과 상기 적어도 하나 이상의 캐소드 모듈 양단에 50W 내지 100W 범위 범위 내의 스퍼터 파워를 인가한 상태에서 상기 반응기체를 10 sccm 범위 내의 분압으로 제어하여 형성하는 스퍼터링 장치를 이용한 박막 형성 방법
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제6항에 있어서, 상기 박막이 증착된 기판을 100℃ 내지 400℃ 내의 온도에서 1시간 내지 5 시간 범위 내에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 스퍼터링 장치를 이용한 박막 형성 방법
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