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유연성을 가지는 폴리머소재의 필름인 폴리머기판(21);양의 자기왜곡 계수를 가지는 강자성 층인 감지층(sensing layer)(24)과 음의 자기왜곡 계수를 가지는 강자성 층인 기준층(reference layer)(26)을 포함하여 상기 폴리머기판(21)의 상부에 나노 층으로 적층 형성된 후 자화용이축 방향을 따라 가해지는 반복적인 구부림 응력에 의해 상기 감지층(24)의 자화 방향이 상기 기준층(26)의 자화 방향과 직교하는 자화방향을 가지는 스핀밸브층(22); 및상기 자화용이축 방향을 따라 상기 스핀밸브층(22)에 가해지는 반복적인 구부림 응력에 의해 상기 자화방향에 수직 방향으로 상기 스핀밸브층(22)에 형성되는 균열(c)들;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 센서
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제 1항에 있어서,상기 균열(c)들은,상기 스핀밸브층(22)의 자화용이축 방향에 평행인 굽힘 방향으로 상기 굽힘 횟수에 따라 개수가 증가되며, 종방향으로 전류를 인가하는 경우 자기저항 비(MR ratio)와 감도(sensitivity)를 증가시키는 것을 특징으로 하는 자기 저항 센서
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제 1항에 있어서, 상기 스핀밸브층(22)은,상기 폴리머기판(21)의 상부에 적층된 버퍼층(buffer layer)(23);상기 버퍼층(23)의 상부에 적층된 상기 감지층(24);상기 감지층(24)의 상부에 적층된 전이금속층으로서의 스페이스층(space layer)(25);상기 스페이스층(25)의 상부에 강자성층과 반강자성층이 적층되어 형성되는 상기 기준층(reference layer)(26); 및상기 기준층(26)의 상부에 적층된 캡핑층(capping layer)(27);을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 센서
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제 1항에 있어서, 상기 폴리머기판(21)은,폴리이미드(Polyimide, PI) 필름인 것을 특징으로 하는 자기 저항 센서
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제3항에 있어서, 상기 버퍼층(23) 및 상기 캡핑층(27)은 Ta계 금속층인 것을 특징으로 하는 자기 저항 센서
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제 1항에 있어서, 상기 감지층(24)은,NiFe/CoFe계 금속층인 강자성 층인 것을 특징으로 하는 자기 저항 센서
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제3항에 있어서, 상기 스페이스층(25)은,Cu계 금속층인 것을 특징으로 하는 자기 저항 센서
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제 1항에 있어서, 상기 기준층(26)은,Ni계 강자성층과 IrMn계 반강자성층이 적층 형성된 것을 특징으로 하는 자기 저항 센서
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제3항에 있어서, 상기 스핀밸브층(22)은, 상기 폴리머기판(21)의 상부에 순차적으로 적층되는 Ta/NiFe/CoFe/Cu/Ni/IrMn/Ta 적층 구조를 가지며,상기 Ta는 상기 버퍼층(23)이고,상기 NiFe/CoFe는 상기 강자성 층인 상기 감지층(24)이며,상기 Cu는 상기 스페이스층(25)이고,상기 Ni/IrMn는 강자성층과 반강자성 층이 적층된 상기 기준층(26)이며,상기 Ta은 상기 캡핑층(27)인 것을 특징으로 하는 자기 저항 센서
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유연성을 가지는 폴리머소재의 필름인 폴리머기판(21) 상에 나노층의 버퍼층(buffer layer)(23), 양의 자기왜곡 계수를 가지는 강자성 층인 감지층(24), 스페이스층(space layer)(25), 음의 자기왜곡 계수를 가지는 강자성 층인 기준층(reference layer)(26) 및 캡핑층(capping layer)(27)을 적층하여 스핀밸브층(22)을 형성하는 단계(S10); 및상기 스핀밸브층(22)이 형성된 상기 폴리머기판(21)에 상기 스핀밸브층(22)의 자화용이축 방향을 따라 반복적인 구부림 응력을 가하여 상기 감지층(24)의 자화 방향이 상기 기준층(26)의 자화 방향과 직교하는 자화방향을 가지도록 회전시켜 스핀 밸브 구조를 형성하는 단계(S20);를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 센서 제작 방법
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제 10항에 있어서, 상기 스핀밸브층(22)을 형성하는 단계에서 형성되는 스핀밸브층(22)은,상기 폴리머기판(21)의 상부에 순차적으로 적층되는 Ta/NiFe/CoFe/Cu/Ni/IrMn/Ta 적층 구조를 가지며,상기 Ta는 상기 버퍼층(23)이고,상기 NiFe/CoFe는 상기 강자성 층인 감지층(24)이며,상기 Cu는 상기 스페이스층(25)이고,상기 Ni/IrMn는 강자성층과 반강자성 층이 적층된 상기 기준층(26)이며,상기 Ta은 상기 캡핑층(27)인 것을 특징으로 하는 자기 저항 센서 제작 방법
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제 10항에 있어서, 상기 스핀 밸브 구조를 형성하는 단계(S20)에서,상기 스핀밸브층(22)의 자화용이축 방향에 평행인 굽힘 방향을 따라 가해지는 반복적인 구부림 응력의 횟수에 따라 개수가 증가되며, 종방향으로 전류를 인가하는 경우 자기저항 비(MR ratio)와 감도(sensitivity)를 증가시키는 균열(c)들이 형성되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 센서 제작 방법
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