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플라즈마 가스 및 H2 가스를 반응기 내로 공급하는 가스 공급부; 원료를 반응기 내로 공급하는 원료 공급부; 마이크로웨이브를 생성하는 마이크로웨이브 발생유닛; 상기 마이크로웨이브 발생유닛에서 생성된 마이크로웨이브를 전송 공급하는 마이크로웨이브 전송부; 상기 마이크로웨이브와 플라즈마 가스에 의해 플라즈마가 형성되고, 상기 원료가 고상의 분말로 환원이 수행되는 반응기; 상기 반응기 내부의 분말에 열원을 공급하는 가열부재; 상기 반응기로부터 배출되는 금속 분말을 분리하여 회수하는 분말수집부; 및 분말이 분리된 폐가스를 처리하는 스크러버;를 포함하는 입상 금속 제조장치
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제1항에 있어서,상기 원료가 티타늄 염화물, 알루미늄 염화물, 니켈 염화물, 철염화물, 바나듐 염화물, 마그네슘 염화물, 코발트 염화물, 몰르브덴 염화물, 텅스텐 염화물, 지르코늄 염화물, 실리콘 염화물, 크롬 염화물, 아연 염화물, 구리 염화물, 주석 염화물, 탄탈륨 염화물, 탄소염화물, 우라늄 염화물 및 리튬 염화물 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 입상 물질 제조장치
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제1항에 있어서,상기 플라즈마 가스가 Ar, N2, O2 및 H2 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 입상 물질 제조장치
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제1항에 있어서,상기 마이크로웨이브 발생유닛은 주파수 1 내지 5GHz의 마이크로웨이브를 발생시키는 것을 특징으로 하는 입상 물질 제조장치
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제1항에 있어서,상기 마이크로웨이브 전송부는 상기 전송부의 단부로부터 마이크로웨이브 파장의 1/4 내지 3/4배 지점에 중심이 위치한 개구부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 입상 물질 제조장치
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제1항에 있어서,상기 마이크로웨이브 발생유닛 및 마이크로웨이브 전송부가 2개 이상인 것을 특징으로 하는 입상 물질 제조장치
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제1항에 있어서,상기 반응기 내부에 도전성 코일이 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 입상 물질 제조장치
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제1항에 있어서,상기 반응기는 원료가 입상의 물질로 환원되는 제1 영역 및 상기 입상 물질의 입자 크기가 성장하는 제2 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 입상 물질 제조장치
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제1항에 있어서,상기 가열부재가 RF 유도가열기, 전기발열체 및 마이크로웨이브 발생유닛 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 입상 물질 제조장치
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제9항에 있어서,상기 가열부재가 상기 제2 영역으로 열원을 공급하는 것을 특징으로 하는 입상 물질 제조장치
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제1항에 있어서,상기 반응기가 유리, 석영 혹은 세라믹 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 입상 물질 제조장치
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제1항에 있어서,상기 반응기로부터 배출되는 입상의 물질을 냉각하는 냉각부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 입상 물질 제조장치
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마이크로웨이브를 생성하여 반응기로 공급하는 단계;플라즈마 가스 및 H2 가스를 반응기 내로 공급하여 플라즈마를 생성하는 단계;상기 플라즈마가 생성된 반응기로 원료를 공급하는 단계;상기 반응기에 전류를 공급하여 가열하는 단계; 및상기 반응기에서 환원된 입상 금속을 회수하는 단계를 포함하는 입상 물질 제조방법
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제13항에 있어서,상기 원료가 티타늄 염화물, 알루미늄 염화물, 니켈 염화물, 철염화물, 바나듐 염화물, 마그네슘 염화물, 코발트 염화물, 몰르브덴 염화물, 텅스텐 염화물, 지르코늄 염화물, 실리콘 염화물, 크롬 염화물, 아연 염화물, 구리 염화물, 주석 염화물, 탄탈륨 염화물, 탄소염화물, 우라늄 염화물 및 리튬 염화물 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 입상 물질 제조방법
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제13항에 있어서,상기 반응기의 제1 영역에서 원료가 입상의 물질로 환원되고, 상기 반응기의 제2 영역에서 상기 환원된 입상 물질의 입자 크기의 성장이 수행되는 것을 특징으로 하는 입상 물질 제조방법
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제13항에 있어서,상기 반응기의 제2 영역으로 전류를 공급하여 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 입상 물질 제조방법
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제13항에 있어서,상기 반응기에 전류를 공급하여 가열하는 단계가 RF 유도가열기, 전기발열체 및 마이크로웨이브 발생유닛 중에서 선택된 어느 하나를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 입상 물질 제조방법
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제13항에 있어서,상기 환원된 입상 금속을 냉각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 입상 물질 제조방법
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제13항 내지 제18항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조된 입상 물질
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제19항에 있어서, 상기 입상 물질의 평균 직경이 10 내지 100,000nm인 것을 특징으로 하는 입상 물질
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