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알루미늄이 포함된 마그네슘 금속재의 표면을 산으로 에칭하여 상기 금속재 상에 다공성 알루미늄 산화물층을 형성하는 단계; 및상기 알루미늄 산화물층 상에 고분자 물질을 코팅하여 코팅층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 알루미늄이 포함된 마그네슘 금속재의 표면을 산으로 에칭하여 상기 금속재 상에 다공성 알루미늄 산화물층을 형성하는 단계;에서,상기 산 에칭에 의해 마그네슘이 산에 용해되어 기공을 형성하고,상기 알루미늄 산화물층은 복수의 알루미늄 산화물을 포함하고,상기 알루미늄 산화물의 크기는 1 내지 3 μm 이고,상기 알루미늄 산화물층 상에 고분자 물질을 코팅하여 코팅층을 형성하는 단계;에 의해,상기 다공성 알루미늄 산화물층의 기공 사이로 고분자가 스며드는 것인 마그네슘 부재의 표면처리방법
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제1항에 있어서,상기 코팅층을 형성하는 단계;에서,상기 고분자 물질은 실란계를 포함하는 것인 마그네슘 부재의 표면처리방법
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제1항에 있어서,상기 코팅층을 형성하는 단계;이후에,상기 코팅층을 도장하는 단계;를 더 포함하는 마그네슘 부재의 표면처리방법
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제4항에 있어서,상기 도장은,전착 도장 및 스프레이 도장 중 어느 하나인 마그네슘 부재의 표면처리방법
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알루미늄이 포함된 마그네슘 금속재;상기 금속재 상에 위치하며, 알루미늄 산화물을 포함하는 다공성 알루미늄 산화물층; 및상기 다공성 알루미늄 산화물층 상에 위치하고, 고분자 물질을 포함하는 코팅층;을 포함하고,상기 마그네슘 금속재는, 전체 100 중량%에 대하여, 1 내지 50 중량%의 알루미늄 및 50 내지 99 중량%의 마그네슘을 포함하고,상기 알루미늄 산화물의 크기는 1 내지 3 μm 이고,상기 다공성 알루미늄 산화물층의 기공 사이에 고분자 물질이 포함되는 마그네슘 부재
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제6항에 있어서,상기 고분자 물질은 실란계를 포함하는 것인 마그네슘 부재
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제6항에 있어서,상기 코팅층의 두께는, 1 내지 3 μm인 마그네슘 부재
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제6항에 있어서,상기 코팅층 상에 도장층을 더 포함하는 마그네슘 부재
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