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서셉터에 탄화규소 기판을 장착하고, 상기 탄화규소 기판 주변의 온도를 승온시키는 승온단계;상기 탄화규소 기판 표면을 에칭하는 에칭단계;공정가스를 공급하여 상기 탄화규소 기판 상에 버퍼층을 형성시키는 형성단계; 및상기 공정가스를 공급하여 상기 버퍼층 상에 에피층을 형성시키는 성장단계;를 포함하며,상기 성장단계에서 아르곤(Ar) 및 수소(H2)가 포함된 회전가스를 이용하여 상기 서셉터를 회전시키면서 상기 에피층을 형성시키는 탄화규소 에피웨이퍼 제조방법
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제1항에 있어서,상기 승온단계에서 상기 탄화규소 기판 주변의 온도를 승온시키는 동안 상기 에칭단계를 수행하는 탄화규소 에피웨이퍼 제조방법
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제1항에 있어서,상기 성장단계에서,상기 회전가스의 유량은 500 내지 1500sccm인 탄화규소 에피웨이퍼 제조방법
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제1항에 있어서,상기 성장단계에서,상기 회전가스 중 아르곤(Ar):수소(H2)의 유량비(Ar:H2)는 1:0
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제1항에 있어서,상기 승온단계에서,1500 내지 1600℃까지 승온시키는 탄화규소 에피웨이퍼 제조방법
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제1항에 있어서,상기 에칭단계는 수소(H2) 가스 분위기에서 1530 내지 1570℃의 온도로 10 내지 20분 동안 수행하는 탄화규소 에피웨이퍼 제조방법
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제1항에 있어서,상기 형성단계에서,상기 공정가스는 실란(SiH4) 및 프로판(C3H8)을 포함하며,상기 버퍼층 형성 초기의 상기 실란(SiH4)의 유량은 15sccm 이하이고, 상기 프로판(C3H8)의 유량은 5sccm 이하인 탄화규소 에피웨이퍼 제조방법
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제7항에 있어서,상기 형성단계에서,질소(N2)가 포함된 도핑가스를 상기 공정가스와 함께 공급하고,상기 질소(N2)의 유량은 3sccm 이하인 탄화규소 에피웨이퍼 제조방법
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제1항에 있어서,상기 성장단계에서,1500 내지 1600℃의 온도에서 100 내지 150mbar의 압력으로 상기 에피층을 형성시키는 탄화규소 에피웨이퍼 제조방법
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제1항에 있어서,상기 성장단계에서,상기 공정가스는 실란(SiH4), 프로판(C3H8) 및 염화수소(HCl)을 포함하는 탄화규소 에피웨이퍼 제조방법
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제10항에 있어서,상기 공정가스 중 수소에 대한 실리콘의 몰비(Si/H)는 0
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제10항에 있어서,상기 공정가스 중 실리콘에 대한 염소의 몰비(Cl/Si)는 2 내지 3인 탄화규소 에피웨이퍼 제조방법
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제1항에 있어서,상기 성장단계 이후,상기 에피층에서 실리콘에 대한 탄소의 몰비(C/Si)는 0
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