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페로브스카이트(perovskite) 태양전지에 있어서, 기판 상에 스퍼터링 공정을 통해 형성되는 투명전극; 페로브스카이트가 코팅되는 광활성층; 제1 산화물과 제2 산화물에 대한 동시 스퍼터링(co-sputtering) 공정을 통해 상기 투명전극과 상기 광활성층 사이에 버퍼층으로 형성되고, 상기 제1 산화물은 인듐 주석 산화물(ITO)이고, 상기 제2 산화물은 안티모니구리 산화물(ACO)인 버퍼 일체형 투명전극; 상기 광활성층으로부터 전자를 추출하기 위해 광활성층 상에 형성된 전자수송층; 상기 전자수송층에 전자를 전달하면서 정공의 유출을 방지하도록 전자수송층 상에 형성된 BCP (bathocuproine); 및 상기 BCP 상에 형성되는 금속전극;을 포함하는 버퍼 일체형 투명전극을 구비한 페로브스카이트 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 제1 산화물의 타겟에 인가되는 파워는, DC 파워 100W가 인가되고,상기 제2 산화물의 타겟에 인가되는 파워는, RF 파워 210W가 인가되는 것인 버퍼 일체형 투명전극을 구비한 페로브스카이트 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 제1 산화물 및 상기 제2 산화물의 증착두께는, 증착시간을 조절하여 결정되는 것인 버퍼 일체형 투명전극을 구비한 페로브스카이트 태양전지
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제 4 항에 있어서,상기 제1 산화물 및 상기 제2 산화물의 증착두께는, 1:9 중량% 또는 2:8 중량%의 비율로 결정되는 것인 버퍼 일체형 투명전극을 구비한 페로브스카이트 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 전자수송층은, 상기 광활성층 상에 PCBM(Phenyl-C61-Butyric acid Methyl ester)이 코팅되는 것인 버퍼 일체형 투명전극을 구비한 페로브스카이트 태양전지
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제 6 항에 있어서,상기 금속전극은, 음극으로서, 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 마그네슘(Mg) 중 어느 하나의 재질인 버퍼 일체형 투명전극을 구비한 페로브스카이트 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 기판은,유리 기판, 플라스틱 기판, 플렉서블 기판 중 어느 하나인 버퍼 일체형 투명전극을 구비한 페로브스카이트 태양전지
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페로브스카이트 태양전지의 제조 방법으로서, 기판 상에 스퍼터링 공정을 통해 투명전극을 형성하는 단계; 페로브스카이트(perovskite)가 코팅되는 광활성층을 형성하는 단계; 인듐 주석 산화물(ITO)인 제1 산화물과 안티모니구리산화물(ACO)인 제2 산화물에 대한 동시 스퍼터링 공정을 통해 상기 투명전극과 상기 광활성층 사이에 버퍼층으로 버퍼 일체형 투명전극을 형성하는 단계; 상기 광활성층 상에 전자수송층을 형성하는 단계; 상기 전자수송층에 전자를 전달하면서 정공의 유출을 방지하는 BCP을 형성하는 단계; 및 상기 BCP 상에 형성되는 금속전극을 형성하는 단계를 포함하는 버퍼 일체형 투명전극을 구비한 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 제1 산화물의 타겟에 인가되는 파워는, DC 파워 100W가 인가되고,상기 제2 산화물의 타겟에 인가되는 파워는, RF 파워 210W가 인가되는 것인 버퍼 일체형 투명전극을 구비한 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 제1 산화물 및 상기 제2 산화물의 증착두께는, 증착시간을 조절하여 결정되는 것인 버퍼 일체형 투명전극을 구비한 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 제1 산화물 및 상기 제2 산화물의 증착두께는, 1:9 중량% 또는 2:8 중량%의 비율로 결정되는 것인 버퍼 일체형 투명전극을 구비한 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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