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교환 바이어스 필드 설정방법

  • 기술번호 : KST2020011113
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 교환 바이어스 필드 설정방법은 서로 접하여 계면을 이루는 강자성체층과 반강자성체층의 자성 적층체; 및 상기 자성 적층체의 상부 또는 하부에 위치하는 압전체층;을 포함하는 헤테로구조체에 교류 전기장 및 외부 자기장을 인가하여 교환 바이어스 필드를 설정한다.
Int. CL G11B 5/33 (2006.01.01) H01L 43/08 (2006.01.01)
CPC G11B 5/33(2013.01) G11B 5/33(2013.01)
출원번호/일자 1020180161363 (2018.12.13)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-2176109-0000 (2020.11.03)
공개번호/일자 10-2020-0073076 (2020.06.23) 문서열기
공고번호/일자 (20201110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.12.13)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍정일 대구광역시 달성군 현풍읍 테크
2 김현중 인천광역시 남동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-1255190-17
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2019-0033109-53
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0176764-10
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.05.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0455648-97
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2020-0455661-81
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
9 등록결정서
Decision to grant
2020.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0734733-38
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번호 청구항
1 1
서로 접하여 계면을 이루는 강자성체층과 반강자성체층의 자성 적층체; 및 상기 자성 적층체의 상부 또는 하부에 위치하는 압전체층;을 포함하는 헤테로구조체에 교류 전기장 및 외부 자기장을 인가하여, 상기 압전체층에 인가되는 상기 교류 전기장에 의해 압전체층으로부터 발생하는 반복적인 기계적인 변형(mechanical strain)을 기반한 주기적인 진동(vibration)과 상기 외부 자기장에 의해 교환 바이어스 필드를 설정하는 교환 바이어스 필드 설정방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 교류 전기장은 ±1 내지 ±12 kV/cm 및 0
3 3
제 2항에 있어서,상기 외부 자기장은 0
4 4
제 1항에 있어서,상기 반강자성체층의 두께를 상기 강자성체층의 두께로 나눈 두께비는 2 내지 100인 교환 바이어스 필드 설정방법
5 5
제 4항에 있어서,상기 강자성체층의 두께는 2Å 내지 90Å인 교환 바이어스 필드 설정방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 자성 적층체와 상기 압전체층 사이에 제1금속층이 위치하며, 상기 제1금속층과 인접하는 압전체층 일측의 대향측에 제2금속층이 위치하는 교환 바이어스 필드 설정방법
7 7
제 6항에 있어서,상기 제1금속층과 인접하는 자성 적층체 일측의 대향측에 제3금속층이 위치하는 교환 바이어스 필드 설정방법
8 8
제 1항에 있어서,상기 외부 자기장의 인가 방향을 제어하여, 평면 내(in-plane) 방향 또는 평면 외(out of plane) 방향으로 교환 바이어스 방향을 제어하는 교환 바이어스 필드 설정방법
9 9
제 1항에 있어서,인가되는 상기 외부 자기장의 크기, 교류 전기장의 진폭 및 교류 전기장의 주파수에서 하나 이상 선택되는 인자(factor)를 조절하여, 설정되는 교환 바이어스 필드의 값을 제어하는 교환 바이어스 필드 설정방법
10 10
서로 접하여 계면을 이루는 강자성체층과 반강자성체층의 자성 적층체 및 상기 자성 적층체의 상부 또는 하부에 위치하는 압전체층을 포함하는 헤테로구조체;상기 헤테로구조체에 교류 전기장을 인가하는 교류 전기장 발생원; 상기 헤테로구조체에 외부 자기장을 인가하는 자기장 발생원; 및상기 헤테로구조체에 인가되는 교류 전기장의 진폭, 주파수 및 시간을 제어하고, 상기 헤테로구조체에 인가되는 외부 자기장의 크기를 제어하는 제어부;를 포함하는 교환 바이어스 필드 설정장치
11 11
제 10항에 있어서,상기 제어부는 상기 헤테로구조체에 ±1 내지 ±12 kV/cm의 진폭 및 0
12 12
제 10항에 있어서,상기 제어부는 상기 헤테로구조체에 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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2 DGIST-LBNL신물질연구센터 대구경북과학기술원 로렌스 버클리 국립연구소-DGIST 공동연구소 로렌스 버클리 국립연구소-DGIST 공동연구소
3 과학기술정보통신부 고려대학교 미래소재디스커버리사업 설계기반 Spin-Orbitronics 소재 개발