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후면 전극층 상에 1종 이상의 금속 및 1종 이상의 황화 금속을 포함하는 금속 화합물 전구체를 증착하여 최외곽 층에 황화 금속이 형성되는 적층구조를 형성하는 단계; 및황화수소 (H2S) 가스 주입과 순수 셀렌 금속을 이용한 황화-셀렌 열처리 공정 단계;를 포함하는,유연기판용 단일 광흡수층의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 화합물 전구체는 후면 전극층 상에,Cu, Zn, Sn 및 In으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속; 및 CuS, ZnS, 및 SnS로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 황화 금속;으로 구성되는 금속 화합물 전구체인,유연기판용 단일 광흡수층의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 화합물 전구체는 후면 전극층 상에,후면 전극층/Zn/Cu/SnS 적층구조의 형상을 갖는 것인,유연기판용 단일 광흡수층의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 방법은, 상기 열처리 공정 단계 후 형성된 광흡수층을 후면 전극층으로부터 분리하는 단계;를 더 포함하는 것인,유연기판용 단일 광흡수층의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 분리는 형성된 광흡수층의 적어도 일부 표면에 접착물을 부착하여, 광흡수층을 후면 전극층으로부터 분리하는 것인,유연기판용 단일 광흡수층의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 황화-셀렌 열처리 공정 단계는,순수 셀렌 금속을 이용하여 셀렌(Se)화 공정을 진행하는 단계;상기 셀렌화 공정 후 잔유 셀렌 금속 및 셀렌의 기화 가스를 제거(purge) 하는 단계; 및황화 수소(H2S) 가스를 주입하여 황화 열처리 하는 단계를 포함하는 것인,유연기판용 단일 광흡수층의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 셀렌화 공정은 500 - 750 Torr의 압력에서 수행하는 것인,유연기판용 단일 광흡수층의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 황화 열처리는 500 - 1000 Torr에서 수행하는 것인,유연기판용 단일 광흡수층의 제조 방법
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제1항의 유연기판용 단일 광흡수층의 제조 방법으로부터 제조된 유연 기판용 단일 광흡수층을 포함하는 유연 소자
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제9항에 있어서,상기 광흡수층은 Cu2ZnSn(S,Se)4 기반의 5원계 화합물 광흡수층인 것을 특징으로 하는, 유연소자
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