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질화붕소 나노튜브 제조 장치

  • 기술번호 : KST2020011246
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화붕소 나노튜브 제조 장치에 관한 것이다. 본 발명은 질화붕소 나노튜브(boron nitride nano tube)의 제조 장치로서, 열 플라즈마 제트 및 질화붕소 나노튜브가 형성되는 공간을 제공하는 반응 본체; 반응 본체의 일단에 배치되고, 열 플라즈마를 생성하는 적어도 하나의 플라즈마부; 열 플라즈마가 형성되는 공간에 전구체를 공급하는 전구체 공급부; 및 열 플라즈마가 형성되는 공간에 반응 가스를 공급하는 반응가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL C01B 21/064 (2006.01.01) B01J 19/08 (2015.01.01)
CPC C01B 21/0641(2013.01) C01B 21/0641(2013.01) C01B 21/0641(2013.01) C01B 21/0641(2013.01)
출원번호/일자 1020190133573 (2019.10.25)
출원인 재단법인 철원플라즈마 산업기술연구원, 제주대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2143989-0000 (2020.08.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20200812) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.10.25)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 철원플라즈마 산업기술연구원 대한민국 강원도 철원군
2 제주대학교 산학협력단 대한민국 제주특별자치도 제주시 제주

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손병구 강원도 철원군
2 이규항 서울특별시 은평구
3 최수석 제주특별자치도 제주시
4 김민석 제주특별자치도 제주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 철원플라즈마 산업기술연구원 강원도 철원군
2 제주대학교 산학협력단 제주특별자치도 제주시 제주
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2019.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2019-1094222-48
2 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2019-1092396-26
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.10.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1110945-16
4 보정요구서
Request for Amendment		 2019.11.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0174908-74
5 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2019.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2019-1132667-22
6 보정요구서
Request for Amendment		 2019.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0177702-91
7 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2019.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2019-1159062-97
8 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2019.11.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2019.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2019-0052700-17
10 보정요구서
Request for Amendment		 2019.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0182024-61
11 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2019.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-1178247-26
12 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2019.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-1178257-83
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0186132-54
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2020-0464353-34
15 [출원서 등 보완]보정서
 2020.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2020-0464351-43
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.05.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0464354-80
17 [공지예외적용 보완 증명서류]서류제출서
 2020.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2020-0464352-99
18 등록결정서
Decision to grant		 2020.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0503829-61
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
질화붕소 나노튜브(boron nitride nano tube)의 제조 장치로서,열 플라즈마 제트 및 질화붕소 나노튜브가 형성되는 공간을 제공하는 반응 본체;DC 플라즈마 토치이며, 반응 본체의 일단에 배치되고, 열 플라즈마를 생성하는 적어도 하나의 플라즈마부;열 플라즈마가 형성되는 공간에 전구체를 공급하는 전구체 공급부; 및열 플라즈마가 형성되는 공간에 반응 가스를 공급하는 반응가스 공급부를 포함하고,전구체는 붕소를 포함하고, 반응 가스는 질소를 포함하며,반응가스 공급부에 암모니아 또는 수소를 더 공급하고,플라즈마부에 DC 플라즈마 토치를 사용하여, RF 플라즈마 토치를 사용한 경우에 비해 반응 가스로 아르곤을 사용하지 않고, RF 플라즈마 토치보다 낮은 온도에서 질화붕소 나노튜브를 제조할 수 있는, 질화붕소 나노튜브 제조 장치
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,3,000K 내지 6,000K 온도의 열 플라즈마로 질화붕소 나노튜브가 형성되는, 질화붕소 나노튜브 제조 장치
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,반응 본체의 내벽에는 그라파이트 라이너부가 설치되는, 질화붕소 나노튜브 제조 장치
7 7
제1항에 있어서,반응 본체는 제1 경로 및 제1 경로의 단부에 소정 각도를 이루며 연통되는 제2 경로를 포함하고, 각각의 제1 경로 및 제2 경로에 플라즈마부가 하나씩 배치되며,제1 경로에 전구체 공급부가 연결되는, 질화붕소 나노튜브 제조 장치
8 8
제1항에 있어서,반응 본체는 복수의 제1 경로 및 복수의 제1 경로의 단부에 소정 각도를 이루며 연통되는 제2 경로를 포함하며, 각각의 제1 경로 및 제2 경로에 플라즈마부가 하나씩 배치되며,제1 경로에 전구체 공급부가 연결되는, 질화붕소 나노튜브 제조 장치
9 9
제1항에 있어서,3개의 플라즈마부가 반응 본체의 일단에서 상호 소정 간격을 이루며 방사형으로 배치되고,3개의 플라즈마부에서 연장되는 임의의 직선이 반응 본체 내부 공간에서 접하도록 플라즈마부가 수평면 기준으로 소정각도 기울어지게 배치되는, 질화붕소 나노튜브 제조 장치
10 10
제9항에 있어서,3개의 플라즈마부에서 연장되는 임의의 직선이 반응 본체 내부 공간에서 접하는 공간에 전구체 및 반응 가스를 공급하는, 질화붕소 나노튜브 제조 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.