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기판;상기 기판 상에 배치된 전극부; 및상기 전극부에 전류 및 전압을 인가하는 연결부를 포함하고,상기 전극부는,상기 기판 상에 부착된 금속 전극을 포함하는 전극 층;상기 전극층 상에 고정된 제1효소 층; 및상기 제1효소 층 상에 고정된 제2효소 층을 포함하는,소변을 이용한 바이오 전자센서
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제1항에 있어서,상기 기판은 PCB(Printed circuit board)인,소변을 이용한 바이오 전자센서
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제1항에 있어서,상기 금속 전극은 Working electrode, Counter electrode, Reference electrode로 구성된,소변을 이용한 바이오 전자센서
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제1항에 있어서,상기 금속 전극은 백금(Pt), 금(Au), 카드뮴(Cd), 은(Ag), 납(Pb), 니켈(Ni)을 포함하는,소변을 이용하는 바이오 전자센서
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제 1항에 있어서,상기 소변을 이용한 바이오 전자센서는 전기화학적 방식으로 측정가능한소변을 이용한 바이오 전자센서
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기판;상기 기판 상에 배치된 전극부; 및상기 전극부에 전류 및 전압을 인가하는 연결부를 포함하고,상기 전극부는,상기 기판 상에 부착된 금속 전극을 포함하는 전극 층;상기 전극층 상에 고정된 제1효소 층; 및상기 제1효소 층 상에 고정된 제2효소 층을 포함하고,상기 제1효소 층은 글루코스 산화효소를 포함하며, 상기 제2효소 층은 아스코르베이트 산화효소를 포함하는,소변을 이용하여 당을 측정하는 바이오 전자센서
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제6항에 있어서,상기 기판은 PCB인,소변을 이용하여 당을 측정하는 바이오 전자센서
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제6항에 있어서,상기 금속 전극은 Working electrode, Counter electrode, Reference electrode로 구성된,소변을 이용하여 당을 측정하는 바이오 전자센서
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제6항에 있어서, 상기 금속 전극은 백금(Pt), 금(Au), 카드뮴(Cd), 은(Ag), 납(Pb), 니켈(Ni)을 포함하는,소변을 이용하여 당을 측정하는 바이오 전자센서
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제 6항에 있어서,상기 소변을 이용하여 당을 측정하는 바이오 전자센서는 전기화학적 방식으로 측정가능한소변을 이용하여 당을 측정하는 바이오 전자센서
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기판을 준비하는 단계;금속 전극을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 금속 전극을 부착하는 단계; 상기 금속 전극 상에 제1효소 층을 고정하는 단계; 상기 제1효소 층을 건조하는 단계;상기 제1효소 층 상에 제2효소 층을 고정하는 단계; 및상기 제2효소 층을 건조하는 단계를 포함하고,상기 제1효소 층은 글루코스 산화효소를 포함하며, 상기 제2효소 층은 아스코르베이트 산화효소를 포함하는,소변을 이용하여 당을 측정하는 바이오 전자센서를 제조하는 방법
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제11항에 있어서,상기 기판은 PCB인,소변을 이용하여 당을 측정하는 바이오 전자센서를 제조하는 방법
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제11항에 있어서,상기 금속 전극은 Working electrode, Counter electrode, Reference electrode로 구성된,소변을 이용하여 당을 측정하는 바이오 전자센서를 제조하는 방법
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제11항에 있어서,상기 금속 전극은 백금(Pt), 금(Au), 카드뮴(Cd), 은(Ag), 납(Pb), 니켈(Ni)을 포함하는,소변을 이용하여 당을 측정하는 바이오 전자센서를 제조하는 방법
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제11항에 있어서,상기 금속 전극 상에 제1효소 층을 고정하는 단계는,글루코스 산화효소와 GA(Glutaraldehyde)를 포함하는 혼합용액을 상기 금속 전극 상에 코팅하는 단계를 포함하는,소변을 이용하여 당을 측정하는 바이오 전자센서를 제조하는 방법
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제11항에 있어서,상기 제1효소 층을 건조하는 단계는,35℃ 내지 40℃의 온도에서 30분 이상의 건조시간을 포함하는 단계를 포함하는,소변을 이용하여 당을 측정하는 바이오 전자센서를 제조하는 방법
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제11항에 있어서,상기 금속 전극 상에 제2효소 층을 고정하는 단계는,아스코르베이트 산화효소와 GA를 포함하는 혼합 용액을 상기 제1효소 층 상에 코팅하는 단계를 포함하는,소변을 이용하여 당을 측정하는 바이오 전자센서를 제조하는 방법
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제11항에 있어서,상기 제2효소 층을 건조하는 단계는,35℃ 내지 40℃의 온도에서 30분 이상의 건조시간을 포함하는 단계를 포함하는,소변을 이용하여 당을 측정하는 바이오 전자센서를 제조하는 방법
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19
기판;상기 기판 상에 배치된 전극부; 및상기 전극부에 전류 및 전압을 인가하는 연결부를 포함하고,상기 전극부는,상기 기판 상에 부착된 금속 전극을 포함하는 전극 층;상기 전극층 상에 고정된 제1효소 층; 및상기 제1효소 층 상에 고정된 제2효소 층을 포함하고,상기 제1효소 층은 효소 HBDH(D-beta-hydroxybutyrate dehydrogenase) 및 보조효소 NAD(Nicotinamide Adenine Dinucleotide)를 포함하며, 상기 제2효소 층은 효소 HBDH 및 보조효소 NADH(Nicotinamide Adenine Dinucleotide)를 포함하는,소변을 이용하여 케톤체을 측정하는 바이오 전자센서
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제19항에 있어서,상기 기판은 PCB인,소변을 이용하여 케톤체를 측정하는 바이오 전자센서
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제19항에 있어서,상기 금속 전극은 Working electrode, Counter electrode, Reference electrode로 구성된,소변을 이용하여 케톤체를 측정하는 바이오 전자센서
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제19항에 있어서, 상기 금속 전극은 백금(Pt), 금(Au), 카드뮴(Cd), 은(Ag), 납(Pb), 니켈(Ni)을 포함하는,소변을 이용하여 케톤체를 측정하는 바이오 전자센서
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제19항에 있어서,상기 소변을 이용하여 케톤체을 측정하는 바이오 전자센서는 전기화학적 방식으로 측정가능한,소변을 이용하여 케톤체를 측정하는 바이오 센서
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기판을 준비하는 단계;금속 전극을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 금속 전극을 부착하는 단계; 상기 금속 전극 상에 제1효소 층을 고정하는 단계; 상기 제1효소 층을 건조하는 단계;상기 제1효소 층 상에 제2효소 층을 고정하는 단계; 및상기 제2효소 층을 건조하는 단계를 포함하고,상기 제1효소 층은 효소 HBDH 및 보조효소 NAD를 포함하며, 상기 제2효소 층은 효소 HBDH 및 보조효소 NADH를 포함하는,소변을 이용하여 케톤체를 측정하는 바이오 전자센서를 제조하는 방법
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제24항에 있어서,상기 기판은 PCB인,소변을 이용하여 케톤체를 측정하는 바이오 전자센서를 제조하는 방법
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제24항에 있어서,상기 금속 전극은 Working electrode, Counter electrode, Reference electrode로 구성된,소변을 이용하여 당을 측정하는 바이오 전자센서를 제조하는 방법
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제24항에 있어서,상기 금속 전극은 백금(Pt), 금(Au), 카드뮴(Cd), 은(Ag), 납(Pb), 니켈(Ni)을 포함하는,소변을 이용하여 케톤체를 측정하는 바이오 전자센서를 제조하는 방법
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제24항에 있어서,상기 제1효소 층을 고정하는 단계는,효소 HBDH(D-beta-hydroxybutyrate dehydrogenase)와 보조효소 NAD(Nicotinamide Adenine Dinucleotide)와 GA를 포함하는 혼합용액을 상기 금속 전극 위에 코팅하는 단계를 포함하는,소변을 이용하여 케톤체를 측정하는 바이오 전자센서를 제조하는 방법
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제24항에 있어서,상기 제1효소 층을 건조하는 단계는,35℃ 내지 40℃의 온도에서 30분 이상의 건조시간을 포함하는 단계를 포함하는,소변을 이용하여 케톤체를 측정하는 바이오 전자센서를 제조하는 방법
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제24항에 있어서,상기 제2효소 층을 고정하는 단계는,효소 HBDH(D-beta-hydroxybutyrate dehydrogenase)와 보조효소 NADH(Nicotinamide Adenine Dinucleotide)와 GA를 포함하는 혼합용액을 상기 제1효소 층 위에 코팅하는 단계를 포함하는,소변을 이용하여 케톤체를 측정하는 바이오 전자센서를 제조하는 방법
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제24항에 있어서,상기 제2효소 층을 건조하는 단계는,35℃ 내지 40℃의 온도에서 30분 이상의 건조시간을 포함하는 단계를 포함하는,소변을 이용하여 케톤체를 측정하는 바이오 전자센서를 제조하는 방법
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