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그래파이트 기반의 광 검출기 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020011370
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판과, 기판 상에 형성된, 복수의 그래핀 레이어들을 포함하는 다층 그래핀 및 복수의 그래핀 레이어들의 각각과 접촉하도록 다층 그래핀 상에 형성된 금속 전극을 포함하고, 기판의 다층 그래핀이 형성된 측과 반대측으로부터 조사되는 광에 대해 전류를 발생시키는 광 검출기가 제공된다. 복수의 그래핀 레이어들을 포함하는 다층 그래핀이 금속 전극과 벌크 접촉됨으로써 응답성이 높은 광 검출기가 제공될 수 있다.
Int. CL G01J 1/42 (2006.01.01) H01B 1/02 (2006.01.01) C01B 32/182 (2017.01.01)
CPC G01J 1/42(2013.01) G01J 1/42(2013.01) G01J 1/42(2013.01)
출원번호/일자 1020190016132 (2019.02.12)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0098243 (2020.08.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.02.12)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장민석 대전광역시 유성구
2 메나브데세르게이 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2019-0146739-60
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.11.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0048522-22
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0282333-54
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2020-0631483-34
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.06.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0631484-80
10 등록결정서
Decision to grant
2020.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0742575-53
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번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성된, 복수의 그래핀 레이어들을 포함하는 다층 그래핀; 및상기 복수의 그래핀 레이어들의 각각과 접촉하도록 상기 다층 그래핀 상에 형성된 금속 전극을 포함하고,상기 기판의 상기 다층 그래핀이 형성된 측과 반대측으로부터 조사되는 광에 대해 전류를 발생시키는, 광 검출기
2 2
제1항에 있어서,상기 다층 그래핀은 흑연(graphite)인, 광 검출기
3 3
제1항에 있어서,상기 복수의 그래핀 레이어들은 계단형 구조(step structure)를 갖도록 상기 기판 상에 형성되고,상기 계단형 구조의 상기 복수의 그래핀 레이어들 각각이 형성하는 계단 표면(step surface)이 상기 금속 전극과 접촉하는, 광 검출기
4 4
제3항에 있어서,상기 복수의 그래핀 레이어들은, 상기 복수의 그래핀 레이어들 중 제1 그래핀 레이어가 상기 제1 그래핀 레이어의 위에 형성된 제2 그래핀 레이어보다 더 넓은 표면적을 가짐으로써, 상기 계단형 구조를 갖도록 상기 기판 상에 형성되는, 광 검출기
5 5
제1항에 있어서,상기 복수의 그래핀 레이어들의 개수는 200 이상인, 광 검출기
6 6
제1항에 있어서,상기 기판은 투명 기판인, 광 검출기
7 7
제1항에 있어서,상기 기판은 Al2O3 또는 SiO2를 포함하는, 광 검출기
8 8
제1항에 있어서,상기 금속 전극은 Pd 또는 Au를 포함하는, 광 검출기
9 9
제1항에 있어서,상기 복수의 그래핀 레이어들을 포함하는 다층 그래핀은 상기 금속 전극과 벌크 접촉(bulk contact)하는, 광 검출기
10 10
제1항에 있어서,상기 다층 그래핀은 상기 기판에 상기 복수의 그래핀 레이어들의 각각이 하나씩 적층됨으로써 형성되는, 광 검출기
11 11
제1항에 있어서,상기 금속 전극의 적어도 일부는 상기 기판과 접촉하는, 광 검출기
12 12
광 검출기의 제조 방법에 있어서, 기판을 제조하는 단계;상기 기판 상에 복수의 그래핀 레이어들을 포함하는 다층 그래핀을 형성하는 단계; 및상기 복수의 그래핀 레이어들의 각각과 접촉하도록 상기 다층 그래핀 상에 금속 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 광 검출기는 상기 기판의 상기 다층 그래핀이 형성된 측과 반대측으로부터 조사되는 광에 대해 전류를 발생시키는, 광 검출기의 제조 방법
13 13
제12항에 있어서,상기 다층 그래핀을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 흑연을 적층함으로써 상기 다층 그래핀을 형성하는, 광 검출기의 제조 방법
14 14
제12항에 있어서,상기 다층 그래핀을 형성하는 단계는, 상기 복수의 그래핀 레이어들을 계단형 구조(step structure)를 갖도록 상기 기판 상에 형성하고,상기 계단형 구조의 상기 복수의 그래핀 레이어들 각각이 형성하는 계단 표면(step surface)이 상기 금속 전극과 접촉하는, 광 검출기의 제조 방법
15 15
제12항에 있어서,상기 다층 그래핀을 형성하는 단계는, 상기 복수의 그래핀 레이어들의 각각을 상기 기판에 하나씩 적층함으로써 상기 다층 그래핀을 형성하는, 광 검출기의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술원 KAIST자체연구사업 플라즈몬 나노캐비티에서의 공명 간섭현상 연구