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입사된 광을 투과시키는 필터 장치에 있어서, 기판;상기 기판 상에 형성된 그래핀 레이어;적어도 하나의 슬릿을 형성하도록 상기 그래핀 레이어 상에 형성된 금속 판들; 및상기 필터 장치에 인가되는 게이트 전압을 조절하는 게이트 전압 조절부를 포함하고,상기 그래핀 레이어의 적어도 일부는 상기 슬릿을 통해 노출되고, 상기 그래핀 레이어는 전기적으로 도핑되어 있고,상기 게이트 전압을 조절함으로써 상기 그래핀 레이어의 페르미 레벨 및 플라즈몬 공진 파장이 조절되고,상기 필터 장치에 대해 입사되는 광은 중적외선 영역의 광이고, 상기 게이트 전압이 조절됨에 따라, 상기 필터 장치의 파노 공진(Fano Resonance)이 일어나는 광의 파장이 변경되고,상기 파노 공진이 일어나는 광의 파장의 주변에서, 상기 입사되는 중적외선 영역의 광의 파장의 변화에 대해 상기 중적외선 영역의 광의 투과율(transmittance)은 선형적으로 변화하는, 필터 장치
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제1항에 있어서,상기 게이트 전압이 조절됨에 따라 상기 그래핀 레이어의 페르미 레벨이 조정되고, 상기 그래핀 레이어의 플라즈몬 공진 파장은 수학식 1에 따라 조절되고,[수학식 1],는 상기 그래핀 레이어의 플라즈몬 공진 파장이고, 상기 e는 전자의 전하량이고, 는 상기 그래핀 레이어의 페르미 레벨이고, 는 입사되는 광의 광자 에너지이고, 는 진공의 유전율이고, 은 기판의 유전율이고, 는 상기 그래핀 레이어 상에 형성된 유전체 층의 유전율인, 필터 장치
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제1항에 있어서,상기 필터 장치의 파노 공진이 일어나는 피크에 해당하는 상기 중적외선 영역의 광의 파장은 상기 플라즈몬 공진 파장에 대응하는, 필터 장치
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제1항에 있어서,상기 중적외선 영역의 광은 상기 슬릿에 대해 수직으로 편광된 광인, 필터 장치
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제1항에 있어서,상기 기판은 투명 기판인, 필터 장치
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제1항에 있어서,상기 기판은 CaF2를 포함하는, 필터 장치
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제1항에 있어서,상기 금속 판은 Au, Ag 또는 Al을 포함하는, 필터 장치
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제1항에 있어서,상기 그래핀 레이어는 전해질을 사용하여 전기적으로 도핑되는, 필터 장치
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제1항에 있어서,상기 슬릿의 폭은 타겟으로하는 상기 그래핀 레이어의 플라즈몬 공진 파장에 대해 동일한 크기 스케일을 갖도록 결정되는, 필터 장치
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입사된 광을 투과시키는 필터 장치의 제조 방법에 있어서, 기판을 제조하는 단계;상기 기판 상에 그래핀 레이어를 형성하는 단계;적어도 하나의 슬릿을 형성하도록 상기 그래핀 레이어 상에 금속 판들을 형성하는 단계; 및상기 필터 장치에 인가되는 게이트 전압을 조절하는 게이트 전압 조절부를 배치하는 단계를 포함하고,상기 그래핀 레이어의 적어도 일부는 상기 슬릿을 통해 노출되고, 상기 그래핀 레이어는 전기적으로 도핑되어 있고,상기 게이트 전압을 조절함으로써 상기 그래핀 레이어의 페르미 레벨 및 플라즈몬 공진 파장이 조절되고,상기 필터 장치에 대해 입사되는 광은 중적외선 영역의 광이고, 상기 게이트 전압이 조절됨에 따라, 상기 필터 장치의 파노 공진(Fano Resonance)이 일어나는 광의 파장이 변경되고,상기 파노 공진이 일어나는 광의 파장의 주변에서, 상기 입사되는 중적외선 영역의 광의 파장의 변화에 대해 상기 중적외선 영역의 광의 투과율(transmittance)은 선형적으로 변화하는, 필터 장치의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 게이트 전압이 조절됨에 따라 상기 그래핀 레이어의 페르미 레벨이 조정되고, 상기 그래핀 레이어의 플라즈몬 공진 파장은 수학식 2에 따라 조절되고,[수학식 2],는 상기 그래핀 레이어의 플라즈몬 공진 파장이고, 상기 e는 전자의 전하량이고, 는 상기 그래핀 레이어의 페르미 레벨이고, 는 입사되는 광의 광자 에너지이고, 는 진공의 유전율이고, 은 기판의 유전율이고, 는 그래핀 레이어 상에 형성된 유전체 층의 유전율인, 필터 장치의 제조 방법
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입사된 광을 투과시키는 필터 장치에 있어서, 기판;상기 기판 상에 형성된 그래핀 레이어; 및적어도 하나의 슬릿을 형성하도록 상기 그래핀 레이어 상에 형성된 금속 판들을 포함하고,상기 그래핀 레이어의 적어도 일부는 상기 슬릿을 통해 노출되고, 상기 그래핀 레이어는 전기적으로 도핑되어 있고,상기 필터 장치에 인가되는 게이트 전압이 조절됨으로써 상기 그래핀 레이어의 페르미 레벨 및 플라즈몬 공진 파장이 조절되고, 상기 필터 장치에 대해 입사되는 광에 대한 투과율이 조절되고,상기 필터 장치에 대해 입사되는 광은 중적외선 영역의 광이고, 상기 게이트 전압이 조절됨에 따라, 상기 필터 장치의 파노 공진(Fano Resonance)이 일어나는 광의 파장이 변경되고,상기 파노 공진이 일어나는 광의 파장의 주변에서, 상기 입사되는 중적외선 영역의 광의 파장의 변화에 대해 상기 중적외선 영역의 광의 투과율(transmittance)은 선형적으로 변화하는, 필터 장치
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입사된 광을 투과시키는 필터 장치의 제조 방법에 있어서, 기판을 제조하는 단계;상기 기판 상에 그래핀 레이어를 형성하는 단계; 및적어도 하나의 슬릿을 형성하도록 상기 그래핀 레이어 상에 형성된 금속 판들을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 그래핀 레이어의 적어도 일부는 상기 슬릿을 통해 노출되고, 상기 그래핀 레이어는 전기적으로 도핑되어 있고,상기 필터 장치에 인가되는 게이트 전압이 조절됨으로써 상기 그래핀 레이어의 페르미 레벨 및 플라즈몬 공진 파장이 조절되고, 상기 필터 장치에 대해 입사되는 광에 대한 투과율이 조절되고,상기 필터 장치에 대해 입사되는 광은 중적외선 영역의 광이고, 상기 게이트 전압이 조절됨에 따라, 상기 필터 장치의 파노 공진(Fano Resonance)이 일어나는 광의 파장이 변경되고,상기 파노 공진이 일어나는 광의 파장의 주변에서, 상기 입사되는 중적외선 영역의 광의 파장의 변화에 대해 상기 중적외선 영역의 광의 투과율(transmittance)은 선형적으로 변화하는, 필터 장치의 제조 방법
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