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1차원 검출기를 포함하는 극소각 중성자 산란 장치를 이용한 패턴 측정 방법에 있어서,(a)길이 방향으로 서로 평행하게 연장되며 주기적으로 반복되는 소정의 선폭 및 선간격을 가지는 선형 패턴이 형성된 시료를 상기 극소각 중성자 산란 장치 내에 배치하는 단계;(b) 상기 선형 패턴으로 중성자 광을 조사하는 단계;(c) 상기 시료로부터 산란되는 중성자 광을 상기 1차원 검출기로 획득한 후 상기 중성자 광의 세기를 전기적 신호로 변환하는 단계; 및(d) 상기 전기적 신호의 왜곡 발생을 판단하는 단계를 포함하며, (e-1) 상기 전기적 신호의 왜곡이 발생되지 않았다고 판단되면, 상기 획득된 전기적 신호를 상기 선형 패턴의 선폭 및 선간격 중 어느 하나 이상의 값을 변수로 포함하는 모델링 함수로 피팅하여 상기 선형 패턴의 선폭 및 선간격 중 어느 하나 이상에 대한 정보를 도출하는 단계를 수행하고,(e-2) 상기 전기적 신호의 왜곡이 발생되었다고 판단되면, 산란벡터 Q의 값이 최대값을 갖을 때까지 상기 시료의 회전 및 이동을 반복한후 상기 산란벡터 Q 값이 최대값을 가질 때의 획득된 전기적 신호를 상기 모델링 함수로 피팅하여 상기 선형 패턴의 선폭 및 선간격 중 어느 하나 이상에 대한 정보를 도출하는 단계를 수행하는, 극소각 중성자 산란 장치를 이용한 선형 패턴 측정 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 모델링 함수는 하기 003c#수식 5003e#으로 표현되는, 극소각 중성자 산란 장치를 이용한 선형 패턴 측정 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 선형 패턴은 기판의 일 표면에 형성된 것으로서, 상대적으로 돌출된 구조의 양각 부분과 홈 구조의 음각 부분을 포함하는, 극소각 중성자 산란 장치를 이용한 선형 패턴 측정 방법
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제 3 항에 있어서, 상기 선형 패턴은 기판 표면의 적어도 일 부분인 식각된 트렌치 구조물이거나 혹은 기판 표면 상에 적층된 선형 구조물을 포함하는, 극소각 중성자 산란 장치를 이용한 선형 패턴 측정 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 선형 패턴은 반도체, 비정질 재료, 세라믹, 금속, 고분자 및 복합소재 중 어느 하나 이상을 포함하는
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