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3차원 수직 구조를 갖는 부성 미분 저항 소자

  • 기술번호 : KST2020011578
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 3차원 수직 구조를 갖는 부성 미분 저항 소자는 기판; 상기 기판상에 형성되어 전류가 입력되는 제1 전극; 상기 기판의 일부 영역에 형성된 제2 반도체 물질; 상기 기판의 다른 일부 영역과 상기 제1 전극, 및 상기 제2 반도체 물질의 상단 일부영역에 증착되는 제1 반도체 물질; 일부가 상기 기판으로부터 수직하게 기립 형성되고, 다른 일부가 상기 제2 반도체 물질로부터 수직하게 기립 형성되며, 상부로 제1 반도체 물질이 적층된 절연체; 및 상기 제2 반도체 물질의 상단에 형성되어 전류가 출력되는 제2 전극;을 포함하여 소자의 면적을 획기적으로 줄일 수 있어, 소자 스케일링과 집적도를 크게 향상시킬 수 있고, 여러 개의 peak를 가진 부성미분저항 소자를 통해 다수의 state를 가지는 메모리, 로직 소자를 만들 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 47/00 (2006.01.01) H01L 29/732 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC H01L 47/005(2013.01) H01L 47/005(2013.01) H01L 47/005(2013.01)
출원번호/일자 1020190054471 (2019.05.09)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2149971-0000 (2020.08.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20200831) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.05.09)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박진홍 경기도 화성
2 정길수 경기도 화성
3 허근 경기도 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍성욱 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***(역삼동) 동아빌딩 *층(주식회사에스와이피)
2 심경식 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** 동아빌딩 *층(에스와이피특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교 산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2019-0475569-22
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.09.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.11.08 수리 (Accepted) 9-1-2019-0051200-22
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.04.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0253978-13
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2020-0587273-86
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.06.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0587295-80
7 등록결정서
Decision to grant		 2020.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0566775-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판상에 형성되어 전류가 입력되는 제1 전극;상기 기판의 일부 영역에 형성된 제2 반도체 물질;상기 기판의 다른 일부 영역과 상기 제1 전극, 및 상기 제2 반도체 물질의 상단 일부영역에 증착되는 제1 반도체 물질; 일부가 상기 기판으로부터 수직하게 기립 형성되고, 다른 일부가 상기 제2 반도체 물질로부터 수직하게 기립 형성되며, 상부로 제1 반도체 물질이 적층된 절연체; 및상기 제2 반도체 물질의 상단에 형성되어 전류가 출력되는 제2 전극;을 포함하고, 상기 제1 전극에 전류가 입력되면, 제1 수평저항만을 가지는 제1 경로와, 3차원 수직저항인 제1 수직저항, 제2 수직저항 및 제2 수평저항을 가지는 제2 경로를 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 수직 구조를 갖는 부성 미분 저항 소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 제1 경로는 수직으로 기립 형성된 상기 절연체를 경유하지 않고, 상기 제2 경로는 수직으로 기립 형성된 상기 절연체를 경유하는 것을 특징으로 하는 3차원 수직 구조를 갖는 부성 미분 저항 소자
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서,N 개의 상기 절연체가 수직으로 기립 형성되어, N+1개의 경로 또는 피크(peak)를 가지는 것을 특징으로 하는 3차원 수직 구조를 갖는 부성 미분 저항 소자
5 5
제 1항, 제 2항 및 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 반도체 물질 및 제2 반도체 물질은 균일한 증착이 가능한 실리콘, 저마늄, III-V 족 반도체, 산화물 반도체, 유기물 반도체, 전이금속 칼코겐 화합물(transition metal dichalcogenide), 및 흑린(phosphorene) 중 어느 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 수직 구조를 갖는 부성 미분 저항 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 성균관대학교 산학협력단 개인기초연구(과기정통부)(R＆D) 배리스터 소자 기반 다중피크 부성미분저항 3진법 소자 및 3진법 휘발성 메모리 (SRAM) 회로 개발
2 과학기술정보통신부 성균관대학교 산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발(R＆D) 5 nm 급 이하 차세대 Logic 소자 원천요소기술개발
3 과학기술정보통신부 한양대학교 산학협력단 나노 소재 기술 개발 시냅스/뉴론 소자간 3차원 적층 공정 기술 및 시스템 구현
4 과학기술정보통신부 성균관대학교 산학협력단 집단연구지원 비선형 부성저항 특성 기반 한계극복 ICT정보처리 소자 개발