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질소-도핑된 그래핀층을 활성층으로 포함하는 그래핀 기반의 TFT

  • 기술번호 : KST2020011623
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질소-도핑된 그래핀층을 활성층으로 포함하는 고품질, 고기능성의 그래핀 기반의 TFT에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 게이트전극; 상기 게이트전극 위에 위치한 게이트절연층; 상기 게이트절연층 위의 일부 영역에 위치하며 질소-도핑 그래핀층을 포함하는 활성층; 상기 활성층의 일측 영역 위에 위치한 제1전극; 상기 활성층의 타측 영역 위에 위치한 제2전극;을 포함하는 그래핀 기반의 TFT에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 Ti 층 위에 그래핀을 직접 성장시키고 이를 remote 플라즈마로 데미지를 가한 후, 질소가스를 이용해 도핑하여 그래핀 활성층을 제조함으로써 매우 우수한 특성을 가지는 TFT를 얻을 수 있게 된다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 29/16 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020190019924 (2019.02.20)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0101714 (2020.08.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.02.20)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤순길 대전광역시 유성구
2 박병주 대전광역시 동구
3 한이레 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김원준 대한민국 대전광역시 서구 둔산대로***번길 **, 골드벤처타워***호 타임국제특허법률사무소 (만년동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2019-0180826-21
2 보정요구서
Request for Amendment		 2019.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0034887-53
3 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2019.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2019-0208503-35
4 [우선권주장 취하]취하(포기)서
[Withdrawal of Priority Claim] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2019.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-1069108-65
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0440946-94
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.08.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0889078-84
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2020-0889054-99
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트전극;상기 게이트전극 위에 위치한 게이트절연층;상기 게이트절연층 위의 일부 영역에 위치하며 질소-도핑 그래핀층을 포함하는 활성층;상기 활성층의 일측 영역 위에 위치한 제1전극;상기 활성층의 타측 영역 위에 위치한 제2전극;을 포함하는 그래핀 기반의 TFT
2 2
청구항 1에 있어서,상기 질소-도핑 그래핀층은, 무산소 분위기에서 게이트 절연층 위에 Ti층이 증착된 후 연속해서 그래핀층이 직접 생성되고 도핑된 '질소-도핑 그래핀층/TiO2-x층'인 것을 특징으로 하는 그래핀 기반의 TFT
3 3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 게이트전극이 그래핀층을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 기반의 TFT
4 4
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 제1전극 및 제2전극은 '그래핀층/TiO2-x층'을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 기반의 TFT
5 5
활성층 형성단계가, 게이트절연층 위에 형성될 활성층의 형태에 대응되는 shadow mask를 부착하고 3~10 ㎚ 두께의 티타늄 막을 증착하는 소단계;이어서 무산소 분위기를 유지하면서 in-situ로 remote 플라즈마 보조 화학기상증착에 의해 그래핀 박막을 성장시키는 소단계;상기 성장된 그래핀 박막에 remote 플라즈마 처리하여 그래핀 박막에 소정의 데미지를 가하는 소단계;상기 데미지를 가한 그래핀 박막을 N2 분위기하에서 remote 플라즈마에 노출시켜 질소-도핑하는 소단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 청구항 1 또는 청구항 2에 의한 그래핀 기반의 TFT 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서상기 활성층 형성단계 이후에 제1 과 제2전극을 형성한 후 100~400℃에서 소정시간 어닐링하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 기반의 TFT 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.