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ReRAM-CMOS 기반의 인공 망막 장치

  • 기술번호 : KST2020011675
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 ReRAM-CMOS 기반의 인공 망막 장치가 개시된다. 일 실시예에 따른 인공 망막 장치는, 광(light) 신호에 응답하여 복수의 제1 전류를 출력하는 복수의 광수용체 셀 회로(photoreceptor cell circuit)와, 육각뿔의 형태로 각 모서리에 멤리스터(memristor)가 연결되고, 상기 복수의 제1 전류에 따른 전압들의 제1 평균 전압을 출력하는 복수의 수평 셀 회로(horizontal cell circuit)와, 상기 제1 평균 전압에 따른 전류의 크기에 응답하여 복수의 제2 전류 또는 복수의 제3 전류를 출력하는 복수의 바이폴라 셀 회로(bipolar cell circuit)와, 육각뿔의 형태로 각 모서리에 멤리스터가 연결되고, 상기 복수의 제2 전류에 따른 전압들의 제2 평균 전압 또는 상기 복수의 제3 전류에 따른 전압들의 제3 평균 전압을 출력하는 복수의 아마크린 셀 회로(amacrine cell circuit)와, 상기 제2 평균 전압에 따른 제4 전류 또는 상기 제3 평균 전압에 따른 제5 전류에 응답하여 시신경에 전달되는 활동 전위인 지속적인 응답(sustained responses) 전류 또는 과도 응답(transient responses) 전류를 생성하는 신경절 셀 회로(ganglion cell circuit)를 포함한다.
Int. CL A61N 1/05 (2006.01.01) A61N 1/36 (2006.01.01) A61F 9/00 (2006.01.01)
CPC A61N 1/0543(2013.01) A61N 1/0543(2013.01) A61N 1/0543(2013.01) A61N 1/0543(2013.01) A61N 1/0543(2013.01) A61N 1/0543(2013.01)
출원번호/일자 1020190020084 (2019.02.20)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0101779 (2020.08.28) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.02.20)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백승범 경기도 고양시 일산서구
2 제이슨 캄란 주니어 에쉬레기안 충청북도 청주시 서원구
3 캄란 에쉬레기안 충청북도 청주시 서원구
4 조경록 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2019-0181792-35
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.12.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0078319-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.06.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0410271-36
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2020-0644301-48
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.06.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0644299-33
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
8 등록결정서
Decision to grant
2020.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0626981-99
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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광(light) 신호에 응답하여 복수의 제1 전류를 출력하는 복수의 광수용체 셀 회로(photoreceptor cell circuit);육각뿔의 형태로 각 모서리에 멤리스터(memristor)가 연결되고, 상기 복수의 제1 전류에 따른 전압들의 제1 평균 전압을 출력하는 복수의 수평 셀 회로(horizontal cell circuit);상기 제1 평균 전압에 따른 전류의 크기에 응답하여 복수의 제2 전류 또는 복수의 제3 전류를 출력하는 복수의 바이폴라 셀 회로(bipolar cell circuit);육각뿔의 형태로 각 모서리에 멤리스터가 연결되고, 상기 복수의 제2 전류에 따른 전압들의 제2 평균 전압 또는 상기 복수의 제3 전류에 따른 전압들의 제3 평균 전압을 출력하는 복수의 아마크린 셀 회로(amacrine cell circuit); 및상기 제2 평균 전압에 따른 제4 전류 또는 상기 제3 평균 전압에 따른 제5 전류에 응답하여 시신경에 전달되는 활동 전위인 지속적인 응답(sustained responses) 전류 또는 과도 응답(transient responses) 전류를 생성하는 신경절 셀 회로(ganglion cell circuit)를 포함하는 인공 망막 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 복수의 수평 셀 회로는,상기 복수의 제1 전류가 상기 육각뿔의 밑면 꼭지점에 해당하는 노드에 각각 입력됨에 따른 전압들의 평균 전압인 상기 제1 평균 전압을 출력하는인공 망막 장치
3 3
제1항에 있어서,상기 복수의 바이폴라 셀 회로는,상기 제1 평균 전압에 따른 전류의 크기가 미리 설정해 놓은 기준 전류보다 큰 경우 상기 복수의 제2 전류를 출력하고,상기 제1 평균 전압에 따른 전류의 크기가 상기 기준 전류보다 작은 경우 상기 복수의 제3 전류를 출력하는인공 망막 장치
4 4
제1항에 있어서,상기 복수의 아마크린 셀 회로는,상기 복수의 제2 전류가 상기 육각뿔의 밑면 꼭지점에 해당하는 노드에 각각 입력됨에 따른 전압들의 평균 전압인 제2 평균 전압 또는 상기 복수의 제3 전류가 상기 육각뿔의 밑면 꼭지점에 해당하는 노드에 각각 입력됨에 따른 전압들의 평균 전압인 제3 평균 전압을 출력하는인공 망막 장치
5 5
제1항에 있어서,상기 신경절 셀 회로는,상기 제4 전류에 응답하여 상기 지속적인 응답 또는 상기 과도 응답을 생성하는 온(on) 신경절 셀 회로; 및상기 제5 전류에 응답하여 상기 지속적인 응답 또는 상기 과도 응답을 생성하는 오프(off) 신경절 셀 회로를 포함하는 인공 망막 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 충북대학교 개인기초연구 인공망막을 위한 CMOS기반의 망망셀의 전기적 모델링 및 회로연구