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결정 성장 장치용 가변 리플렉터

  • 기술번호 : KST2020011792
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 결정 성장 장치용 가변 리플렉터에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 결정 성장을 위한 원료 용융액이 수용되는 도가니; 상기 원료 용융액에 침잠되며, 결정핵이 부착되는 지지봉; 및 상기 지지봉과 도가니를 상부가 개방되고 측부가 폐쇄되도록 마련되는 절연용기; 상기 절연용기의 외주부에 상기 절연용기를 감싸도록 마련되는 가열부;를 포함하여 구성되는 결정 성장 장치에 있어서, 상기 절연용기는 그 내주면에 슬릿이 형성되고, 상기 슬릿을 연결하여 형성되는 가상의 폐곡선은 하나의 수평면 내에 위치되며, 상기 슬릿이 복수개인 경우, 상기 슬릿은 절연용기의 내주면에 상하로 배치되어 상기 슬릿 중 어느 하나에 리플렉터가 가변적으로 장착되는 것을 특징으로 하는 결정 성장 장치용 가변 리플렉터를 제공한다. 이상과 같은 본 발명에 따르면, 리플렉터의 위치를 가변화하고 가변화된 리플렉터의 위치를 조절함으로써 결정 시드로의 열 흐름을 제어하여 결정 성장 속도를 높이고, 결정 성장을 보다 원활하게 할 수 있도록 하는 효과를 기대할 수 있다.
Int. CL C30B 15/12 (2006.01.01) C30B 15/20 (2006.01.01) C30B 29/36 (2006.01.01) C30B 35/00 (2006.01.01)
CPC C30B 15/12(2013.01) C30B 15/12(2013.01) C30B 15/12(2013.01) C30B 15/12(2013.01)
출원번호/일자 1020190017368 (2019.02.14)
출원인 한국세라믹기술원, 동의대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0099408 (2020.08.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.02.14)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***
2 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정성민 경기도 수원시 장안구
2 배시영 경상남도 진주시
3 신윤지 경상남도 김해시
4 유영재 경상남도 진주시 하대로**번
5 김대성 부산광역시 부산진구
6 이원재 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 수 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 케이앤와이빌딩)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-0158300-67
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2019.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2019-0445510-03
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0106856-16
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.08.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0537947-81
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2020-1056853-71
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.10.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1056856-18
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번호 청구항
1 1
결정 성장을 위한 원료 용융액이 수용되는 도가니; 상기 원료 용융액에 침잠되며, 결정핵이 부착되는 지지봉; 및 상기 지지봉과 도가니를 상부가 개방되고 측부가 폐쇄되도록 마련되는 절연용기; 상기 절연용기의 외주부에 상기 절연용기를 감싸도록 마련되는 가열부;를 포함하여 구성되는 결정 성장 장치에 있어서,상기 절연용기는 그 내주면에 슬릿이 형성되고, 상기 슬릿이 복수개인 경우, 상기 슬릿은 절연용기의 내주면에 상하로 배치되어 상기 슬릿 중 어느 하나에 리플렉터가 가변적으로 장착되는 것을 특징으로 하는 결정 성장 장치용 가변 리플렉터
2 2
제1항에 있어서,상기 절연용기는 복수개의 부분 절연용기가 적층되어 구성되며,상기 부분 절연용기는 상하 관통된 구조로서, 상부 용기와, 상기 상부 용기의 구경보다 작은 하부 용기가 일체로 구성되며, 상방에 위치한 절연용기의 하부 용기가 하방에 위치한 절연용기의 상부 용기에 수용되되,슬릿은 상방에 위치한 절연용기의 하부용기와 하방에 위치한 절연용기의 상부용기 사이의 공간에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 결정 성장 장치용 가변 리플렉터
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 슬릿 중 최상부 슬릿은 도가니의 상단보다 높은 위치에 존재하며, 최하부 슬릿은 도가니의 하단보다 낮은 위치에 존재하는 것을 특징으로 하는 결정 성장 장치용 가변 리플렉터
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 슬릿을 연결하여 형성되는 가상의 폐곡선은 하나의 수평면 내에 위치되는 것을 특징으로 하는 결정 성장 장치용 가변 리플렉터
5 5
제2항에 있어서,상기 부분 절연용기는 상부용기와 하부용기가 서로 상하 일부 중첩된 형태를 이루며, 상부용기의 하단이 하부용기의 상단보다 아래부분에 위치하고, 하부용기의 상단이 상부용기의 하단보다 위부분에 위치하는 것을 특징으로 하는 결정 성장 장치용 가변 리플렉터
6 6
제1항에 있어서,상기 리플렉터는 중앙에 천공부가 마련된 평면인 것을 특징으로 하는 결정 성장 장치용 가변 리플렉터
7 7
제6항에 있어서,상기 천공부의 직경은 도가니의 구경보다 큰 것을 특징으로 하는 결정 성장 장치용 가변 리플렉터
8 8
제1항에 있어서,상기 슬릿은 가열부와 인접한 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 결정 성장 장치용 가변 리플렉터
9 9
제1항에 있어서,상기 리플렉터는 상기 도가니의 하단부를 가열하도록 도가니의 하단부와 인접하는 슬릿에 장착되는 것을 특징으로 하는 결정 성장 장치용 가변 리플렉터
10 10
제1항에 있어서,상기 리플렉터는,전체적인 두께가 슬릿의 폭보다 얇은 것을 특징으로 하는 결정 성장 장치용 가변 리플렉터
11 11
제1항에 있어서,상기 리플렉터는,슬릿에 장착되는 부분이 슬릿의 폭보다 얇고, 슬릿의 외부로 노출되는 부분이 슬릿의 폭보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 결정 성장 장치용 가변 리플렉터
12 12
제1항에 있어서,상기 리플렉터는,슬릿에 장착되는 제1부분이 슬릿의 폭보다 얇고, 슬릿의 외부로 노출되는 제2부분이 슬릿의 폭보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 결정 성장 장치용 가변 리플렉터
13 13
제12항에 있어서,상기 제2부분의 두께는 제1부분의 두께의 5배 ~ 10배인 것을 특징으로 하는 결정 성장 장치용 가변 리플렉터
14 14
제1항에 있어서,상기 리플렉터는,원료 용융액의 열흐름을 제어하기 위하여 도가니와 인접한 영역에 복수개 설치되는 것을 특징으로 하는 결정 성장 장치용 가변 리플렉터
15 15
제1항에 있어서,상기 원료 용융액은 Si 용융액이며, 성장 대상 결정은 SiC인 것을 특징으로 하는 결정 성장 장치용 가변 리플렉터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 산업통상자원부 일진디스플레이 전략적핵심소재기술개발사업 TSSG법에 의한 전위밀도 300ea/cm2이하 고품질 SiC 단결정 성장기술 개발