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용기 내에 수용된 질화알루미늄 재료물질 및 사파이어 종자정과 상기 용기가 장입되어 가열되는 가열로를 포함하고, 상기 가열로 내에서 상기 질화알루미늄 재료물질을 승화시킴으로써 상기 사파이어 종자정 상에 질화알루미늄 단결정을 성장시키는 제조장치에 있어서,상기 용기는 그래파이트 도가니와, 상기 그래파이트 도가니에 대응하는 형상을 갖고 상기 그래파이트 도가니의 내측에 끼움 결합된 텅스텐 도가니로 구성된 이중 도가니이고, 상기 질화알루미늄 재료물질 및 상기 사파이어 종자정은 상기 텅스텐 도가니의 내부에 배치되는 것을 특징으로 하는 제조장치
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제1항에 있어서,상기 가열의 온도는 1800℃＜T≤1950℃ 범위인 것을 특징으로 하는 제조장치
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제1항에 있어서,상기 질화알루미늄 재료물질은 질화알루미늄 분말인 것을 특징으로 하는 제조장치
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제3항에 있어서,상기 질화알루미늄 분말은 비정질인 것을 특징으로 하는 제조장치
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제3항에 있어서,상기 질화알루미늄 재료물질은 천이금속 산화물 분말을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 제조장치
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제1항에 있어서,상기 이중 도가니는 상기 텅스텐 도가니의 종축상 중앙부에 상기 가열로의 핫존이 위치되도록 하는 상기 가열로 내의 종축상 위치에 배치된 것을 특징으로 하는 제조장치
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제1항에 있어서,상기 이중 도가니는 상기 그래파이트 도가니의 벽두께가 증가할수록 발열성능이 증가하는 것을 특징으로 하는 제조장치
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제1항에 있어서,상기 그래파이트 도가니의 벽두께는 10~20㎜ 범위인 것을 특징으로 하는 제조장치
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제1항에 있어서, 상기 텅스텐 도가니의 내부에서 상기 사파이어 종자정은 상기 AlN 재료물질의 상측에 배치되는 것을 특징으로 하는 제조장치
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사파이어 종자정 상에 승화에 의해 질화알루미늄 단결정을 성장시켜 제조하는 방법에 있어서,그래파이트 도가니와, 상기 그래파이트 도가니에 대응하는 형상을 갖고 상기 그래파이트 도가니의 내측에 끼움 결합된 텅스텐 도가니로 구성되는 이중 도가니를 사용하여 상기 텅스텐 도가니 내에 질화알루미늄 분말과 상기 사파이어 종자정을 배치하는 단계와;상기 이중 도가니를 가열함으로써 상기 이중 도가니 내부에서 상기 질화알루미늄 분말을 승화시켜 상기 사파이어 종자정 상에 질화알루미늄 단결정을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
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제10항에 있어서,상기 가열하는 온도는 1800℃＜T≤1950℃ 범위로 되는 것을 특징으로 하는 방법
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