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음극층;상기 음극층 상에 YSZ(yttria stabilized zirconia)층과 희토류-도핑된 세리아(rare-earth-doped ceria, RDC)층이 차례로 적층된 이중층과, 상기 이중층 사이에 위치하고, 프라세오디뮴(Pr)이 도핑된 계면층을 포함하는 전해질층; 및상기 전해질층 상에 형성된 양극층을 포함하는, 고체산화물 연료전지
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제1항에 있어서,상기 계면층은, 상기 YSZ층 및 RDC층 사이의 계면에 형성된 Ce-Zr 산화물 고용체(solid solution)이고, 상기 프라세오디뮴(Pr)은 상기 Ce-Zr 산화물 내에 도핑되는 것인, 고체산화물 연료전지
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제2항에 있어서,상기 프라세오디뮴(Pr)은 상기 Ce-Zr 산화물 고용체(solid solution)내에 도핑되되, 상기 YSZ층과 접하는 계면 및 상기 RDC층과 접하는 계면에서의 농도보다 내부에서의 농도가 더 높은 것인, 고체산화물 연료전지
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제3항에 있어서, 상기 계면층에서, 지르코늄(Zr) 농도는 상기 YSZ층과 접하는 계면에서 상기 RDC층과 접하는 계면으로 갈수록 감소하고, 세륨(Ce)의 농도는 상기 RDC층과 접하는 계면에서 상기 YSZ층과 접하는 계면으로 갈수록 감소하는 것인, 고체산화물 연료전지
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음극층을 형성하는 단계;상기 음극층 상에 YSZ(yttria stabilized zirconia)층, 프라세오디뮴(Pr)이 코팅된 계면층 및 희토류-도핑된 세리아(rare-earth-doped ceria, RDC)층이 차례로 적층된 전해질층을 형성하는 단계; 및상기 전해질층 상에 양극층을 형성하는 단계를 포함하는 고체산화물 연료전지 제조방법
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제5항에 있어서,상기 전해질층을 형성하는 단계는, 상기 음극층 상에 YSZ층을 형성하는 단계;상기 YSZ층 상에 프라세오디뮴 산화물 박막을 형성하는 단계; 및상기 프라세오디뮴 산화물 박막 상에 열처리하여 GDC층을 형성하는 단계를 포함하는 것인, 고체산화물 연료전지 제조방법
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제6항에 있어서,상기 열처리는 상기 YSZ층 및 상기 GDC층 사이의 계면에 Ce-Zr 산화물인 계면층을 형성하고, 상기 Ce-Zr 산화물 내에 프라세오디뮴을 도핑하는 것인, 고체산화물 연료전지 제조방법
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제6항에 있어서,상기 열처리는 1000℃ 내지 1500℃에서 수행되는 것인, 고체산화물 연료전지 제조방법
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제6항에 있어서,상기 프라세오디뮴 산화물 박막은 비정질 상태인 것인, 고체산화물 연료전지 제조방법
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