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금속 나노클러스터; 및금속 이온, 및 상기 금속 이온과 결합된 리간드를 포함하는 금속-리간드 복합체를 포함하되,수소 이온 농도에 따라, 코어-쉘 구조체 또는 분산체로 가역적으로 변환되고,상기 코어-쉘 구조체는, 상기 금속-리간드 복합체가 상기 금속 나노클러스터의 표면을 감싸는 것을 포함하고,상기 분산체는, 상기 금속 나노클러스터로부터 상기 금속-리간드 복합체가 분산된 것을 포함하는 금속 구조체
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제1 항에 있어서,상기 수소 이온 농도가 상대적으로 높은 경우, 상기 금속-리간드 복합체 간의 결합이 유도되어, 상기 금속 나노클러스터 표면 상에 상기 금속-리간드 복합체가 응집된 상기 코어-쉘 구조체를 형성하고,상기 수소 이온 농도가 상대적으로 낮은 경우, 상기 금속-리간드 복합체가 상기 금속 나노클러스터 표면에서 해리되어 상기 분산체를 형성하는 것을 포함하는 금속 구조체
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제1 항에 있어서,상기 리간드는, 티올레이트기(thiolate), 카르복실기(carboxyl), 또는 티올기(thiol) 중에서 어느 하나의 작용기를 포함하는 금속 구조체
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제1 항에 있어서,산성 조건에서 제1 광 발광(Photo-luminescence) 세기를 갖고,염기성 조건에서 제1 광 발광 세기보다 낮은 제2 광 발광 세기를 갖는 금속 구조체
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제1 항에 있어서,상기 금속 나노클러스터의 입자 크기가 커질수록, 광 발광 세기가 증가하는 것을 포함하는 금속 구조체
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제1 항에 있어서,상기 금속 나노클러스터의 입자 크기가 커질수록, 400 내지 600nm의 범위에서 흡광(Absorbance) 세기가 증가하는 것을 포함하는 금속 구조체
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광전극;상대 전극;상기 광전극과 상기 상대 전극 사이에 배치된 전해질; 및상기 광전극 상에 형성된 광변환층을 포함하되,상기 광변환층은, 전극 입자와 결합된 제1 항에 따른 금속 구조체를 포함하는 태양전지
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금속 화합물, 및 리간드 전구체를 혼합하여 베이스 용액을 준비하는 단계;상기 베이스 용액의 수소 이온 농도를 감소시켜, 상기 금속 화합물, 및 상기 리간드 전구체로부터 금속-리간드 복합체를 제조하는 단계; 및상기 베이스 용액을 가열하여, 상기 금속 화합물로부터 금속 나노클러스터를 형성하여, 상기 금속-리간드 복합체, 및 상기 금속 나노클러스터가 분산된 분산체를 제조하는 단계를 포함하는 금속 구조체의 제조 방법
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제8 항에 있어서,상기 분산체를 제조하는 단계 후에,상기 베이스 용액의 수소 이온 농도를 증가시켜, 상기 금속 나노클러스터 표면에서 상기 금속-리간드 전구체의 응집으로, 상기 금속 나노클러스터, 및 상기 금속 나노클러스터의 표면을 감싸는 상기 금속-리간드 복합체를 갖는 코어-쉘 구조체를 제조하는 단계를 포함하는 금속 구조체의 제조 방법
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제8 항에 있어서,상기 베이스 용액을 제조하는 단계는,용매 내에 상기 금속 화합물, 및 상기 리간드 전구체를 제공하는 단계;상기 용매 내에서 상기 금속 화합물의 금속 이온이 해리되는 단계; 및상기 금속 이온, 및 상기 리간드 전구체의 작용기가 결합하여, 금속-리간드 단위체를 형성하는 단계를 포함하고,상기 금속-리간드 복합체를 제조하는 단계는,상기 금속-리간드 단위체의 올리고머화 반응으로 상기 금속-리간드 복합체를 형성하는 단계를 포함하되,상기 작용기는, 티올레이트기(thiolate), 카르복실기(carboxyl), 또는 티올기(thiol) 중에서 어느 하나를 포함하는 금속 구조체의 제조 방법
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제8 항에 있어서,상기 금속 나노클러스터를 형성하는 단계에서, 상기 베이스 용액을 가열하는 온도가 높을수록, 제조된 상기 금속 나노클러스터의 평균 입경이 증가하는 것을 포함하는 금속 구조체의 제조 방법
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제8 항에 있어서, 상기 금속 화합물은, 질산은(AgNO3)인 것을 포함하는 금속 구조체의 제조 방법
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제8 항에 있어서,상기 리간드 전구체는, 글루타티온(Glutathione)인 것을 포함하는 금속 구조체의 제조 방법
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