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(a) 유리 기판 상에 형성된 Pt 인터디지털 커패시터(Pt interdigital capacitor)로 된 다수의 Pt 전극(Pt Elecctrode)을 형성하는 단계; (b) 실온에서, BaTiO3 에어로졸 증착(AD) 공정을 사용하여 상기 Pt 인터디지털 캐패시터로 된 다수의 Pt 전극이 형성되어 있는 상기 유리 기판에 BaTiO3 막을 증착하는 단계; 및(c) 그 위에 하부 층(dense layer, 고밀도 층)과, 상기 하부 층 위에 형성된 밀집된 상부 층(sparse layer, 저밀도 층)으로 구성된 상이한 공극률(void fractional volumes, VFVs)을 갖는 이중층 흡습성 막이 형성된 습도 센서를 구비하는 단계를 포함하며, 상기 단계 (b)에서, BaTiO3 에어로졸 증착(AD)시에 BaTiO3 에어로졸을 가속시켜 챔버 내에서 더 높은 가스 유속 및 입자 충돌 속도를 달성하도록 헬륨(He)을 캐리어 가스로 사용하고, 상기 습도 센서는 내부 모세관 다공성 구조(internal capillary porous structure)를 이루며, 커패시턴스의 변화량에 의해 습도를 측정하며,상기 커패시턴스는 상기 Pt 인터디지털 커패시터에서 생성된 박막 커패시턴스 Cfilm, 기판 커패시턴스 Csub 및 측정 라인 손실 Closs 를 포함하며, Cmeas = Csub + Cfilm + Closs에 의해 계산되고, 습도 센서의 성능을 나타내는 감도(S, Sensitivity)는 에 의해 계산되며, △C는 커패시턴스의 변화량, △RH는 상대 습도의 변화량 이며, 90% 및 20% RH에서 수분 함침된 BaTiO3(water-impregnated BaTiO3)의 각 층의 상대 유전율(relative permittivities)은 - 식 7을 사용하여 계산되며, 하나의 층에서 다음 층으로 갈 때 관찰된 유전율 감소(permittivity reduction)는 병렬-타입 구성(parallel-type configuration) 및 Neumann 경계 조건(Neumann boundary conditions)에서 cascading 된 이러한 층들과 함께 전계 효과 장벽(electric field barrier)으로 동작하고,유전율(permittivity)이 증가하는 경우, 전계(electric filed)가 전극면으로부터 더 강하게 유도될 때, 층들은 직렬로 결합된 것으로 가정하고, Dirichlet 경계 조건이 층 인터페이스(layer interface)에서 적용되며, 20% 및 90% RH에서 상기 이중층 흡습성 막의 커패시턴스는 (13), (14)와 같이 계산될 수 있으며, (13) (14)여기서, 이중층 흡습성 막의 하부 층과 상부 층의 상대 유전율(ε1, ε2) 일때, εm은 BaTiO3(moisture-impregnated BaTiO3)의 흡습성 막의 혼합 유전 상수(mixed dielectric constant), CRH는 내부 및 외부 유닛 커패시턴스(interior and exterior unit capacitances), L은 전극 핑거(electrode fingers)의 길이, 는 금속화 비율(metallization ratio) η와 높이-폭 비(height-to-width ratio) r에 의해 결정되는 내부 및 외부 IDC 유닛(internal and external IDC units)의 셀 상수(cell constant)이며, η은 금속화 비율(metallization ratio), 은 높이-폭 비(height-to-width ratio) 이며, 상기 이중층 흡습성 막은 0
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