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판 상에 패턴화된 비스무트 촉매층이 형성되는 단계; 및상기 비스무트 촉매층 상에 선택적으로 CdTe 박막이 형성되는 단계를 포함하는 카드뮴 텔룰라이드 패턴의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 비스무트 촉매층이 형성되는 단계는,상기 기판 상에 하드 마스크를 배치하는 단계; 및상기 하드 마스크가 배치된 기판 상에 비스무트 금속을 증착하여 상기 비스무트 촉매층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔룰라이드 패턴의 형성방법
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제2항에 있어서, 상기 비스무트 촉매층은 5nm 내지 50nm 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔룰라이드 패턴의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 CdTe 박막은 패턴화된 상기 비스무트 촉매층 상에서만 형성되는 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔룰라이드 패턴의 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 CdTe 박막이 형성되는 단계는,가열로 내부에 설치된 반응 튜브에 패턴화된 상기 비스무트 촉매층이 형성된 기판을 배치하는 단계;상기 반응 튜브 내에 배치된 상기 기판과 이격된 CdTe 고체 소스로부터 이동 가스를 이용하여 CdTe 소스 가스를 공급하는 단계; 및상기 CdTe 소스 가스가 상기 비스무트 촉매층 상에 선택적으로 증착되어 상기 CdTe 박막이 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔룰라이드 패턴의 형성방법
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제5항에 있어서, 상기 기판과 상기 CdTe 고체 소스의 이격거리는 6cm 내지 14cm인 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔룰라이드 패턴의 형성방법
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제5항에 있어서, 상기 이동 가스는 질소 또는 아르곤인 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔룰라이드 패턴의 형성방법
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제5항에 있어서, 상기 CdTe 고체 소스의 온도는 500℃ 내지 700℃인 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔룰라이드 패턴의 형성방법
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제5항에 있어서, 상기 기판의 온도는 360℃ 내지 540℃로 설정되는 것을 특징으로 하는 카드뮴 텔룰라이드 패턴의 형성방법
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투광성을 가지는 제1 투광성 기판;상기 제1 투광성 기판 상에 형성된 도전성의 제1 투광성 전극;상기 제1 투광성 전극 상에 형성되고, 패턴화된 비스무트 촉매층;패턴화된 상기 비스무트 촉매층 상에 형성된 CdTe 박막;상기 CdTe 박막 상에 형성된 도전성의 제2 투광성 전극; 및상기 제2 투광성 전극 상에 형성되고, 투광성을 가지는 제2 투광성 기판을 포함하는 광전자 소자
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제10항에 있어서, 상기 제1 투광성 기판과 상기 제2 투광성 기판은 동일 재질을 가지는 것을 특징으로 하는 광전자 소자
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제10항에 있어서, 패턴화된 상기 비스무트 촉매층은 5nm 내지 50nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 광전자 소자
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제10항에 있어서, 상기 CdTe 박막은 가열로 내부에 설치된 반응 튜브에 패턴화된 상기 비스무트 촉매층이 형성된 기판을 배치하고, 상기 반응 튜브 내에 배치된 상기 기판과 이격된 CdTe 고체 소스로부터 이동 가스를 이용하여 CdTe 소스 가스를 공급하여 형성되는 것을 특징으로 하는 광전자 소자
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제10항에 있어서, 상기 CdTe 박막은 wurzite 결정 구조 또는 zinc blende 구조를 가지는 다결정체인 것을 특징으로 하는 광전자 소자
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제14항에 있어서, 상기 CdTe 박막은 압력과 광이 동시에 인가될 경우, 가장 높은 출력전류를 형성하는 피에조 포토트로닉 특성을 가지는 것을 특징으로 하는 광전자 소자
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