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기판;상기 기판 상에 배치된 제1 전극; 상기 제1 기판 상부에 배치된 제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 발진 매질, 상기 발진 매질을 사이에 두고 상기 기판의 표면에 수평한 제1 수평 방향으로 이격되게 배치된 제1 수평 DBR 미러 구조 및 제2 수평 DBR 미러 구조를 구비하는 광 공진기를 포함하는, 레이저 장치
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제1항에 있어서,상기 발진 매질은 하기 화학식 1로 표현되는 페로브스카이트 결정구조의 할로겐화물로 형성된 것을 특징으로 하는, 레이저 장치:[화학식 1]상기 화학식 1에서, A는 유기 양이온 또는 제1 금속의 양이온이고, B는 제2 금속 양이온이며, X는 할로겐 음이온이다
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제2항에 있어서,상기 A는 CH3NH3+, (C6H5C2H4-NH3)2+ 및 Cs+로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 포함하고,상기 B는 Pb2+, Sn2+, Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Yb2+, Ge2+, Bi3+ 및 Sb3+로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 포함하며,X는 F-, Cl-, Br- 및 I-로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 레이저 장치
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제1항에 있어서,상기 제1 수평 DBR 미러 구조는 상기 제1 수평 방향으로 교대로 적층된 복수의 제1 고굴절률 패턴들과 복수의 제1 저굴절률 패턴들을 포함하고,상기 제2 수평 DBR 미러 구조는 상기 제1 수평 방향으로 교대로 적층된 복수의 제2 고굴절률 패턴들과 복수의 제2 저굴절률 패턴들을 포함하며,상기 제1 및 제2 고굴절률 패턴들은 제1 굴절률을 갖는 재료로 형성되고, 상기 제1 및 제2 저굴절률 패턴들은 상기 제1 굴절률보다 작은 제2 굴절률을 갖는 재료로 형성된 것을 특징으로 하는, 레이저 장치
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제4항에 있어서,상기 제1 및 제2 고굴절률 패턴들 각각은 상기 제1 수평방향으로의 폭이 W1이고, 상기 제1 수평방향과 직교하는 제2 수평방향으로의 길이가 L이며, 상기 제1 및 제2 수평방향과 직교하는 수직 방향으로의 높이가 ‘’인 직육면체 형상을 갖고, 상기 제1 및 제2 고굴절률 패턴들은 상기 W1보다 큰 W2만큼 이격되게 배치되며,상기 제1 저굴절률 패턴들은 상기 제1 고굴절률 패턴들 사이의 공간들을 각각 채우고, 상기 제2 저굴절률 패턴들은 상기 제2 고굴절률 패턴들 사이의 공간들을 각각 채우는 것을 특징으로 하는, 레이저 장치
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제1항에 있어서,상기 제1 수평 DBR 미러 구조와 상기 제2 수평 DBR 미러 구조의 상기 제1 수평방향으로의 이격간격이 상기 발진 매질의 상기 제1 수평방향으로의 폭보다 큰 경우, 상기 광 공진기는 상기 제1 수평 DBR 미러 구조와 상기 제2 수평 DBR 미러 구조 사이의 공간 중 상기 발진 매질에 의해 차지된 공간을 제외한 나머지 공간을 채우는 필링 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 레이저 장치
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제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2 고굴절률 패턴의 폭(W1), 상기 제1 및 제2 저굴절률 패턴의 폭(W2) 그리고 상기 제1 수평 DBR 미러 구조와 상기 제2 수평 DBR 미러 구조 사이의 상기 제1 수평 방향의 이격간격(W3)은 하기 수식 1 내지 3에 의해 결정되는 값에 대해 오차범위가 5% 이내인 값을 갖는 것을 특징으로 하는, 레이저 장치:[수식 1][수식 2][수식 3][수식 4]상기 수식 1 내지 3에 있어서, λ는 상기 레이저 장치 발진 파장을 나타내고, n1 및 n2는 고굴절률 패턴을 형성하는 물질 및 저굴절률 패턴을 형성하는 물질의 굴절률들을 각각 나타내고, n3는 상기 수식 4에 의해 결정되는 상기 발진 매질과 상기 필링 패턴의 복합 굴절률을 나타내고, m은 1 이상 10 이하의 정수를 나타내고, 상기 수식 4에서, n4 및 n5는 상기 발진 매질 및 상기 필링 패턴을 형성하는 물질들의 굴절률들을 각각 나타내고, A는 상기 발진 매질의 상기 제1 수평방향으로의 폭을 나타내며, G는 상기 발진 매질과 상기 제1 수평 DBR 미러 구조 사이의 이격간격을 나타낸다
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제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 고굴절률 패턴들은 상기 발진 매질과 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는, 레이저 장치
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제1항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 발진 매질 사이에 배치된 제1 전하 수송층; 및상기 제2 전극과 상기 발진 매질 사이에 배치된 제2 전하 수송층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 레이저 장치
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제9항에 있어서, 상기 제1 및 제2 수평 DBR 미러 구조들은 상기 제1 전하 수송층과 상기 제2 전하 수송층 사이에 배치된 것을 특징으로 하는, 레이저 장치
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제9항에 있어서,상기 발진 매질은 서로 마주보는 제1 측면과 제2 측면 그리고 제3 측면과 제4 측면을 포함하는 직육면체 형상을 갖고,상기 제1 및 제2 수평 DBR 미러 구조는 상기 발진 매질의 상기 제1 측면과 제2 측면과 각각 마주보도록 배치되고,상기 광 공진기는 상기 발진 매질의 상기 제3 측면과 제4 측면과 각각 마주보도록 배치된 제3 및 제4 수평 DBR 미러 구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 레이저 장치
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제9항에 있어서,상기 발진 매질은 서로 마주보는 제1 측면과 제2 측면, 제3 측면과 제4 측면 그리고 제5 측면과 제6 측면을 포함하는 육각 기둥 구조의 팔면체 형상을 갖고, 상기 제1 및 제2 수평 DBR 미러 구조는 상기 발진 매질의 상기 제1 측면과 제2 측면과 각각 마주보도록 배치되고,상기 광 공진기는 상기 발진 매질의 상기 제3 측면과 제4 측면과 각각 마주보도록 배치된 제3 및 제4 수평 DBR 미러 구조들 및 상기 제5 측면과 상기 제6 측면과 각각 마주보도록 배치된 제5 및 제6 수평 DBR 미러 구조들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 레이저 장치
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친수성 표면을 구비하는 기판 상에 소수층 박막을 형성하는 단계;리소그라피 공정을 통해 상기 소수성 박막의 표면 영역 중 발진 매질에 해당하는 제1 영역, 제1 수평 DBR 미러 구조의 제1 고굴절률 패턴들에 대응되는 제2 영역 및 제2 수평 DBR 미러 구조의 제2 고굴절률 패턴들에 대응되는 제3 영역을 제거하여 상기 기판의 친수성 표면 영역을 노출시키는 단계;상기 리소그라피 공정이 수행된 상기 소수성 박막 상에 페로브스카이트 할로겐화물 용액을 도포한 후 결정화시켜, 상기 발진 매질 그리고 상기 제1 및 제2 고굴절률 패턴들을 형성하는 단계; 상기 제1 내지 제3 영역의 미결정화된 페로브스카이트 할로겐화물 용액 및 잔류하는 상기 소수성 박막을 제거하는 단계; 및상기 제1 고굴절률 패턴들 사이의 공간 및 상기 제2 고굴절률 패턴들 사이의 공간을 상기 제1 및 제2 고굴절률 패턴들보다 낮은 굴절률을 갖는 물질로 채워, 상기 제1 고굴절률 패턴들과 상기 기판에 수평한 제1 수평방향으로 교대로 적층되는 제1 저굴절률 패턴들 및 제2 고굴절률 패턴들과 상기 제1 수평방향으로 교대로 적층되는 제2 저굴절률 패턴들을 형성하는 단계를 포함하는, 광 공진기의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 발진 매질 그리고 상기 제1 및 제2 고굴절률 패턴들은 하기 화학식 1로 표현되는 페로브스카이트 결정구조의 할로겐화물로 형성된 것을 특징으로 하는, 광 공진기의 제조방법:[화학식 1]상기 화학식 1에서, A는 유기 양이온 또는 제1 금속의 양이온이고, B는 제2 금속 양이온이며, X는 할로겐 음이온이다
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