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물을 포함하는 2상 딥코팅용 조성물 및 이를 이용한 고분자 박막의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2020011981
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 2상(Bi-phasic) 딥코팅용 조성물 및 이를 이용한 반도체 고분자 박막의 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 하부 상(bottom phase)으로 물; 및 상부 상(top phase)으로 전도성 고분자 용액을 포함하는 2상 딥코팅용 조성물에 관한 것으로 용매 상호작용에 의하여 균일하면서도 결정성이 높은 박막을 얻을 수 있고, 이를 채용한 소자의 전기적 성능을 크게 향상시킬 수 있는 반도체 고분자 박막의 형성 방법, 이를 통해 형성된 반도체 고분자 박막, 및 이를 포함한 전계효과 트랜지스터(FETs)에 관한 것이다.
Int. CL C09D 5/24 (2006.01.01) H01B 1/12 (2006.01.01) C09D 7/20 (2018.01.01) B05D 1/18 (2006.01.01)
CPC C09D 5/24(2013.01) C09D 5/24(2013.01) C09D 5/24(2013.01) C09D 5/24(2013.01)
출원번호/일자 1020190005665 (2019.01.16)
출원인 인천대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0089058 (2020.07.24) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.01.16)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인천대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 연수구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박영돈 인천광역시 연수구
2 권은혜 충청북도 제천시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 차준용 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 ***(구로동) 제이엔케이디지털타워 ****호(거번국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인천대학교 산학협력단 인천광역시 연수구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2019-0053526-94
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.10.11 수리 (Accepted) 9-1-2019-0046978-06
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.14 수리 (Accepted) 4-1-2019-5212872-93
5 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2019.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2019-1321291-47
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0209334-54
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.05.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0514589-19
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2020-0514578-17
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2020.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0618245-71
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2020.10.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-1058872-85
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2020-1058854-63
12 등록결정서
Decision to Grant Registration
2020.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0738964-61
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부 상(bottom phase)으로 물;및 상부 상(top phase)으로 폴리(3-헥실)티오펜(poly(3-hexyl)thiophene: P3HT) 용액을 포함하고,상기 폴리(3-헥실)티오펜 용액의 용매는 비점이 50~200℃이고, 상기 비점이 증가할수록 고분자 필름의 결정성이 증가하며,상기 폴리(3-헥실)티오펜(poly(3-hexyl)thiophene: P3HT) 용액 위에 용매 첨가제를 플로팅(floating)시킨 것을 특징으로 하고, 상기 폴리(3-헥실)티오펜(poly(3-hexyl)thiophene: P3HT) 용액의 용매는 클로로포름(CF)이고, 상기 용매 첨가제는 클로로벤젠(CB)인 것을 특징으로 하는, 2상 딥코팅용 조성물
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5 5
제1항에 있어서, 상기 용매 첨가제는 폴리(3-헥실)티오펜(poly(3-hexyl)thiophene: P3HT) 용매의 증발속도를 감소시키는 것을 특징으로 하는 2상 딥코팅용 조성물
6 6
제1항에 있어서, 상기 폴리(3-헥실)티오펜(poly(3-hexyl)thiophene: P3HT) 용액의 용매와 용매 첨가제의 한센 용해도 파라미터(HSP) 차이는 2
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8 8
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제1항에 있어서,상기 물은 탈이온수(DI water)인 것을 특징으로 하는 2상 딥코팅용 조성물
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1) 하부 상(bottom phase)으로 물을 위치시키는 단계; 2) 상부 상(top phase)으로 폴리(3-헥실)티오펜(poly(3-hexyl)thiophene: P3HT) 용액을 물 위에 적하하여 2상 딥코팅 용액을 제조하는 단계; 3) 상기 2상 딥코팅 용액에 기판을 침지시키는 단계;및4) 상기 기판을 회수하는 단계를 포함하고, 상기 폴리(3-헥실)티오펜 용액의 용매는 비점이 50~200℃이고, 상기 비점이 증가할수록 고분자 필름의 결정성이 증가하는 것을 특징으로 하며,상기 2) 단계 이후, 상기 폴리(3-헥실)티오펜(poly(3-hexyl)thiophene: P3HT) 용액 위에 용매 첨가제를 적하하여 플로팅(floating)시키는 단계를 더 포함하고, 상기 폴리(3-헥실)티오펜(poly(3-hexyl)thiophene: P3HT) 용액의 용매는 클로로포름(CF)이고, 상기 용매 첨가제는 클로로벤젠(CB)인 것을 특징으로 하는, 반도체 고분자 박막의 형성 방법
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제12항에 의하여 형성된 반도체 고분자 박막
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제15항에 따른 반도체 고분자 박막을 포함하는 전계효과 트랜지스터(Field-Effect Transistors; FETs)
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 인천대학교 일반연구자 지원사업 상분리가 조절된 MOF/공액고분자 혼성박막 기반의 고성능 기체센서 개발
2 산업통상자원부 한국외국어대학교 산업핵심기술개발사업 자기조립 일차원 섬유소재형 광전자소자 개발