| 1 |
1
피에조-포토트로닉스 소자로서,판 형태의 지지체;상기 지지체의 상면에 마련되는 전하수송층; 및상기 전하수송층의 상면에 마련되어 빛에 의해 전기에너지를 발생시키고, 스트레인에 의하여 전기적 특성이 변화하는 압-광전층; 을 포함하는 피에조-포토트로닉스 소자
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 피에조-포토트로닉스 소자는 400 내지 700nm 파장의 전자기파에서 투과율이 60% 이상인, 피에조-포토트로닉스 소자
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 압-광전층은 산화아연을 포함하는, 피에조-포토트로닉스 소자
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 전하수송층은 은나노와이어를 포함하는, 피에조-포토트로닉스 소자
|
| 5 |
5
청구항 1에 있어서,상기 지지체는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)인, 피에조-포토트로닉스 소자
|
| 6 |
6
피에조-포토트로닉스 소자의 제조방법으로서,판 형태의 지지체를 세척하는 단계;상기 지지체의 상면에 전하수송층을 코팅하는 단계; 및상기 전하수송층의 상면에 빛에 의해 전기에너지를 발생시키고, 스트레인에 의하여 전기적 특성이 변화하는 압-광전층을 증착하는 단계; 를 포함하는, 피에조-포토트로닉스 소자의 제조방법
|
| 7 |
7
청구항 6에 있어서,상기 전하수송층은 은나노와이어를 포함하는, 피에조-포토트로닉스 소자의 제조방법
|
| 8 |
8
청구항 7에 있어서,상기 지지체 상에 전하수송층을 코팅하는 단계는,상기 지지체 상에 은나노와이어를 스핀 코팅하는 단계; 및기설정된 온도에서 어닐링 하는 단계; 를 포함하는, 피에조-포토트로닉스 소자의 제조방법
|
| 9 |
9
청구항 6에 있어서,상기 압-광전층은 산화아연을 포함하는, 피에조-포토트로닉스 소자의 제조방법
|
| 10 |
10
청구항 9에 있어서,상기 압-광전층을 증착하는 단계는,원자층증착(ALD)방법을 이용하여 산화아연박막을 증착하는, 피에조-포토트로닉스 소자의 제조방법
|
