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투명 유연 기판;상기 투명 유연 기판 상의 산화 티타늄막; 및상기 산화 티타늄막 상에서 상기 산화 티타늄막과 직접 접하는 산화 은막을 포함하되,상기 투명 유연 기판, 상기 산화 티타늄막 및 상기 산화 은막은 전체적으로 플렉서블하고, 투명한 포토디텍터
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제1 항에 있어서,상기 산화 은막은 AgO 및 Ag2O를 모두 포함하는 포토디텍터
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제1 항에 있어서,상기 산화 은막의 상부 또는 상기 산화 티타늄막의 하부에 접하는 투명 전도막을 더 포함하는 포토디텍터
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제3 항에 있어서,상기 투명 전도막의 두께는 10 내지 1000nm인 포토디텍터
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투명 유연 기판 상에 투명 전도막을 스퍼터링하여 형성하고,상기 투명 전도막 상에 티타늄 금속을 아르곤(Ar)과 산소(O2)의 비율이 1:1 내지 100:1에서 리액티브 스퍼터링하여 산화 티타늄막을 형성하고,상기 산화 티타늄막 상에 은 금속을 아르곤(Ar)과 산소(O2)의 비율이 1:1 내지 100:1에서 리액티브 스퍼터링하여 산화 은막을 형성하는 것을 포함하되,상기 투명 유연 기판, 상기 투명 전도막, 상기 산화 티타늄막 및 상기 산화 은막은 투명한 포토디텍터 제조 방법
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제5 항에 있어서,상기 산화 은막을 스퍼터링하는 것은 상온(room temperature) 내지 300℃ 이하의 온도에서 스퍼터링을 하는 것을 포함하는 포토디텍터 제조 방법
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제5 항에 있어서,상기 산화 티타늄막을 형성하는 것은,상기 투명 전도막의 상면의 일부에 테이프를 부착하고,상기 산화 티타늄막을 상기 투명 전도막 상에 형성하고,상기 테이프를 제거하여 상기 산화 티타늄막의 일부를 노출시키는 것을 포함하는 포토디텍터 제조 방법
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