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투명 기판;상기 투명 기판 상의 제1 투명 전극막;상기 제1 투명 전극막 상의 산화 아연막;상기 산화 아연막 상에서 상기 산화 아연막과 타입 1 이종 접합을 형성하는 황화 텅스텐막으로서, 상기 황화 텅스텐막은 복수의 판막(platelet)을 포함하는 황화 텅스텐막; 및상기 황화 텅스텐막 상의 제2 투명 전극막을 포함하는 광대역 포토디텍터
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제1 항에 있어서,상기 제1 투명 전극막과 상기 제2 투명 전극막은 투명한 광대역 포토디텍터
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제1 항에 있어서,상기 황화 텅스텐막은 WS2를 포함하고,상기 산화 아연막은 ZnO를 포함하는 광대역 포토디텍터
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제1 항에 있어서,상기 복수의 판막은 수직 방향으로 성장되는 WS2를 포함하고,상기 WS2는 삼방정계 결정을 가지는 광대역 포토디텍터
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제4 항에 있어서,상기 복수의 판막은 각각 임의의 방향으로 수평 연장되는 광대역 포토디텍터
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FTO막이 상면에 코팅된 투명 기판을 제공하고,상기 FTO막 상에 산화 아연막을 형성하고,상기 산화 아연막 상에 황화 텅스텐막을 형성하고,상기 황화 텅스텐막 상에 ITO막을 형성하는 것을 포함하되,상기 황화 텅스텐막은 복수의 판막을 포함하고,상기 황화 텅스텐막을 형성하는 것은 상기 복수의 판막이 수직 방향으로 성장하는 것을 포함하는 광대역 포토디텍터 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 산화 아연막은 RF 스퍼터링을 통해서 형성되는 광대역 포토디텍터 제조 방법
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제7 항에 있어서,상기 RF 스퍼터링은 상온(room temperature)에서 수행되는 광대역 포토디텍터 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 복수의 판막이 수직 방향으로 성장하는 것은,WS2를 타겟으로 증착하는 것을 포함하는 광대역 포토디텍터 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 황화 텅스텐막을 형성하는 것은,황화 텅스텐막 내의 결함을 제거하기 위한 급속 열처리(Rapid Thermal Process, RTP)를 수행하는 것을 포함하는 광대력 포토디텍터 제조 방법
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