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투명 기판;상기 투명 기판 상에 상기 투명 기판과 접하는 제1 전극막;상기 제1 전극막 상에 상기 제1 전극막과 접하는 산화 티타늄막;상기 산화 티타늄막 상에 상기 산화 티타늄막과 접하는 산화 코발트막; 및상기 산화 코발트막 상에 상기 산화 코발트막과 접하는 제2 전극막을 포함하되,상기 제2 전극막은 내부에 은 나노와이어가 임베디드되는 투명 광전지
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제1 항에 있어서,상기 제2 전극막은,하부 산화 니켈막과,상기 하부 산화 니켈막 상에 배치되는 상기 은 나노와이어와,상기 은 나노 와이어 상에 배치되어 상기 은 나노와이어를 보전하는 상부 산화 니켈막을 포함하는 투명 광전지
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제1 항에 있어서,상기 제1 전극막은 ITO(Indium Tin Oxide), FTO(Fluorine-Doped Tin Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide) 및 금속 나노와이어 중 적어도 하나를 포함하는 투명 광전지
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제1 항에 있어서,상기 산화 코발트막의 두께는 1 내지 900nm인 투명 광전지
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제1 항에 있어서,상기 산화 티타늄막의 두께는 1 내지 500nm인 투명 광전지
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상면에 제1 전극막이 적층된 투명 기판을 제공하고,상기 제1 전극막 상에 산화 티타늄막을 형성하고,상기 산화 티타늄막 상에 산화 코발트막을 리액티브 스퍼터링 방식으로 형성하고,상기 제2 전극막을 상기 산화 티타늄막 상에 형성하고,상기 산화 코발트막을 급속 열처리하는 것을 포함하는 투명 광전지 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 리액티브 스퍼터링에서 공급되는 아르곤과 산소의 비율은 1:1 내지 100:1인 투명 광전지 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 산화 코발트막의 증착 온도는 1 내지 900℃인 투명 광전지 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 열처리의 온도는 100 내지 900℃인 투명 광전지 제조 방법
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