| 1 |
1
광 패널의 표면 상에 형성되어 표면 보호용으로 사용되는 DLC(Diamond-Like Carbon)막으로서, 상기 DLC막은 단위 DLC층을 포함하며, 상기 단위 DLC층들이 서로 이격하여 불연속적인 패턴으로 형성되는 광 패널 표면 보호용 DLC막
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 하기 관계식 1을 만족하는 광 패널 표면 보호용 DLC막
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 비커스 경도가 25 내지 45 GPa이며, 내부 응력이 1 내지 5 GPa인 광 패널 표면 보호용 DLC막
|
| 4 |
4
제2항에 있어서, 마모율이 1
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 400 내지 800 nm의 파장에서 광투과율이 95% 이상인 광 패널 표면 보호용 DLC막
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 평균두께가 1 내지 30 nm인 광 패널 표면 보호용 DLC막
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 DLC막은 상기 다수의 단위 DLC층 사이에 형성되는 이격 공간을 포함하는 광 패널 표면 보호용 DLC막
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 단위 DLC층의 면적에 대한 최대 지름은 2 내지 100 ㎛이며, 상기 이격 공간의 길이는 1 내지 60 ㎛인 광 패널 표면 보호용 DLC막
|
| 9 |
9
제7항에 있어서, 상기 DLC막의 전체 면적당 차지하는 상기 단위 DLC층의 면적의 비가 20 내지 60%인 광 패널 표면 보호용 DLC막
|
| 10 |
10
제1항에 있어서, 상기 DLC층은 Ti, TiN, Cr, Cu, Co, Ag 및 Si 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 금속 원자 또는 금속 화합물이 도핑된 것인 광 패널 표면 보호용 DLC막
|
| 11 |
11
광투과성 기재; 및 상기 광투과성 기재의 표면에 형성되는, 제1항 내지 제8항에서 선택되는 어느 한 항의 DLC막; 을 포함하는 광 패널
|
| 12 |
12
제12항에 있어서, 상기 광투과성 기재는 750 내지 800 nm의 파장에서 광투과율이 89% 이상이며, 상기 광투과성 기재 및 상기 DLC막으로 구성되는 다층막의 750 내지 800 nm의 파장에서 광투과율이 88% 이상인 광 패널
|
| 13 |
13
제11항에 있어서, 상기 광투과성 기재는 광투과성 고분자를 포함하는 광 패널
|
| 14 |
14
제11항의 광패널을 포함하는 태양전지
|
| 15 |
15
광투과성 기재 상에 탄소 소스를 증착하여 DLC막을 불연속적인 패턴을 갖도록 형성하는 DLC 증착 단계를 포함하는 광 패널 표면 보호용 DLC막의 제조 방법
|
| 16 |
16
제15항에 있어서, 상기 DLC 증착 단계에서, 네거티브 바이어스(Negative Bias) 전압이 30 내지 45 V인 광 패널 표면 보호용 DLC막의 제조 방법
|
| 17 |
17
제15항에 있어서, 상기 DLC 증착 단계는 s1) 광투과성 기재의 표면 상에 마스크가 적층되는 마스크 형성 단계 s2) 상기 마스크가 적층된 광투과성 기재의 표면 상에 탄소 소스를 증착하는 증착 단계 및 s3) 상기 탄소 소스가 증착된 기재의 마스크를 제거하여 단위 DLC층이 불연속적인 패턴으로 형성된 DLC막이 표면에 형성된 기재를 수득하는 마스크 제거 단계를 포함할 수 있다
|
| 18 |
18
제15항에 있어서, 상기 DLC 증착 단계에서, Ti, TiN, Cr, Cu, Co, Ag 및 Si 중에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 금속 원자 또는 금속 화합물을 포함하는 금속 소스가 함께 증착되어 금속 원자 또는 금속 화합물이 도핑된 DLC층이 형성되는 광 패널 표면 보호용 DLC막의 제조 방법
|
