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하기 화학식 1 또는 2로 표시되는, 발광 화합물:[화학식 1][화학식 2]상기 식에서,M1은 백금족 원소이고,A1 내지 A3은 각각 질소 또는 인이고,A4 및 A5는 각각 질소 또는 황이고,n은 0 내지 1의 정수이고,R1 및 R2는 각각 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10의 알킬기이고,R3 내지 R6는 각각 치환 또는 비치환된 동종 또는 이종 방향족 고리, 수소 또는 C1 내지 C10의 알킬기이고,상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 적어도 3개의 방향족 고리를 포함하고,X-는 Br-, Cl-, BF4-, PF6-, CF3SO3-, ClO4-, NO3-, (CF3SO2)2N-, (CF3CF2SO2)2N-, CN-, BH2(CN)2-, C(CN)3- 및 N(CN)2-로 이루어진 군에서 선택된 하나이다
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제1항에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 R3 내지 R6 중 적어도 하나는 하기 화학식 3으로 표시되는 치환기인, 발광 화합물:[화학식 3]상기 식에서,화학식 3의 n은 1 내지 6의 정수이고,A 고리의 2-위치 내지 6-위치는 각각 치환 또는 비치환기이다
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3
제1항에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 R3 내지 R6 중 적어도 하나는 하기 화학식 4로 표시되는 치환기인, 발광 화합물:[화학식 4]상기 식에서,A6 내지 A8은 각각 탄소 또는 질소이고,A6 내지 A8 중 적어도 하나가 탄소이고,A6 내지 A8이 각각 질소이면 이에 연결된 R7 내지 R9가 치환되지 않고,A6 내지 A8이 각각 탄소이면 R7 내지 R9는 각각 치환 또는 비치환기이고,R10은 치환 또는 비치환된 C1내지 C20의 알킬기이고,X-는 Br-, Cl-, BF4-, PF6-, CF3SO3-, ClO4-, NO3-, (CF3SO2)2N-, (CF3CF2SO2)2N-, CN-, BH2(CN)2-, C(CN)3- 및 N(CN)2-로 이루어진 군에서 선택된 하나이다
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4
제1항에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 R3 내지 R6 중 적어도 하나는 하기 화학식 5 또는 6으로 표시되는 치환기인, 발광 화합물:[화학식 5][화학식 6]상기 식에서,A9는 질소 또는 산소이고,A10은 질소, 산소, 인 또는 황이고,n은 0 내지 4의 정수이고,B 고리의 2-위치 내지 5-위치, C 고리의 3-위치 내지 4-위치는 각각 치환 또는 비치환기이고,R11은 수소, 히드록시기, 싸이올기, 할로젠기, 술폰기, 나이트로기, 사이아노기, 알데히드기, 카르복시기, 아민기, 에스테르기, 아크릴레이트기, 메타아크릴레이트기, 비치환 또는 하나 이상의 수소가 플루오르 치환된 C1 내지 C10의 알킬기 또는 알콕시기이다
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5
제1항에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 R3 내지 R6 중 적어도 하나는 하기 화학식 7로 표시되는 치환기인, 발광 화합물:[화학식 7]상기 식에서,n은 1 내지 6의 정수이고,R12 및 R13은 각각 치환 또는 비치환된 C1내지 C10의 알킬기이고,R14는 2-메틸렌-2H-인덴-1,3-다이온 또는 치환기이다
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6
제1항에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 R3 내지 R6 중 적어도 하나는 하기 화학식 8 또는 9로 표시되는 치환기인, 발광 화합물:[화학식 8][화학식 9]상기 식에서,A11 및 A12는 각각 산소 또는 황이고,R15 내지 R18은 각각 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 탄소사슬이다
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7
표면 중 적어도 일부가 전도성 물질로 개질된, 유기 금속 구조체
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8
제7항에 있어서,상기 전도성 물질은 그래핀, 그래핀옥사이드, 탄소나노튜브, In, Sn, Ag, Au, Cu, Pt, Ru2O, MnO2, 폴리싸이오펜, 폴리아닐린, 폴리에틸렌, p-톨루엔술포네이트, 트리플루오로메탄술포네이트, 이들의 유도체 및 이들 중 2 이상의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 하나인, 유기 금속 구조체
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9
제7항에 있어서,상기 구조체의 평균 입자 직경은 0
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유기 금속 구조체에 발광 화합물이 담지된 복합체를 포함하는 활성층을 포함하고,하기 (i) 및 (ii)의 조건 중 적어도 하나를 만족하는, 발광 소자:(i) 상기 발광 화합물이 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 발광 화합물 중 하나 이상을 포함;(ii) 상기 유기 금속 구조체가 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 유기 금속 구조체를 하나 이상 포함
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11
제10항에 있어서,상기 활성층 전체를 기준으로 상기 발광 화합물 및 유기 금속 구조체의 함량은 각각 0~50중량%, 0~50중량%인, 발광 소자
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12
제10항에 있어서,상기 발광 화합물은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 각각 적어도 하나를 포함하는, 발광 소자
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13
(a) 용매 하에서 유기 금속 구조체를 음파처리 및 원심분리하는 단계; 및(b) 상기 (a) 단계의 생성물을 발광 화합물과 혼합하여 제막하는 단계;를 포함하는, 발광 소자의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 용매는 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, 아세톤, 디클로로메탄, 클로로포름, 디에틸에테르, 페트롤리움에테르, 톨루엔, 1,1,2,2-테트라클로로에탄, 아세토나이트릴, 1,4-디옥산, 테트라하이드로퓨란, 에틸아세테이트, 메탄올, 에탄올, 헥산, 다이메톡시설폭사이드 및 이들 중 2 이상의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인, 발광 소자의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 발광 화합물은 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 발광 화합물인, 발광 소자의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 유기 금속 구조체는 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 유기 금속 구조체인, 발광 소자의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 제막은 단순도포법, 회전도포법, 스프레이법, 닥터블레이드법 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나로 수행되는, 발광 소자의 제조방법
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