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기판 상에 적어도 둘 이상의 실리콘(Si, Silicon) 원소를 포함하는 아미노실란계 전구체 기체를 노출시키는 단계;상기 아미노실란계 전구체 기체를 챔버로부터 퍼지시키는 단계; 상기 기판 상에 반응 기체를 노출시켜 상기 기판 상에 소수성 박막을 증착 시키는 단계 및 상기 반응 기체를 상기 챔버로부터 퍼지시키는 단계를 포함하는 소수성 박막의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 아미노실란계 전구체 기체는 실리콘(Si)-질소(N) 결합 및 실리콘(Si)-실리콘(Si) 결합을 포함하는소수성 박막의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 아미노실란계 전구체 기체는 하기의 화학식 1로 표현되는 기체인 [화학식 1]SinX2n(N(R1R2))(N(R3R4))여기서, n은 2 이상의 자연수이고, X는 H, F, Cl, Br, I 및 CF3 중 적어도 하나를 포함하며, R1 내지 R4는 CαH2α+1를 포함하고, α는 1 이상의 자연수인소수성 박막의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 소수성 박막을 증착 시키는 단계는 28°C 내지 100°C의 온도에서 상기 기판 상에 상기 소수성 박막을 증착시키는 소수성 박막의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 소수성 박막을 증착 시키는 단계는 상기 기판 상에 상기 소수성 박막을 1nm 내지 20nm 두께로 형성하는소수성 박막의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 아미노실란계 전구체 기체를 노출시키는 단계, 상기 아미노실란계 전구체 기체를 챔버로부터 퍼지시키는 단계, 상기 소수성 박막을 증착 시키는 단계 및 상기 반응 기체를 상기 챔버로부터 퍼지시키는 단계가 순차적으로 수행되는 증착 사이클을 적어도 1회 이상 반복 수행하는 소수성 박막의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘(Si, Silicon), 산화알루미늄(Al2O3, aluminium oxide), 산화마그네슘(MgO, Magnesium oxide), 탄화규소(SiC, Silicon carbide), 질화규소(SiN, Silicon nitride), 유리(Glass), 석영(Quartz), 사파이어(Sapphire), 그래파이트(Graphite), 그래핀(Graphene), 폴리이미드(PI, Polyimide), 폴리에스테르(PE, Polyester), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, Poly(2,6-ethylenenaphthalate)), 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA, Polymethyl methacrylate), 폴리우레탄(PU, Polyurethane), 플루오르폴리머(FEP, Fluoropolymers), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethyleneterephthalate, PET), 면(Cotton), 셀룰로오스(Cellulose), 실크(Silk) 울(Wool), 케블러(Kevlar), 나일론 (Nylon), 탄소섬유, 탄소가 함유된 전도성 섬유(conductive textile), 3차원 구조체의 나노선(Nano wire), 3차원 구조체의 나노점(Nano dot), 3차원 구조체의 분말(Powder), 플라스틱 및 바이오 생체 소자 중 적어도 하나를 포함하는소수성 박막의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 반응 기체는 오존(O3, Ozone)을 포함하는소수성 박막의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 소수성 박막은 소수성 특성 또는 초소수성 특성을 갖는 산화규소(SiOx) 박막인 소수성 박막의 형성 방법
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제9항에 있어서,상기 소수성 박막은 액체와 상기 소수성 박막 사이의 접촉각이 90° 내지 149°이면 상기 소수성 특성을 갖고, 상기 접촉각이 150° 이상인 경우에는 상기 초소수성 특성을 갖는 소수성 박막의 형성 방법
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