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기판;상기 기판 상에 형성된 텅스텐 산화물; 및상기 텅스텐 산화물 상에 형성되는 전극;을 포함하고,상기 텅스텐 산화물은, 탄소가 도핑된 삼산화텅스텐(WO3)이며, 상기 삼산화텅스텐은, 기판 상에 미리 형성된 탄소나노튜브 템플릿이 어닐링 과정을 통해 제거됨으로써 탄소나노튜브 형상을 갖는 것을 특징으로 하는, 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 기판은, 실리콘(Si), 산화규소(SiO2), 유리(glass) 및 사파이어(Al2O3)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 전극은, 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 몰르브덴(Mo), 은(Ag), 티타늄(Ti), 티탄나이트라이드(TiN), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir) 또는 구리(Cu) 중에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 가스 센서
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기판 상에 탄소나노튜브층을 적층시키는 단계;탄소나노튜브층이 적층된 기판을 텅스텐 클로라이드(WCl6)용액에 침지시켜 텅스텐이 코팅된 탄소나노튜브 템플릿을 형성하는 단계; 텅스텐이 코팅된 탄소나노튜브 템플릿이 형성된 기판을 400 ~ 950℃의 온도에서 어닐링하여 탄소가 도핑된 텅스텐 산화물을 형성하는 단계; 및상기 탄소가 도핑된 텅스텐 산화물 상에 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 텅스텐 산화물은, 탄소가 도핑된 삼산화텅스텐(WO3)이며, 기판 상에 미리 형성된 탄소나노튜브 템플릿이 어닐링 과정을 통해 제거됨으로써, 삼산화텅스텐에 도핑되는 탄소의 공급원으로 작용하면서, 동시에 상기 삼산화텅스텐은 탄소나노튜브 형상을 갖는 것을 특징으로 하는, 가스 센서의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 기판은, 실리콘(Si), 산화규소(SiO2), 유리(glass) 및 사파이어(Al2O3)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 가스 센서의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 탄소나노튜브를 적층시키는 단계는, 탄소나노튜브 용액을 사용하여 lift-off 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는, 가스 센서의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 전극은 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 몰르브덴(Mo), 은(Ag), 티타늄(Ti), 티탄나이트라이드(TiN), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir) 또는 구리(Cu) 중에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는, 가스 센서의 제조방법
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