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복수의 로우(Row)와 복수의 컬럼(Column)이 교차하는 셀 어레이에 구비된 복수의 메모리 셀; 상기 복수의 컬럼 중에서 비선택된 컬럼(Unselected column)에 구비되는 비트라인과 비트라인바 중에서 적어도 하나의 라인을 프리차지하는 인터리브 프리차지 회로 및 상기 비선택된 컬럼에 구비된 복수의 메모리 셀 각각에 연결되는 적어도 하나의 워드 라인을 플로팅(Floating) 상태로 제어하여, 상기 플로팅된 워드 라인과 상기 비선택된 컬럼에 구비되는 프리차지된 라인 사이에 형성되는 기생 캐패시턴스(Parasitic capacitance) 성분을 통해 상기 플로팅된 워드 라인을 부스팅(Boosting)하는 워드라인 드라이버를 포함하고,상기 워드라인 드라이버는 상기 비선택된 컬럼에 구비된 복수의 메모리 셀 각각의 더미 리드(Dummy Read) 동작을 수행하여, 상기 비선택된 컬럼에 구비되는 프리차지된 라인을 방전(Discharge) 시키고,상기 인터리브 프리차지 회로는 상기 워드라인 드라이버에서 상기 비선택된 컬럼에 구비된 복수의 메모리 셀 각각에 연결되는 상기 적어도 하나의 워드 라인을 플로팅 상태로 제어하고, 상기 비선택된 컬럼에 구비되는 상기 방전된 라인을 다시 프리차지하는 제2 프리차지 동작을 수행하여 상기 플로팅된 워드라인과 상기 제2 프리차지 동작으로 프리차지된 라인 사이에 형성되는 상기 기생 캐패시턴스 성분을 통해 상기 플로팅된 워드 라인을 부스팅하는 정적 메모리 장치
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제1항에 있어서, 상기 인터리브 프리차지 회로는상기 복수의 컬럼 중에서 선택된 컬럼(Selected column)에 구비되는 비트라인과 비트라인바 중에서 적어도 하나의 라인을 프리차지하는정적 메모리 장치
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제2항에 있어서, 상기 인터리브 프리차지 회로는 상기 선택된 컬럼에 구비되는 프리차지된 라인과 상기 비선택된 컬럼에 구비되는 프리차지된 라인 각각의 프리차지 동작을 컬럼별로 독립적으로 제어하는정적 메모리 장치
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제1항에 있어서,상기 복수의 메모리 셀 각각은 상기 비트라인과 연결된 제1 액세스 트랜지스터, 상기 비트라인바와 연결된 제2 액세스 트랜지스터, 셀 전원라인과 각각 연결된 제1 풀업 트랜지스터와 제2 풀업 트랜지스터 및 셀 소스라인과 각각 연결된 제1 풀다운 트랜지스터와 제2 풀다운 트랜지스터를 포함하는 정적 메모리 장치
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제1항에 있어서, 상기 인터리브 프리차지 회로는 상기 복수의 컬럼 중에서 선택된 컬럼에 구비되는 비트라인과 비트라인바 중에서 적어도 하나의 라인과, 상기 비선택된 컬럼에 구비되는 비트라인과 비트라인바 중에서 적어도 하나의 라인을 동시에 프리차지하는 제1 프리차지 동작을 수행하는 정적 메모리 장치
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제1항에 있어서, 상기 워드라인 드라이버는 상기 적어도 하나의 워드라인에 어서트하고, 상기 어서트된 워드라인에 대해 언더 드라이브(Under Drive) 동작을 수행하는 정적 메모리 장치
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인터리브 프리차지 회로에서 복수의 로우(Row)와 복수의 컬럼(Column)이 교차하는 셀 어레이에 구비된 상기 복수의 컬럼 중에서 비선택된 컬럼(Unselected column)에 구비되는 비트라인과 비트라인바 중에서 적어도 하나의 라인을 프리차지 하는 단계 및 워드라인 드라이버에서 상기 셀 어레이에 구비된 복수의 메모리 셀 중에서 상기 비선택된 컬럼에 구비된 복수의 메모리 셀 각각에 연결되는 적어도 하나의 워드 라인을 플로팅(Floating) 상태로 제어하여, 상기 플로팅된 워드 라인과 상기 비선택된 컬럼에 구비되는 프리차지된 라인 사이에 형성되는 기생 캐패시턴스(Parasitic capacitance) 성분을 통해 상기 플로팅된 워드 라인을 부스팅(Boosting)하는 단계를 포함하고,상기 플로팅된 워드 라인을 부스팅하는 단계는 상기 워드라인 드라이버에서 상기 비선택된 컬럼에 구비된 복수의 메모리 셀 각각의 더미 리드(Dummy Read) 동작을 수행하여, 상기 비선택된 컬럼에 구비되는 프리차지된 라인을 방전(Discharge) 시키는 단계 및 상기 워드라인 드라이버에서 상기 비선택된 컬럼에 구비된 복수의 메모리 셀 각각에 연결되는 상기 적어도 하나의 워드 라인을 플로팅 상태로 제어하고, 상기 인터리브 프리차지 회로에서 상기 비선택된 컬럼에 구비되는 상기 방전된 라인을 다시 프리차지하는 제2 프리차지 동작을 수행하여 상기 플로팅된 워드라인과 상기 제2 프리차지 동작으로 프리차지된 라인 사이에 형성되는 상기 기생 캐패시턴스 성분을 통해 상기 플로팅된 워드 라인을 부스팅하는 단계를 포함하는 정적 메모리 장치의 제어방법
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제9항에 있어서, 상기 적어도 하나의 라인을 프리차지 하는 단계는상기 인터리브 프리차지 회로에서 상기 복수의 컬럼 중에서 선택된 컬럼에 구비되는 비트라인과 비트라인바 중에서 적어도 하나의 라인과, 상기 비선택된 컬럼에 구비되는 비트라인과 비트라인바 중에서 적어도 하나의 라인을 동시에 프리차지하는 제1 프리차지 동작을 수행하는정적 메모리 장치의 제어방법
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제9항에 있어서, 상기 플로팅된 워드 라인을 부스팅하는 단계는상기 적어도 하나의 워드라인에 어서트하고, 상기 어서트된 워드라인에 대해 언더 드라이브(Under Drive) 동작을 수행하는 단계를 더 포함하는 정적 메모리 장치의 제어방법
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