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유연 기판;상기 유연 기판 상에 형성되고, 유연 기판과 동일한 면적을 가지는 제1 인캡슐레이션층;상기 제1 인캡슐레이션층 상에 형성되고, 유연 기판보다 작은 면적을 가지는 중간층;상기 중간층 상에 형성되고, 중간층을 감싸며 상기 유연 기판과 동일한 면적을 가지는 접착층; 및상기 접착층 상에 형성되며, 상기 유연 기판과 동일한 면적을 가지는 제2 인캡슐레이션층;을 포함하고,상기 중간층은 투명전극, 전자전달층, 페로브스카이트 광활성층, 정공전달층 및 금속전극으로 구성되며,상기 제1 인캡슐레이션층은 상기 유연 기판 상에 유기물 및/또는 무기물이 적층되어 구성되고,상기 제2 인캡슐레이션층은 실리콘 웨이퍼로부터 열산화 성장된 SiO2로 구성되는, SiO2로 인캡슐레이션화된 페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 유연 기판은 폴리이미드, 폴리에틸렌, 페트 및 페릴린으로 구성된 군으로부터 선택된 1종인, SiO2로 인캡슐레이션화된 페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 제1 인캡슐레이션층은 유연 기판 상에 유기물인 페릴린 또는 PVP, 무기물인 알루미나(Al2O3) 또는 실리콘옥사이드(SiO)가 단독으로 또는 순차적으로 적층되어 구성되는, SiO2로 인캡슐레이션화된 페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 투명전극은 ITO 또는 FTO인, SiO2로 인캡슐레이션화된 페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 금속으로는 구리(Cu), 은(Ag) 및 금(Au)으로 구성된 군으로부터 선택된 1종인, SiO2로 인캡슐레이션화된 페로브스카이트 태양전지
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(i) 유연 기판 상에 유기물 및/또는 무기물을 적층하여 제1 인캡슐레이션층을 형성하는 단계;(ii) 상기 제1 인캡슐레이션층 상에 유연 기판보다 작은 면적의 페로브스카이트 태양전지 모듈을 형성하는 단계;(iii) 단결정 실리콘 웨이퍼를 약 1100 내지 1200 ℃의 온도에서 열산화 반응시켜 상기 웨이퍼의 일측에 이산화규소(SiO2)를 성장시켜 초박막층인 제2 인캡슐레이션층을 형성하는 단계;(iv) 상기 (ii) 단계에서 제조된 태양전지 모듈과 상기 (iii) 단계에서 제조된 제2 인캡슐레이션층을 접합하여 태양전지의 양측면을 인캡슐레이팅하는 단계; 및(v) 상기 인캡슐레이팅된 태양전지를 경화하고, 실리콘 웨이퍼를 에칭하는 단계;를 포함하는, SiO2로 인캡슐레이션화된 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 (ii) 단계에서 페로브스카이트 태양전지 모듈의 제조방법은(a) 투명전극 상에 전자전달층을 형성하는 단계;(b) 상기 전자전달층 상에 페로브스카이트 전구체 용액을 스핀코팅하고 열처리하여 광활성층을 형성하는 단계;(c) 상기 광활성층 상에 Spiro-MeOTAD 용액을 스핀 코팅하여 정공전달층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 정공전달층 상에 금속전극을 증착하여 금속전극을 형성하는 단계;를 포함하는, SiO2로 인캡슐레이션화된 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 유연 기판은 폴리이미드, 폴리에틸렌, 페트 및 페릴린으로 구성된 군으로부터 선택된 1종인, SiO2로 인캡슐레이션화된 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 제1 인캡슐레이션층은 유연 기판 상에 유기물인 페릴린 또는 PVP, 무기물인 알루미나(Al2O3) 또는 실리콘옥사이드(SiO)가 단독으로 또는 순차적으로 적층되어 구성되는, SiO2로 인캡슐레이션화된 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 투명전극은 ITO 또는 FTO인, SiO2로 인캡슐레이션화된 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 금속으로는 구리(Cu), 은(Ag) 및 금(Au)으로 구성된 군으로부터 선택된 1종인, SiO2로 인캡슐레이션화된 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
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