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하기 [화학식 1]로 표시되는 칼코겐계 테트라카복실산 이무수물 화합물:[화학식 1]상기 화학식 1에서, R1은 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 방향족 고리 화합물, 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 헤테로 방향족 고리 화합물, 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 지방족 고리 화합물 및 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 헤테로 지방족 고리 화합물, 펜타디엔기, 헥사디엔기, 헵타디엔기, 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 펜타디엔기, 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 헥사디엔기, 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 헵타디엔기로 이루어진 군에서 선택된 1종이다
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제1항에 있어서, 상기 [화학식 1]의 R1은 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 아릴기; N, Cl, O, S, Se, Te 또는 P의 헤테로 원소를 1 내지 10으로 포함하며 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 헤테로 아릴기; 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 사이클로알킬기; N, Cl, O, S, Se, Te 또는 P의 헤테로 원소를 1 내지 10으로 포함하며 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 헤테로 사이클로알킬기, 펜타디엔기, 헥사디엔기, 헵타디엔기, N, Cl, O, S, Se, Te 또는 P의 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 펜타디엔기, N, Cl, O, S, Se, Te 또는 P의 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 헥사디엔기, N, Cl, O, S, Se, Te 또는 P의 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 헵타디엔기 및 이들의 유도체로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 칼코겐계 테트라카복실산 이무수물 화합물
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제1항에 있어서, 상기 R1에서 치환된 치환기는 각각 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 1~10의 알콕시기, 탄소수 1~10의 알킬아미노기, 탄소수 1~10의 알킬실릴기, 탄소수 5~14의 아릴기, 탄소수 4~19의 N, S, O을 포함하는 헤테로 아릴기, 시아노기 또는 할로겐인 것을 특징으로 하는 칼코겐계 테트라카복실산 이무수물 화합물
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제1항에 있어서, 상기 [화학식 1]은 하기 [화학식 2] 내지 [화학식 4]의 화합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 칼코겐계 테트라카복실산 이무수물 화합물;[화학식 2][화학식 3][화학식 4]
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하기 [화학식 6]으로 표시되는 폴리아믹산 중합체;[화학식 6]상기 화학식 6에서, R1과 R2는 각각 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 방향족 고리 화합물, 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 헤테로 방향족 고리 화합물, 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 지방족 고리 화합물 및 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 헤테로 지방족 고리 화합물, 펜타디엔기, 헥사디엔기, 헵타디엔기, 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 펜타디엔기, 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 헥사디엔기, 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 헵타디엔기로 이루어진 군에서 선택된 1종이다
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제5항에 있어서, 상기 폴리아믹산 중합체는 하기 [화학식 1]로 표시되는 테트라카복실산 이무수물 화합물과 하기 [화학식 5]로 표시되는 디아민을 중합하여 형성된 것을 특징으로 하는 폴리아믹산 중합체;[화학식 1][화학식 5]상기 [화학식 1]에서, R1은 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 방향족 고리 화합물, 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 헤테로 방향족 고리 화합물, 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 지방족 고리 화합물 및 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 헤테로 지방족 고리 화합물, 펜타디엔기, 헥사디엔기, 헵타디엔기, 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 펜타디엔기, 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 헥사디엔기, 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 헵타디엔기로 이루어진 군에서 선택된 1종이며;상기 [화학식 5]에서, R2는 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 방향족 고리 화합물, 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 헤테로 방향족 고리 화합물, 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 지방족 고리 화합물 및 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 헤테로 지방족 고리 화합물, 펜타디엔기, 헥사디엔기, 헵타디엔기, 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 펜타디엔기, 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 헥사디엔기, 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 헵타디엔기로 이루어진 군에서 선택된 1종이다
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7
제6항에 있어서, 상기 [화학식 5]의 R2는 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 아릴기; N, Cl, O, S, Se, Te 또는 P의 헤테로 원소를 1 내지 10으로 포함하며 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 헤테로 아릴기; 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 사이클로알킬기; N, Cl, O, S, Se, Te 또는 P의 헤테로 원소를 1 내지 10으로 포함하며 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 헤테로 사이클로알킬기, 펜타디엔기, 헥사디엔기, 헵타디엔기, N, Cl, O, S, Se, Te 또는 P의 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 펜타디엔기, N, Cl, O, S, Se, Te 또는 P의 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 헥사디엔기, N, Cl, O, S, Se, Te 또는 P의 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 헵타디엔기 및 이들의 유도체로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 폴리아믹산 중합체
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제6항에 있어서, 상기 [화학식 5] 화합물의 R2는 하기 [화학식 5-1] 내지 [화학식 5-5]의 화합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 폴리아믹산 중합체;[화학식 5-1][화학식 5-2][화학식 5-3][화학식 5-4][화학식 5-5]
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하기 [화학식 7]로 표시되는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 중합체;[화학식 7]상기 [화학식 7]에서, R1과 R2는 각각 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 방향족 고리 화합물, 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 헤테로 방향족 고리 화합물, 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 지방족 고리 화합물 및 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 헤테로 지방족 고리 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종이다
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제9항에 있어서, 제5항의 폴리아믹산 중합체를 이미드화하여 제조된 것을 특징으로 하는 폴리이미드 중합체
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제9항의 폴리이미드 중합체를 포함하는 폴리이미드 필름
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제11항에 있어서, 상기 폴리이미드 필름은 2800 nm 파장에서 81 내지 93% 사이의 광 투과도를 가지는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 필름
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제11항에 있어서, 상기 폴리이미드 필름은 550 nm 파장에서 88 내지 93% 사이의 광 투과도를 가지는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 필름
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제11항에 있어서, 상기 폴리이미드 필름은 404 nm 파장에서 1
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제11항에 있어서, 상기 폴리이미드 필름은 400 내지 650 ℃ 사이의 온도에서 상기 폴리이미드 필름의 총 중량이 상온에서의 상기 폴리이미드 필름의 총 중량의 90%로 감소하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 필름
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하기 [화학식 1]로 표시되는 테트라카복실산 이무수물 화합물과 하기 [화학식 5]로 표시되는 디아민, 및 무기계 필러가 분산된 것을 특징으로 하는 유/무기 폴리이미드 복합체;[화학식 1][화학식 5]상기 [화학식 1]에서, R1은 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 방향족 고리 화합물, 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 헤테로 방향족 고리 화합물, 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 지방족 고리 화합물 및 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 헤테로 지방족 고리 화합물, 펜타디엔기, 헥사디엔기, 헵타디엔기, 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 펜타디엔기, 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 헥사디엔기, 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 헵타디엔기로 이루어진 군에서 선택된 1종이며;상기 [화학식 5]에서, R2는 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 방향족 고리 화합물, 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 헤테로 방향족 고리 화합물, 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 지방족 고리 화합물 및 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 헤테로 지방족 고리 화합물, 펜타디엔기, 헥사디엔기, 헵타디엔기, 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 펜타디엔기, 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 헥사디엔기, 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 헵타디엔기로 이루어진 군에서 선택된 1종이다
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제16항에 있어서, 상기 무기계 필러는 ZrO2, TiO2, Ge, ZnS, ZnSe, Si, MgF2 및 PbS로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유/무기 폴리이미드 복합체
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제16항에 있어서, 상기 무기계 필러는 1개 이상의 아민 그룹을 가진 화합물로 표면기능화된 것을 특징으로 하는 유/무기 폴리이미드 복합체
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제16항에 있어서, 상기 유/무기 폴리이미드 복합체는 하기 [화학식 8]로 표시되는 것을 특징으로 하는 유/무기 폴리이미드 복합체;[화학식 8]상기 [화학식 8]에서, R1과 R2는 각각 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 방향족 고리 화합물, 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 헤테로 방향족 고리 화합물, 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 지방족 고리 화합물 및 치환되거나 치환되지 않은 탄소수 3~30의 헤테로 지방족 고리 화합물, 펜타디엔기, 헥사디엔기, 헵타디엔기, 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 펜타디엔기, 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 헥사디엔기, 헤테로 원소를 1 내지 3으로 포함하는 헵타디엔기로 이루어진 군에서 선택된 1종이다
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제19항의 유/무기 폴리이미드 복합체를 포함하는 유/무기 폴리이미드 복합체 필름
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제20항에 있어서, 상기 유/무기 폴리이미드 복합체 필름은 2800 nm 파장에서 82 내지 89% 사이의 광 투과도를 가지는 것을 특징으로 하는 유/무기 폴리이미드 복합체 필름
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제20항에 있어서, 상기 유/무기 폴리이미드 복합체 필름은 550 nm 파장에서 56 내지 85% 사이의 광 투과도를 가지는 것을 특징으로 하는 유/무기 폴리이미드 복합체 필름
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제20항에 있어서, 상기 유/무기 폴리이미드 복합체 필름은 404 nm 파장에서 2
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제20항에 있어서, 상기 유/무기 폴리이미드 복합체 필름은 400 내지 650 ℃ 사이의 온도에서 상기 유/무기 폴리이미드 복합체 필름의 총 중량이 상온에서의 상기 유/무기 폴리이미드 복합체 필름의 총 중량의 90%로 감소되는 것을 특징으로 하는 유/무기 폴리이미드 복합체 필름
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